Transistores JFETs ANLISE PARA PEQUENOS SINAIS

Transistores JFETsANLISE PARA PEQUENOS SINAISANLISE AC JFET

NESTA ANLISE DE MODO ANLOGO A ANLISE AC PARA O TBJ, POSSUMOS UM PARMETRO QUE ASSOCIA OS SINAIS DC E AC A TRANSCONDUTNCIA

Transistores JFETsANLISE PARA PEQUENOS SINAISANLISE AC JFET

A RESISTNCI DINMICA r d OUTRO PARMETRO QUE COMPE O CIRCUITO AC, UMA RESISTNCIA UTILIZADA PARA MODELAR A IMPEDNCIA DE SADA DO TRANSISTOR

Transistores JFETsANLISE PARA PEQUENOS SINAISPARMETROS IMPORTANTESIMPEDNCIA DE ENTRADA ZiA IMPEDNCIA DE TODOS OS FETS DISPONVEIS COMERCIALMENTE SUFICIENTEMENTE ALTA PARA QUE POSSA CONSIDERAR O CIRCUITO ABERTO ENTRE OS TERMINAIS DE ENTRADAIMPEDNCIA DE ENTRADA ZoA IMPEDNCIA DE SADA DOS FETs POSSUI VALOR SIMILAR AO DA IMPEDNCIA DE SADA DOS TBJs GANHO DE TESO AV

Transistores JFETsANLISE PARA PEQUENOS SINAIS

CONFIGURAO PORTA COMUMMOSFET TIPO DEPLEOMOSFET TIPO INTENSIFICAOCONFIGURAO PORTA COMUM

O CIRCUITO ACIMA REPRESENTA UMA CONFIGURAO POTA COMUM COMPARVEL COM A CONFIGURAO BASE COMUM EMPREGADOS NOS TBJ

CIRCUITO EQUIVALENTE AC TEMOS AGORA A PRESENA DA FONTE CONTROLADA gmVgs A FONTE gmVgs CONECTADA DO DRENO PARA FONTE COM rdEM PARALELO

MOSFET TIPO DEPLEOA EQUAO DE SHOCKLEY APLICVEL TAMBM AO MOSFET TIPO DEPLEO LOGO A EQUAO gm A MESMA O MODELO EQUIVALENTE D-MOSFET EXATAMENTE IGUAL AO APLICADO NO JFET A NICA DIFERENA QUE VGS PODE SER POSITIVO EM DISPOSITIVOS DE CANAL N E NEGATIVO EM DISPOSITIVOS CANAL P RESULTANDO gm > gmo

MOSFET TIPO INTESIFICAOO MOSFET TIPO INTENSIFICAO POSER UM DISPOSITIVO DE CANAL N ( Nmos ) OU UM DISPOSITIVO DE CANAL P ( pMOS )