física de superfícies
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Física de Superfícies. Edmar Avellar Soares Departamento de Física Universidade Federal de Minas Gerais. Vagner Eustáquio de Carvalho Edmar Avellar Soares Mário Viana (doutorado) Fábio Negreiros (doutorado) Wendell Simões (mestrado) Rosalina Marques (IC-8 ° ) - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
Física de Superfícies
Edmar Avellar Soares
Departamento de Física
Universidade Federal de Minas Gerais
Grupo de Superfície da UFMG
• Vagner Eustáquio de Carvalho• Edmar Avellar Soares• Mário Viana (doutorado)• Fábio Negreiros (doutorado)• Wendell Simões (mestrado)• Rosalina Marques (IC-8 °)• Diogo Duarte dos Reis (IC-8°) • Amanda Coimbra (IC-4°)
• Hans-Dieter Pfannes• Roberto Paniago• Guilherme Abreu (doutorado)• Gustavo Foscolo (Mestrado)• André “Badaia” (IC – 4º)• Daniel (IC – 8º)• Wolmar (Técnico)
CDTN - experimentalUFBA - teoriaUNICAMP - experimental e teoriaUFRGS – experimentalUSP – teoriaUFU - teoria
Infra-estrutura
Infra-estrutura
Infra-estrutura
Linhas Gerais de Pesquisa
• Estrutura eletrônica e geométrica de superfícies de óxidos e interfaces metal-óxido
• MnO sobre Ag(001) e Ag(111) (DFA-Unicamp, IF-UFBA)
• MgO e CoO sobre Ag(001) e Ag(111) (CEA-Grenoble, INFM-Italy)
• FeO e Fe3O4 sobre Ag(001) e Ag(111) (IF-UFBA)
• Cr3O4, -Cr2O3 sobre Pt(111) (DFA-Unicamp)
• ZrO2(110), ZrO2(111), -Al2O3(0001) e -Al2O3(1102)
• Formação de ligas superficiais metálicas e semicondutoras e superfícies vicinais
• Implementação do método BFS (Nasa Glenn Research Center)
• Ni sobre Pd(111)
• Sb sobre Ag(111), Ag(110), Ag(001) e Au(110) (IF-UFBA)
•In sobre Pt(111) (DFA-Unicamp, City University, Donostia)
• Nanopartículas metálicas (Ag, Cu, Pt, Pd, Ni, Au) e bi-metálicas (AgCu, AgAu, AgPt, etc) (Nasa Glenn Research Center)
•InSb(001): c(8x2), c(4x4)-Sb, c(4x4)-Pd (DFA-Unicamp, Warwick Universtiy)
•Ag(977) e Pt(533) e filmes metálicos e de óxidos sobre as mesmas (University of Munique)
Linhas Gerais de Pesquisa
• Métodos de busca globais aplicados à determinação estrutural de superfícies
• Simulated Annealing (IF-UFBA)
• Algoritmo Genético (IF-UFBA, City University, Donostia)
Linhas Gerais de Pesquisa
• Instrumentação
• Construção de um STM para UHV (CDTN-BH, rede nano)
• Construção de uma câmara de preparação
• Construção de uma câmara para experimentos de PED
Divisão do seminário
• Por que estudar superfícies sólidas ?• O que chamamos de superfície ?• Relaxações, reconstruçoes e nomeclatura• Rede Recíproca em 1D• Rede Recíproca em 2 e 3D• Aparato experimental• Algumas técnicas utilizadas em superfícies• Espectroscopia de elétrons: composição química e estrutura eletrônica• Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED)• Difração de Fotoelétrons (PED)• Difração de Raios-X rasante (GIXD)• Comparação entre as técnicas• Conclusão
Por que estudar Superfícies??
A interação de qualquer objeto com a sua vizinhaça se dá através de sua superfície!
Catálise
CO + 1/2 O2 -> CO2 (substrato: Rh)
Por que estudar Superfícies??
Catálise
Diameter (nm)
Act
ivity
CO + ½ O2 = CO2
Valden et al., Science 281 (1998) 1647
Por que estudar Superfícies??
Co on Pt(997) PbSe on Pb(1-x)EuxTe Au on N/Cu(001)
Co on Au(111)(22 x √3) Fe on 2ML of Cu on Pt(111)
Ge on Si(001)
Science, 416 (2002) 301 Science, 282 (1998) 734 Surf. Sci., 511 (2002) 183
PRB, 44 (1991) 10354 Nature, 394 (1998) 451Surf. Sci., 545 (2003) 211
Por que estudar Superfícies??
J.Phys: Condens. Matter 15 (2003) S3281-S3310
Por que estudar Superfícies??
O que definimos como superfície depende do problema a ser estudado
Uma monocamada
~ 0.1 nm
Cátalise heterogênia, controle da tensão superfícial, adsorção seletiva, sistemas eletroquímicos, sistemas biológicos, sensores.
Filmes finos
~ 0.1 - 100 nm
Controle tribológico, tratamento anti-reflexão
Poucas camadas
~ 0.1 – 10 m
Dispositivos semicondutores, endurecimento de superfícies, materiais para gravação ótica, filmes fotográficos
Camadas espessas
> 10 m
Tratamentos anti-corrosivos, fósforos, adesivos, materiais para gravação magnética
O que chamamos de superfície?
Por que as propriedades das superfícies sólidas se diferem das propriedades de volume?
Cercado por 3 Oxigênios
Cercado por 6 Oxigênios e 1 Alumínio
Relaxações, reconstruções e nomeclatura
Nomeclatura de superfícies Notação de Wood:S(hkl)(mn)R-A
Notação Matricial:
b1 = s11a1 + s12a2
b2 = s21a1 + s22a2
s11 s12
s21 s22S=
Relaxações, reconstruções e nomeclatura
fcc(100) fcc(110) fcc(111)
bcc(100) bcc(111)bcc(110)
Relaxações, reconstruções e nomeclatura
Relaxações em Metais
Relaxações, reconstruções e nomeclatura
Relaxações, reconstruções e nomeclatura
Unit Lattice1x1, c(2x2), 2x2 Reconstructions
Relaxações, reconstruções e nomeclatura
Unit Lattice 1x1, 2x2, (3x3)R30º Reconstructions
Relaxações, reconstruções e nomeclatura
Rede Recíproca em 1D
a
Espaço real ou direto – rede de bravais
Onda Plana eiKx onde K=2/
Para alguns valores de K, a onda plana terá a mesma periodicidade da rede de bravais
eiK(x+a) = eiKx
ou eiKa=1 (K=2/a)
O conjunto de vetores de onda K que produzem ondas planas com a mesma periodicidade de uma dada rede de Bravais é conhecido como rede recíproca.
Espaço recíproco – rede de Bravais
2/a
Rede Recíproca em 3D e 2D
Conjunto de vetores K com a mesma periodicidade:
A rede recíproca também é uma rede de Bravais:
Observemos primeiramente que: bi aj = 2ij
Podemos escrever K como uma combinação linear dos vetores b1, b2, b3 e R como combinação linear dos vetores a1, a2, a3
K=k1b1 + k2b2 + k3b3, R=n1a1 + n2a2 + n3a3
KR = 2(k1n1 + k2n2 + k3n3)= 2 inteiro
k1, k2, k3 são inteiros
21
1 2
2
a n
ga a
12
1 2
2
n a
ga a 3 0g n
3D:
2D:
(pontos)
(linhas)
Rede recíproca em 3D: composta de pontos distribuídos no espaçoRede recíproca em 2D: composta de linhas distribuídas no planoRede recíproca de um cristal real: superposição das duas redes
Real space Reciprocal space
Rede Recíproca em 3D e 2D
Aparato experimental
• um sistema de Ultra-Alto-Vácuo (UHV);• maneiras de limpar e preparar amostras in situ;• técnicas que nos permitam identificar a composição química da superfície;• técnicas que nos permitam determinar a localização dos átomos na superfície;• técnicas que nos permitam obter informações sobre a estrutura eletrônica da superfície em estudo.
O que é e por que usar UHV?
Vácuo em nossa vida (1atm=760 Torr; 1 Torr=1 mmHg):
• Respiração 740 Torr• Aspirador de pó 600 Torr• Sucção 300 Torr• Sucção de Mosquito 100 Torr• Tubo de Vácuo 10-5 Torr• Pressão na Lua 10-8 Torr• 1.000 km acima da Terra 10-10 Torr• 10.000 km acima da Terra 10-13 Torr} UHV
Aparato experimental
Para manter a superfície que se quer estudar livre de contaminações por um período de tempo suficientemente longo de modo que se possa realizar as experiências necessárias.
Atmosfera 1 ML em ~ 10-19 segundos.10-6 Torr 1 ML em ~ 1 segundo.10-10 Torr 1 ML em ~ 105 segundos (~27 horas).
Por que usar UHV ?
Aparato experimental
Limpeza:
• Bombardeamento da superfície com íons (em geral de gases nobres);
•Aquecimento da superfície por radiação ou bombardeamento de elétrons.
Aparato experimental
Preparo:
• adsorção de moléculas ou gases;
• deposição controlada de elementos químicos.
Aparato experimental
Algumas Técnicas Utilizadas em Superfícies
Técnica Estrutura geométrica
Composição química
Estrutura eletrônica
Propriedades vibracionais
Low Energy Electron Diffraction (LEED)
()
Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED)
Surface X-ray Diffraction (SXRD) ()X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)
()
Photoelectron Diffraction (PhD) () () ()Auger Electron Spectroscopy (AES)
Scanning Tunneling Microscopy (STM)
Atomic Force Microscopy (AFM) ()Low Energy Ion Scatterting (LEIS) ()
Algumas Técnicas Utilizadas em Superfícies
Por que elétrons?
Espectroscopia de elétrons
5
B Ne P Ca M n Zn Br Zr
10 15 20 25 30 35 40 Atom ic Num ber
E lem ental S ym bol
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Pro
bab
ility
Auger Electron Auger Electron EmissionEmission
X-ray Photon EmissionX-ray Photon Emission
Espectroscopia de elétrons
Espectroscopia de elétrons
XPS: KE = h - BE -
Espectroscopia de elétrons - XPS
1200 1000 800 600 400 200 0
6ML - FexMn100-x / Ag(100)
Fe42Mn58
Fe52Mn48
Fe65Mn35
Fe76Mn24 Fe
3s
Fe
and
Mn
3p1,
3p, 3
p 3
Ag
3p1
Ag
3p3
Ag
MN
1
Fe
LM4
Fe
LM2
Fe 2p1, 2p
3
Mn
2p1,
2p 3
Ag
3d3,
3d 5
Binding Energy [eV]
Espectroscopia de elétrons - XPS
Ondas de Matéria (de Broglie)
h=6.63 x 10-34 J s(Constante de Planck)
Bola de baseballm=0,15 kg, v=25 m/s=1,8x10-34 mElétronm=9,1x10-31 kg, v=6,0x106 m/s=1,2x10-10 m
Comprovação experimental: nascimento da difração de elétrons
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED)
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED)
1) Coleta das curvas I(V) experimentais;
2) Cálculo das curvas I(V) teóricas;
3) Comparação entre teoria e experiência utilizando-se a metodologia do fator-R.
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED)
Montagem experimental
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED)
E1
E2 > E1
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED)
sample
LEED spots
ReciprocalLattice Rods
eleci
2 pk
EwaldSphere
Incoming e-beam ik//
2 nk
a
Diffractede-beams fk
2
a
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED)
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED)
Padrão LEED de In depositado em diferentes quantidades, sobre uma superfície de Si(111)
Padrão LEED da superfície Si(111) 7 x 7
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED)
• Ag(111) – coeficiente de expansão da superfície
• Ag(111)(33)R30-Sb – “stacking fault” na superfície
-Al2O3(0001): evidência de um modo de vibração anarmônico na superfície
-Ga(001): transição de fase (11) (2 2 2)R45
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED)
Exemplos
-0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0-4
-2
0
2
4
6
8
10d
12(%
)
T/Tm
MEIS (1994) EAM-MD (1997) DFT-QHA (1999)
-0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0-4
-2
0
2
4
6
8
10d
12(%
)
T/Tm
MEIS (1994) EAM-MD (1997) DFT-QHA (1999) This work
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED): Ag(111)
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED): Ag(111)-Sb
Sbx
y
1 = 0.07Å
d12=2.46Å
d23=2.34Å
3 = 0.05Å
d34=2.42Å
y
z
-1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.50.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
RP f
acto
r
x (Å)
Em concordância com:
- difração de raios-x- cálculos ab initio (DFT)
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED): Ag(111)-Sb
AFM (1mx1m)
LEED 113eV
O
Al
[0001]
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED): -Al2O3(0001)
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED): -Al2O3(0001)
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED): -Al2O3(0001)
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED): -Al2O3(0001)
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED): -Ga(001)
Alta temperatura (250K)(1x1); E=90eV
Transição de fase em 230K Baixa temperatura (170K)
(22x2)R45o; E=85eV
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED): -Ga(001)
Inte
nsity
(a.
u.)
270260250240230220210200190180
Temperature (K)
Spot (0,1) = 0.077 Tc = 232.7 = 0.070 Tc = 231.9
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED): -Ga(001)
d12=(1.52±0.02) Å
d23=(2.38±0.03) Å
d34=(1.43±0.03) Å
d4bulk=(2.39±0.04)Å
R1 and R2 best fitR2=0.11; RP=0.22
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED): -Ga(001)
1 2
3
4
8
5
6
7
8
7
1
1
5
1
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED): -Ga(001)
Cristalografia convencional de superfícies via LEED
Um processo de tentativa e erro onde cada passo é dependente do ser humano.
estruturas complexas:• o tempo computacional escala com N3
• o grande volume do espaço de parâmetros a ser explorado.
Cristalografia moderna de superfícies via LEED
Utilização de algoritmos de minimização que permitem a otimização automática dos parâmetros estruturais.
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED): Otimização
LEED Chemical Identity Search: Ni(001)-(5x5)-Li
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 48 52 56 60
Generation
R-f
acto
rAverage
Minimum
1 1 1 1 1 1 2 2 2 1 1 1 2 2
1 1 1 1 1 1 2 2 2 1 1 2 2 2
2 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 1 2 2 2
1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2
Correct Solution: 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 Ni Li
Initia l S tructure
Initial tem perature To
1) Theoretical I(V) curves are calculated2) R-factor is evaluated
Temperatureis reduced
The move is accepted
The move is rejected
S top
A new structure israndomly selected:
X = X + dX
R(new) < R(old) ?
downhill move
uphill move
yes
yes
yes
no
no
noC ooling cycle ?
C onvergence ?
Metropolis Criterium
?T
R
er a n d
Futuro: Utilização de métodos de minimização global e computação paralela
0 100 200 300 4000.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
R P fac
tor
Number of Structures
• Simulated Annealing e Fast Simulated Annealing
• Algoritmo Genético
• Redes Neurais
Difração de Elétrons de Baixa Energia (LEED): Otimização
LP
[110]
W[110]q
k
RCP
LCP
k
kq
OW
side view
top view
Varredura em ânguloVarredura em energia
5 6 7 8 9 10 11 12
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
emissão normalCu(111) - 3p
=(I
-I
0)/I 0
wavenumber (Angstrom)-1
Difração de Fotoelétrons (PED)
Baixa energia cinética Alta energia cinética
Difração de Fotoelétrons (PED)
t descreve o espalhamento provocado pelo centro espalhadorG0
+ descreve a propagação antes e depois do espalhamento
t e-
00000 tGGG
vai direto ao observador
espalhado uma vez antes de atingir o observador
t2 t1e-
0020001000 GtGGtGG
002010001020 GtGtGGtGtG
...00102010 GtGtGtG
Difração de Fotoelétrons (PED): espalhamento múltiplo
),,(),([ 10)1(,00
10
)0(,00,
,
dlemitter m ll
dl
i
cl RRRGRRGemi if
cfl
f
2
, ),,(max kI nln ii
2
31210
)1(,,00 ]),,,,,(
max
n
ndn
nml RRRRRG
if
emissor R0
R1
R2
Rn-2
Rn-1
Rd
)(2
2
rVpAmc
e
m
pH
icll
cl pAimf
f
f
,, )( Regra de ouro de Fermi:lf - li=±1; mf - mi=0
Difração de Fotoelétrons (PED): espalhamento múltiplo
o bom: Cray T3E e alpha cluster
o mau: Sun – Enterprise
Difração de Fotoelétrons (PED): espalhamento múltiplo
O feio: nosso cluster de PC’s com linux
Estação de Superfícies na linha SGM/LNLS
Difração de Fotoelétrons (PED): aparato experimental
• Pd sobre Cu(111) – liga aleatória e difusão
• Quasi-cristal – sem periodicidade
• Ag(110)(2x2)-O – varredura em energia
• Mn, Fe, Co e Au sobre NiO/Ag(001)
Difração de Fotoelétrons (PED)
Exemplos
Pd/Cu(111) – Pd 3d (liga aleatória e difusão)
Difração de Fotoelétrons (PED): Pd sobre Cu(111)
Difração de Fotoelétrons (PED): Pd sobre Cu(111)
Theo.
Al 2p
Theo.
Pd 3d
Expt.
Al 2p
Expt.
Pd 3d
Difração de Fotoelétrons (PED): Quasi-cristal
Ag(110)(2x1)-O: O 1s
Difração de Fotoelétrons (PED): Ag(110)(2x1)-O
Difração de Fotoelétrons (PED): Mn,Fe, Co e Au sobre NiO/Ag(001)
Difração de Fotoelétrons (PED): Mn,Fe, Co e Au sobre NiO/Ag(001)
Antes de aquecer Após aquecimento
Difração de Fotoelétrons (PED): Mn,Fe, Co e Au sobre NiO/Ag(001)
i
h
k
l
Grazing incidence x-ray diffraction (GIXD)
Grazing incidence small angle x-ray scattering (GISAXS)
Dif. de raios-x em incidencia rasante (GIXD)
Surface science station at BM32Energy: 6.03GeV, Imax= 200 mA
Dif. de raios-x em incidencia rasante (GIXD): experimento
Average values:f = 3.14 %aCoO= 2.98 Åh = 0.032= aCoO/ h = 93Å
XPS
Dif. de raios-x em incidencia rasante (GIXD): CoO sobre Ag(001)
From the chemical point of view the Ni/CoO(001) interface appears to be sharp
Dif. de raios-x em incidencia rasante (GIXD): Ni sobre CoO/Ag(001)
Dif. de raios-x em incidencia rasante (GIXD): Ni sobre CoO/Ag(001)
Incident beam along the
[110] direction
5nm CoO(001) - RT 5nm CoO(001) + 1.8Å of Ni
Difference between the images d=2/q
2/=92Å
[110]
[100]
[010]
d
Dif. de raios-x em incidencia rasante (GIXD): Ni sobre CoO/Ag(001)
MgO sobre Fe(100)
Dif. de raios-x em incidencia rasante (GIXD): MgO/Fe(100)
2
L side of pyramid a fromintensity scatteredray -X
Lq
LqsinI
a
aaq
)reflection (400
59.60 5.431Å
58.94 5.489Å
58.29 5.545Å
57.63 5.602Å
2
Å35.1),2/2sin(2d
law sBragg'
o
o
o
o
d
Ge 5.646
Si 5.431Å
Dif. de raios-x em incidencia rasante (GIXD): Ge sobre Si
-0.09 -0.06 -0.03 0.00 0.03 0.06 0.09101
102
103
104
105
106
Latticeparameter
5.433 Å
5.445 Å
5.459 Å
5.472 Å
5.485 Å
X-r
ay in
ten
sity
[ar
b. u
nis
]
qangular
[Å-1]-0.09 -0.06 -0.03 0.00 0.03 0.06 0.09
101
102
103
104
105
106
107
108
Latticeparameter
5.433 Å
5.465 Å
5.485 Å
5.520 Å
5.554 Å
5.588 Å
X-r
ay in
ten
sity
[ar
b. u
nis
]
qangular
[Å-1]
Domes
Pyramids
2sin
L side of islandan fromintensity scatteredray -X
Lq
LqI
a
aaq
100
100
Dif. de raios-x em incidencia rasante (GIXD): Ge sobre Si
LEED• varredura em energia• feita em laboratórios
convencionais• rápida e eficiente• maioria das estruturas
determinadas• “barata”
PED• varredura angular ou
energia • laboratórios ou
Sincrotrons• experimentos longos• sensibilidade química• “cara”
GIXS• Sincrotrons• experimentos longos• análise teórica simples• não apresenta problema de
arregamento da amostra• “cara”
Comparação entre as técnicas estruturais
Microscopia de Varredura por Tunelamento (STM)
Microscopia de Varredura por Tunelamento (STM): primeira geração
Microscopia de Varredura por Tunelamento (STM): segunda geração
d: distância amostra-ponta: constante que depende da altura da barreira de pontecial
dt eI 2
Para funções trabalho entre 4eV e 5eV ~1Å-1
Aumento de 1Å na distância => em um aumento de aproximadamente uma ordem de magnitude na corrente de tunelamento!
Microscopia de Varredura por Tunelamento (STM): corrente de tunelamento
Modos de Medida
Clusters de In sobre Si(111)(7x7) Resuloção atômica: NaCl
A famosa Si(111)(7x7)
Átomo
Fe sobre Cu(111)
Carbon Monoxide Man
Carbon Monoxide on Platinum (111)
Iron on Copper (111)
• o estudo de superfícies é importante tanto do ponto de vista acadêmico tanto do tecnológico;
• apresenta uma física interessante;• é desafiador e divertido (pelo menos na
minha opinião).
Conclusão