resumo da aula passada apresentação do jhonas. fontes de luz. formação de um sólido, exemplos...
TRANSCRIPT
Resumo da aula passada
• Apresentação do Jhonas. Fontes de Luz.
• Formação de um sólido, exemplos usando átomos de H,
Li e Na. Diferentes tipos de interações: Coulomb,
covalente, repulsão, Van der Waals.
• Formação de bandas.
• Cristal de NaCl, constante de Madelung.
• Classificação de sólidos: metal, semicondutor e isolante.
• Espectro de absorção e espectro de emissão.
dispoptic-2013 120130408
2dispoptic-2013
A wide range of energies can cause electrons to be excited from the valence band to the conduction band (absorption; figure shows electronic transitions, A, and corresponding absorption spectrum, B).
electronic transitions, A absorption spectrum, Belectronic transitions, A absorption spectrum, B
3dispoptic-2013
Excited electrons will drop from the bottom of the conduction band into the top of the valence band with the emission of light with a very narrow band width (emission; figure shows an electronic transition, A, and corresponding emission spectrum, B)
electronic transitions, A absorption spectrum, B
4
Diagrama de Banda: Isolante com Egap grande
EF
EC
EV
Banda de condução(vazio)
Banda de valência(cheio)
Egap
T > 0
dispoptic-2013
• Em T = 0, a banda de valência inferior é preenchida com elétrons e a banda de condução está vazia, conseqüentemente condutividade zero. – A energia de Fermi EF está no meio da banda proibida (2-10 eV)
entre as bandas de condução e valência. • Em T > 0, os elétrons não são termicamente excitados da banda de
valência à banda de condução, conseqüentemente também condutividade zero.
5
• Em T = 0 K, elétrons tem 100% probabilidade de estar abaixo da energia de Fermi EF e 0% probabilidade de estar acima de EF. Em T > 0 K, probabilidade diminui abaixo de EF e aumenta acima de EF, provocando que a função degrau
passe a ser mais suave (escorregadia?).
1
1F
FD E
k
E
T
f E
e
Diagrama de Bandas: Função de preenchimento de Fermi-Dirac
• Probabilidade dos elétrons (férmions) serem encontrados em vários níveis de energia.
• Em TA, E – EF = 0.05 eV f(E) = 0.12 E – EF = 7.5 eV f(E) = 10 –129
• Efeito enorme da dependência exponencial
T > 0 T >> 0T = 0 K
dispoptic-2013Fermi : http://jas.eng.buffalo.edu/education/semicon/fermi/functionAndStates/functionAndStates.html
6
Diagrama de Banda: Metal
EF
EC,V
EF
EC,V
Função de preenchimento
Banda de energia a ser preenchida
T > 0T = 0 K
preenchimento da banda.
dispoptic-2013
• Em T = 0, níveis de energia abaixo de EF são preenchidos com elétrons, entretanto todos os níveis acima de EF estão vazios.
• Os elétrons são livres para se movimentar dentro dos estados vazios da banda de condução com somente um pequeno campo elétrico aplicado E, teremos alta condutividade elétrica.
• Em T > 0, os elétrons tem uma probabilidade de serem termicamente excitados a partir de níveis abaixo do nível de energia de Fermi para acima.
7
Junção pn, diodos, LED’s e diodos lasers
• Semicondutor tipo p, tipo n
• Junção pn, circuitos diretos e reversos
• Equações de transporte
• LED
• OLED
• Diodo laser
dispoptic-2013
8
Diagrama de Bandas: Semicondutor sem Dopante
EF
EC
EV
Banda de condução(Parcialmente preenchida)
Banda de valência(Parcialmente vazia)
T > 0
dispoptic-2013
• Em T = 0, A banda de valência é preenchida com elétrons e a banda de
condução está vazia, resultando em condutividade zero.
• Em T > 0, elétrons podem ser termicamente excitados da banda de valência
para a banda de condução, resultando em banda de valência parcialmente
vazia e banda de condução parcialmente preenchida.
9
Diagrama de Banda: Semicondutor com dopante doador
• Para o Si que é do grupo IV, adiciona-se um elemento do grupo V para “doar” um elétron e fazer Si tipo -n (temos mais elétron negativos
• O elétron“Extra” está fracamente ligado, com nível de energia de doador ED justamente abaixo da banda de condução EC.
– elétrons resultantes na banda de condução, promovem um aumento da condutividade pelo aumento da densidade de portadores livres n.
• O nível de Fermi EF se desloca para EC
devido a que há mais portadores.
• Aumenta a condutividade de um semicondutor pela adição de uma pequena quantidade de outro material denominado dopante (ao invés de aquecer-lo)
EC
EV
EF
ED
Egap~ 1 eV
n-type Si
dispoptic-2013
10
Porção da tabela periódica – semicondutores
Portion of the periodic table emphasizing the formation of 1:1 AZ solids that are isoelectronic with the Group 14 solids. Complementary pairs are indicated with similar shading: for example Ge, GaAs, ZnSe, and CuBr.
dispoptic-2013
11
Semicondutor tipo -n
dispoptic-2013
12
Diagrama de Banda: Semicondutor com dopante aceitador
• Para o Si, do grupo IV, adiciona-se um elemento do grupo III para aceitar um elétron e teremos o Si tipo -p (mais buracos positivos).
• Elétrons “perdidos” são armadilhados num nível de energia aceitador EA justamente acima da banda de valência EV.
– Os buracos na banda de valência aumentam fortemente a condutividade elétrica.
• O nível de Fermi EF é deslocado para abaixo na direção de EV devido a que há poucos portadores.
EA
EC
EV
EF
p-type Si
dispoptic-2013
13
Porção da tabela periódica – semicon.
Portion of the periodic table emphasizing the formation of 1:1 AZ solids that are isoelectronic with the Group 14 solids. Complementary pairs are indicated with similar shading: for example Ge, GaAs, ZnSe, and CuBr.
dispoptic-2013
14
Semicondutor tipo -p
dispoptic-2013
15
Junção pn
dispoptic-2013
16
Junção pn : Diagrama de Banda
• Em equilíbrio, os níveis de Fermi (ou densidade de portadores de carga) devem se igualar.
• Devido à difusão, os elétrons se movimentam do lado n para p e os buracos do lado p para n.
• Zona de Depleção, ela ocorre na junção onde permanecem íons parados.
• Isto resulta num campo elétrico (103 a 105 V/cm), que se opõe a uma maior difusão.
Zona de Depleção
regiões pn se “tocam” & portadores livres se movimentam
elétrons
regiões pn em equilíbrio
buracosEV
EF
EC
EF
EV
EF
EC
+++
++++
++++
+––––
––––
––––
Tipo -p
Tipo-n
Junção pn: http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/pnformation2/pnformation2.html
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/pnformation3/index.html
dispoptic-2013
17
Exemplo de mudança da banda de energia pela composição: AlxGa1-xAs
• http://jas.eng.buffalo.edu/education/semicon/AlGaAs/ternary.html
dispoptic-2013
18
Fabricação de diodo pn
• http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe.html
• Abordagem a partir do substrato até o produto final mostrando o processo de litografia
dispoptic-2013
19
Diodo PIN
http://jas.eng.buffalo.edu/education/pin/pin/index.html
Similar a junção PN mas com uma camada intrínseca inserida
dispoptic-2013
20
• Relação Corrente-Voltagem (I-V)
• Polarização direta: a corrente aumenta exponencialmente.
• Polarização Reversa: corrente de fuga pequeno ~Io.
• Junção pn retificadora somente deixa passar corrente numa direção.
Junção pn : Características I-V
Polarização reversa
Polariz. direta
/[ 1]eV kToI I e
dispoptic-2013http://jas.eng.buffalo.edu/education/pn/pnformation_B/index.html
dispoptic-2013 21
• Polarização Direta: voltagem negativa no lado n promove a difusão de elétrons através do decréscimo do potencial da junção na região de depleção maior corrente.
• Polarização Reversa: voltagem positiva no lado n inibe a difusão de elétrons através do incremento do potencial da junção na região de depleção menor corrente.
Junção pn : Diagrama de Bandas sobre polarização
Polarização Direta Polarização ReversaEquilíbrio
tipo -ntipo -p
e– Portadores minoritários
e–
tipo -n–V
tipo -p
e–
p-type n-type+V
Portadores majoritários
22
• Pq útil? Determina tipo de portador de carga (elétron vs. buraco) e densidade de portadores n para um semicondutor.
• Como? Semicondutor num campo externo B, corrente através de um eixo, e medida da voltagem de Hall induzida VH ao longo do eixo perpendicular.
• Derivado da equação de Lorentz FE (qE) = FB (qvB).
Semicondutor: Densidade de Dopante via Efeito Hall
buraco elétroncarga + carga -BF qv B
Densidade de portadores n = _______(corrente I) (campo magnético B)__________ (carga do portador q) (espessura t)(Voltagem Hall VH)
dispoptic-2013
23
LED Celula Solar
Dispositivos pn : LED e Célula Solar
• Diodo emissor de luz = Light-emitting diode (LED)– Converte sinal elétrico em luz: entra elétron sai fóton– Fonte de luz com vida longa, baixa potência, desenho compacto. – Aplicações: luzes indicadores, mostradores grandes.
• Célula Solar– Converte entrada de luz em sinal elétrico de saida: entra fóton sai elétron
(os elétrons gerados são barridos pelo campo E da junção pn).– Fonte de energia renovável.
dispoptic-2013
24
Curva característica de um LED
dispoptic-2013
25
Diversos LED´s pela composição e cor
• aluminium gallium arsenide (AlGaAs) - red and infrared • aluminium gallium phosphide (AlGaP) - green • aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP) - high-brightness
orange-red, orange, yellow, and green • gallium arsenide phosphide (GaAsP) - red, orange-red, orange, and
yellow • gallium phosphide (GaP) - red, yellow and green • gallium nitride (GaN) - green, pure green (or emerald green), and blue • indium gallium nitride (InGaN) - near ultraviolet, bluish-green and blue • silicon carbide (SiC) as substrate - blue • silicon (Si) as substrate - blue (under development) • sapphire (Al2O3) as substrate - blue • zinc selenide (ZnSe) - blue • diamond (C) - ultraviolet • aluminium nitride (AlN), aluminium gallium nitride (AlGaN) - near to far
ultraviolet dispoptic-2013
26
Formação de cores em LED´s
Azul => In, Ga, N
Verde => GaP
Vermelho => Ga, P, As
Soluções sólidas de GaP1-xAsx, onde x
varia de 1 a 0.
Para x = 0.6, o LED é vermelho.
O LED emite em laranja quando x = 0.35.
Para x = 0.15 o LED emite amarelo. Para x
= 0 o LED emite verde, i.e. GaP
dispoptic-2013
27
Dispositivos: LED’s várias cores
• Diagrama de cromaticidade CIE 1976 : caracteriza as cores por uma parâmetro de luminância Y e duas coordenadas de cores x e y.
• A luz branca pode ser criada usando LED’s amarelo e azul.
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.00.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
480
470
490
500
510
530520 nm = verde
540
550560
570 nm = amarelo
580590
600610
640 nm = vermelho
violeta
Azul-verde
WHITE
2000 K30005000
10,00020,000
IncandescenteLuz do dia
460 nm = azul
dispoptic-2013
28
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.00.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
480
470
490
500
510
530520 nm = verde
540
550560
570 nm = amarelo
580590
600610
640 nm = vermelho
violeta
Azul-verde
WHITE
2000 K30005000
10,00020,000
IncandescenteLuz do dia
460 nm = azul
dispoptic-2013
29
Color Temperature and Color Rendering Index (CRI)
dispoptic-2013
30
Dispositivos: relacionados com luz
• Três efeitos principais para a luz interagir com a matéria:–Absorção: fóton incidente cria par elétron-buraco (célula solar).–Emissão Espontânea: par elétron-buraco decai espontaneamente
para ejetar um fóton (LED).–Emissão Estimulada: o fóton incidente estimula para que outro par
elétron-buraco decaia e ejete outro fóton, i.e. um fóton de entrada dois fótons de saída (LASER).
Absorção Emissão estimulada
Energia
E2
E1
12
1
2
1 2
3
2 1hc
E E
dispoptic-2013
Emissão espontânea
31
Diversas interações de fótons com átomos
a) Fluorescência
b) Absorção Ressonante
c) Emissão estimulada
d) Espalhamento Rayleigh
e) Efeito Compton
f) Espalhamento Raman
g) Efeito fotoelétrico
Efeito fotoelétricodispoptic-2013
Fluorescência Abs. Ressonante
Emissão estimulada Espalhamento Rayleigh
Efeito Compton Espalhamento Raman
32
Tratamento de transições
1212 BPdt
d
Estimulada O campo de radiação tb pode induzir átomos que estão no estado excitado E2 para fazer transições para E1 com emissão simultânea de fótons de energia hn . O fóton induzido de energia hn é emitido do mesmo modo que causou a emissão, o número de fótons é incrementado em um.A probabilidade de que um átomo emita um fóton induzido por segundo é:
EspontâneaAbsorção induzidaProbabilidade por segundo que um átomo irá absorver um fóton é proporcional ao número de fótons de energia hn por unidade de volume, que pode ser expressa em termos da densidade de energia espectral ( )r n do campo de radiação
B12 é o coeficiente de Einstein de absorção induzida
2121 BPdt
d
B21 é o coeficiente de Einstein de emissão induzida
A emissão espontânea tb ocorre e independe do campo de radiação externo
2121 APdt
d espont
dispoptic-2013A21 é o coeficiente de Einstein de emissão espontânea
33
GaAs Laser
Dispositivos: LASER
• O laser cria uma inversão de população de elétrons em níveis de energia superiores e então estimula-os a decair coerentemente a baixas energias.
LASER = Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation
dispoptic-2013
• Aplicações: fibras opticas, CD player, usinagem, medicina, etc.– e.g. laser GaAs : 25% eficiencia, 100 anos tempo de vida, tamanho mm, IV a VIS.
34
Estrutura de diodo laser de emissão de borda
dispoptic-2013
35dispoptic-2013
36
Outra representação de um diodo laser
dispoptic-2013
37
Laser genérico de junção pn
dispoptic-2013
38
Outra visão de diodo laser
dispoptic-2013
39
Outras configurações de diodos laser
Distributed Bragg Reflector
Distributed Feedback Laser
dispoptic-2013
40
Laser DFB Distributed Feedback Laser
dispoptic-2013Optical Transmitter Module for 10Gbit/s Optical Communication Systems
41
Laser diodo de potência
dispoptic-2013
42
Condições para laser
A emissão estimulada produz um ganho neto g por unidade de comprimento. O número de fótons pode ser mantido num processo de múltiplas reflexões de amplificação numa cavidade de comprimento L, com espelhos de refletividade R1 e R2 resultando na seguinte condição de laser:
Se a amplificação < 1, então o número de fótons diminui de forma estável. Se a amplificação > 1, então o número de fótons aumenta e não será obtido um valor de estado estacionário. Por tanto o ganho requerido para ação laser é:
Inicialmente o ganho é negativo se não for aplicado uma corrente no diodo laser a medida que a absorção domina na guia de onda. A medida que a corrente aumenta, a absorção decresce e o ganho aumenta
dispoptic-2013
43
Condições para laser
A corrente para o qual satisfaz o ganho para a emissão de laser é a corrente de gatilhamento, ponto de início, ou limiar (threshold) Ith .
Para valores menores de corrente, há uma emissão de luz muito fraca que vem da estrutura do laser.
Para valores maiores, a potência de saída aumenta linearmente com a corrente aplicada a medida que cada par elétron-buraco é convertido em fóton, assim:
O fator h indica que somente uma fração dos fótons gerados contribui com a potência de saída do laser, desde que os fótons são perdidos através dos espelhos e da guia de onda.
dispoptic-2013
44
Geometria de uns dos primeiros diodos laser. (a)Utiliza sc fortemente dopados em ambos lados da junção.
(b) Resultando num diagrama de níveis de energia em que o nível de Fermi é cte através do dispositivo sem corrente.
(c) Com polarização direta, os níveis de Fermi se desdobram devido à injeção de portadores de carga minoritários (elétrons dentro de p e buracos dentro de n) e existe uma região próxima à junção em que há simultaneamente tanto uma alta densidade de elétrons como tb de buracos.
Devido à alta mobilidade dos elétrons em relação aos buracos, a maior parte da injeção é por elétrons dentro de p que recombinam com os buracos majoritários após difundir uma distância d = Ln = (Dt)1/2. e.g. GaAs:
Diodo laser de homojunção
dispoptic-2013
45
Campo de radiação de um diodo laser
dispoptic-2013
46
Diodo laser de heterojunção
Série de desvantagens
com diodos de
homojunções conduzem à
procura por outros tipos de
junções, neste caso
heterojunções. E.g. GaAs
com AlxGa1-xAs
dispoptic-2013
47
Efeitos quânticos nas junções
(a) Concentração de Al em função da profundidade na junção
(b) Variação correspondente no índice de refração
(c) Variação respectiva na banda proibida
dispoptic-2013
Laser de cavidade vertical de emissão superficial
dispoptic-2013 48
49
Diodo laser de emissão superficial (vertical cavity surface emitting laser)
dispoptic-2013
50
VCSEL
dispoptic-2013
51
VCSEL
(a) Metalic Reflector VCSEL
(b) Etched Well VCSEL
dispoptic-2013
52
VCSEL
http://britneyspears.ac/physics/vcsels/vcsels.htm
(d) Burried Regrowth VCSEL(c) Air Post VCSEL
dispoptic-2013
53
OLED´s
dispoptic-2013
54
Estrutura do OLED
dispoptic-2013
55
Componentes do OLED
1. Substrato: plástico ou vidro ou folha de mat transp.
2. plástico
dispoptic-2013
56
Oled
dispoptic-2013
57
Vantagens e desvantagens
Led vs OLED
• Maior ângulo de visão
• Alto brilho e contraste
• Não requer luz de fundo
• Fino
• Baixo consumo
dispoptic-2013
58
Tela LCD e OLED
dispoptic-2013