-NÃO SUPORTAM TENSÃO REVERSA.

-APRESENTAM BAIXO GANHO: 2 A 20.

-FAIXA: 1400V -400A

CONFIGURAÇÃO DARLINGTON: AUMENTA O GANHO (75 A 200), MAS

DIMINUI A VELOCIDADE E AUMENTA O VCEsat(2V A 5V).

- VCE sat DE 1V A 2V

MOSFET OU IGFET:

1-TIPOS: DEPLEÇÃO OU CANAL FECHADO

E ENRIQUECIMENTO OU CANAL ABERTO

2-ESTRUTURA INTERNA :

METAL OXIDE SEMICONDUTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR.

INSULATED GATE FET

CURVA CARACTERÍSTICA DO MOSFET DE DEPLEÇÃO CANAL N:

ASPECTOS IMPORTANTES:-JÁ EXISTE CORRENTE ID MESMO SEM TENSÃO NO

GATE.

-O SUBSTRATO É LIGADO À FONTE.

CURVA CARACTERÍSTICA DO MOSFET DE ENRIQUECIMENTO CANAL N

ASPECTOS IMPORTANTES:-SÓ COMEÇA CONDUZIR QUANDO A TENSÃO DE GATE

ATINGE O LIMIAR.

-APLICADOS NA CONFECÇÃO DE CI’s CMOS.

-FAIXA: 1000V- 200A - 25MHz.

-APRESENTA PERDA POR CAUSA DE RDS.

-O CANAL N É O MAIS USADO POR SER: MAIS BARATO E POR TER MAIOR

CONDUTIVIDADE.

- A TENSÃO LIMIAR VTh FICA NA FAIXA DE 2V A 4V.

-A TENSÃO VDS FICA NA ORDEM DE 4V.

-INSULATED BIPOLAR TRANSISTOR.

-CONDUCTIVITY MODULATED FIELD EFFECT TRANSISTOR.

-NÃO DISSIPA POTÊNCIA NO DISPARO PELO FATO DE NÃO ABSORVER CORRENTE ATRAVÉS

DO GATE. É DISPARADO POR TENSÃO.

-APRESENTA MENORES PERDAS QUANDO EM CONDUÇÃO.

CANAL N:

CANAL P:

FORMA DE DISPARO: QUANDO A TENSÃO VGE ULTRAPASSA O VGEth ( 2V A 5V). PARA

SATURAR VGE DEVE FICAR NA FAIXA DE 10V

FORMA DE CORTE: RETIRANDO A TENSÃO APLICADA ENTRE GATE E EMISSOR (VGE).

VGEth: 4,5V a 7,5V