relatório 3 eletrônica 1

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  • 8/10/2019 Relatrio 3 Eletrnica 1

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    FUNDAO CENTRO DE ANLISE, PESQUISA E INOVAO TECNOLGICAFUCAPI

    CURSO DE ENGENHARIA DE COMPUTAO

    TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO

    MANAUS - AM2014

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    TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO

    Trabalho referente disciplina Eletnica 1 dcurso de Engenharia da Computao Funda

    Centro de Anlise, Pesquisa e Inovao

    Tecnolgica (Fucapi). Orientado pelo professorLuiz Eduardo Sales.

    MANAUS - AM

    2014

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    SUMRIO

    1. INTRODUO ..................................................................................................................

    2. MATERIAIS UTILIZADOS ..............................................................................................

    3. FUNDAMENTAO TERICA ......................................................................................

    3.1 PORTAS LGICAS ...........................................................................................................

    3.2 TABELA VERDADE .........................................................................................................

    3.3 PORTA LGICA INVERSORA ........................................................................................

    3.4 PORTA LGICA AND ......................................................................................................

    3.5 PORTA LGICA OR .........................................................................................................

    4. EXPERIMENTOS SIMULADOS ......................................................................................0

    4.1. EXPERIMENTO 1 .............................................................................................................

    4.2. EXPERIMENTO 2 .............................................................................................................

    4.3 EXPERIMENTO 3 .............................................................................................................

    5. CONCLUSO .....................................................................................................................

    6. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ..................................................................................

    7. ANEXOS (Roteiro com vistos / Calculos matemticos manuscritos) ................................

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    1. INTRODUO

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    2. MATERIAIS UTILIZADOS

    - Fonte de alimentao ajustada para 5V

    - Resistores- Multmetro - Protoboard

    -BC548

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    3. FUNDAMENTAO TERICA

    O Transstor Bipolar de Juno, TJB (BJT), um dispositivo Semicondutor, composto por

    Regies de Semicondutores dopados (Base, Coletor e Emissor), separadas por duas JuneA Juno p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tenso de Barreira (V0) de 0,6 V, que um parmetro importante do TJB (BJT). Contrariamente ao Transstor de Efeito de Campo, (FET), no qual a Corrente produzida apenas por um nico tipo de Portador de Cargas (Elou Lacunas), no TJB (BJT) a Corrente produzida por ambos os tipos de Portadores de C(Eltrons e Lacunas), da a origem do nome Bipolar (SEDRA, 2000).

    (http://www.academia.edu/)

    Existem dois Tipos de TBJ : npn e pnp. O Tipo npn consiste em duas Regies n separ por uma Regio p. O Tipo pnp consiste em duas Regies p separadas por uma Regio nFiguras 2 e 3 representam os seus respectivos smbolos esquemticos. A explicao segrefere-se ao TBJ npn, que utilizado nesta Demonstrao.

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    Figura 2 - Smbolo esquemtico de um TJB, npn (http://www.academia.edu/)

    Figura 3 - Smbolo esquemtico de um TJB, pnp (http://www.academia.edu/)

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    3.1 PONTO DE OPERAO

    O modo ativo aquele em que o transstor usado para funcionar como amplificador. aplicaes de comutao utilizam-se os modos de corte e de saturao.

    3.2 POLARIZAO DO TRANSISTOR

    Segundo (BOYLESTAD 2013) a polarizao se faz necessria para assegurar a polarizadireta base emissor, e a polarizao inversa da juno base coletor .

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    3.3 POLARIZAO FIXA

    O circuito de polarizao fixa configurao mais de polarizao CC do transistor.

    anlise CC o circuito pode ser isolado dos valores CA indicados pela substituio capacitorespor um circuito aberto (BOYLESTAD 2013).

    Circuito com polarizao Fixa (BOYLESTAD 2013)

    3.4 CONFIGURAO DE POLARIZAO DO EMISSOR

    O circuito de polarizao CC contm um resistor de emissor para melhorar o nve

    estabilidade da configurao com polarizao fixa(BOYLESTAD 2013).

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    Circuito de polarizao com resistor no emissor (BOYLESTAD 2013)

    3.5 POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO

    o segundo modo de melhorar a estabilidade do sistema evitando a dependncia beta(BOYLESTAD 2013).

    Polarizao por divisor de tenso (BOYLESTAD 2013)

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    3.6 CONFIGURAO COM REALIMENTAO DE COLETOR

    Uma melhoria na estabilidade do circuito pode ser obtido introduzindo uma realiment

    de coletor para a base, onde a sensibilidade a variaes do beta ou da temperatura costser menor do que aquela existente em configuraes anteriores (BOYLESTAD 2013).

    Circuito com polarizao CC com realimentao de tenso (BOYLESTAD 2013).

    3.7 CONFIGURAO BASE COMUM

    Configurao base-comum nica na medida em que o sinal aplicado ligadoterminal emissor e a base est no terra, onde no domnio CA ela tem uma impedncientrada muito baixa, uma impedncia de sada alta e um bom ganho.

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    Configurao base-comum (BOYLESTAD 2013)

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    4. EXPERIMENTOS SIMULADOS QUESTO 3

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    Vi para 10V

    FIGURA 1 A

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    FIGURA 1 B

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    5. CONCLUSO

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    REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

    6. ANEXOS

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