fap5844 - técnicas de raios-x e de feixe iônico aplicados à análise de materiais
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Universidade de São Paulo Instituto de Física. FAP5844 - Técnicas de Raios-X e de feixe iônico aplicados à análise de materiais. Manfredo H. Tabacniks outubro 2006. OUTUBRO. NOVEMBRO. D x. Feixe de íons na matéria. Feixe de fótons na matéria. D x. Feixe de fótons na matéria. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
FAP5844 - Técnicas de Raios-X e de feixe iônico aplicados à análise de materiais
Manfredo H. Tabacniksoutubro 2006
Universidade de São PauloInstituto de Física
10/10 FI-1 Revisão: Interação de fótons (raios-X) com a matéria para análise elementar:Absorção e emissão de raios-X característicos.Interação de íons energéticos com a matéria: Poder de freamento, excitaçãoeletrônica, espalhamento elástico.
17/10 FI-2 Raios-X para análise elementar: Fundamentos dos métodos XRF e PIXE.Análise qualitativa e quantitativa elementar.
24/10 FI-3 Instrumentação, bases de dados e softwares para análise e simulação deespectros de raios X. Exemplos e exercícios.
23/10 (tarde)27/10 (tarde)
Laboratório PIXE no LAMFI
31/10 FI-4 Fundamentos da Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford, RBS.Análise e interpretação de espectros RBS
OUTUBRO
7/11 FI-5 Instrumentação, bases de dados e softwares para análise e simulação deespectros RBS. Exemplos e exercícios.
6/11 (tarde)10/11 (tarde)
Extra Laboratório RBS no LAMFI
14/11 FI-6 Aplicações avançadas: Difusão em filmes finos, rugosidade, filmesmulticamada e multielementares; análise PIXE de amostras espessas.Análises PIXE em feixe externo.
21/11 FI-7 Apresentação e discussão pública dos resultados das análises PIXE e RBS.28/11 FI-8 PROVA: Métodos de análise com feixes iônicos e com raios-X
NOVEMBRO
Feixe de fótons na matéria
Feixe de íons na matéria
x
xeNN .
0
cteE
cteN 0
xdxdEEE
0'
Feixe de fótons na matéria
Feixe de íons na matéria
x
xeNN .
0
cteE
cteN 0
xdxdEEE
0'
Feixe de fótons na matéria (Absorção e espalhamento)
I0(E)
Espalhamento incoerenteEEE 0
Espalhamento coerente
Raios-X característicosElétrons AugerFoto-elétrons
Efeito fotoelétrico
Absorção = + coer + incoer
Adaptado de Jenkins, Gould & Gedke. Quantitative X-ray Spectrometry. Marcel Dekker, 1981: 26
Espalhamento para Ex = 8046 eV (Cu-K) em carbono
cm2/g fraçãoEsp.Incoerente 0,133 0,029Esp.Coerente 0,231 0,051Esp. Total 0,364 0,081Fotoelétrico 4,15 0,919Total 4,51
Jenkins, Gould & Gedke. Quantitative X-ray Spectrometry. Marcel Dekker, 1981: 26
Feixe de fótons na matéria (Absorção e espalhamento)
E(keV)4.12)A( o
Efeito fotoelétrico, Espalhamento coerente‘elástico’
Espalhamento incoerente‘inelástico’
Espalhamento para Ex = 8046 eV (Cu-K) em carbono
cm2/g fraçãoEsp.Incoerente 0,133 0,029Esp.Coerente 0,231 0,051Esp. Total 0,364 0,081Fotoelétrico 4,15 0,919Total 4,51
Jenkins, Gould & Gedke. Quantitative X-ray Spectrometry. Marcel Dekker, 1981: 26
Feixe de fótons na matéria (Absorção e espalhamento)
E(keV)4.12)A( o
Qual a energia transferida ?
Qual a probabilidade do evento ?
Medindo a absorção de raios-X pela matéria
Tubo de raios-X
colimadores detector
monocromador
absorvedor
Leighton, Principles of Modern Physics, McGraw, 1959
Espalhamento elástico cte hE 4220
4
0 6 cme
Fração da radiação incidente espalhada por um único elétron.(Espalhamento de Thompson)
Leighton: 422, 428, 433
Efeito fotoelétrico ~ absorção total xeIxI .0)(
Espalhamento inelástico(Efeito Compton)
cos10
cm
h
λ'
'sen21'cos1'sen41
'sen21'cos1
2/1
2/1
2/1
2/122
42
22
220
rdd c
Fórmula de Klein-Nishina (1929)
Feixe de fótons na matéria (Absorção e espalhamento)
Absorção total
Leighton: 422
xeIxI .0)(
ba 3)( ANf /0
BZC Kf 340
BE
ZC
x
Kf 4
404.12
10 25.2 mC K
Feixe de fótons na matéria
xeNN .
0
cteE
Feixe de íons na matéria
x
cteN 0
xdxdEEE
0'
MeVAZZeMEs2
22
0
025,04
121
Carga efetiva
Ada
ptad
o de
Zie
gler
, 198
0
Nas
tasi
et a
l., 1
996
Íon neutro: vp = vK
prótons250 keV
( v/c = 0,023)
Poder de freamento (stopping power)
Stopping power cross section
Energy loss rate
dxdE
1
Feldman & Mayer, Fundamentals of surface and thin film analysis. North Holland, 1986 :42
AZE
ZH Z /
2
Bethe-Bloch
215 at/cm eV/10 60 eV/A 30 215 at/cm 10 2A
Alumínioo
Perda de energia
Freamentonuclearcolisões binárias repulsivas em campo Coulombiano parcialmente blindado
Freamento eletrônicoionizações e excitações eletrônicas.
1-2 MeV/u - IBA~2-20keV sputtering
~2 eV Physical Vapour Deposition PVD
Freamento eletrônico
2121
21 ln
)/( ZME
ZMEZ
dxdE
e
1,0
3/20 2.vv Z
Bethe-Bloch
05,0
01,0
20.vv Z
10 keV/u
1MeV/u
300 eV/u
Lindhard, Scharff e Schiöt (LSS)
2/1 k
dd
e
2/12
2/31
4/33/22
3/21
2/321
2/12
2/116/1
1 )()(0793.0
MMZZMMZZZkk L
I
mm
eZZedxdE
e
2
0
42
3/41
4 v2lnv.v
492,0
Andersen-Ziegler
Freamento nuclear
Bethe-Bloch (mM)
0,2 MeV/u
IM
MeZNZ
dxdE
n
2
22
422
21 v2ln
v4
0vv
36001
//
2
2 MmZ
dxdEdxdE
e
n
Intensidade do freamento de íons na matéria (na prática)
SRIM
Polinômios ZBL
TRIM
SR
11122,602)(
HLn SSAES
dbL EcEaS ..
Eh
Eg
EeS fH .ln
2//][ cmmgkeVS Ziegler, J.F., Biersack, JP., Littmark, U. The Stopping and Range of Ions in Solids. Vol. 1. Pergamon, NY, 1985.
Programa de simulação Monte Carlo para amostra complexas e multicamada
Programa ‘rápido’ para cálculo de S e R usando polinômios ZBL
www.srim.org
RADIAÇÃO DE FREAMENTOELÉTRON SECUNDÁRIO Ee>100eV
TRAÇO SECUNDÁRIOEp>5000eV
PROJÉTILIÔNICO
TRAÇO SECUNDÁRIO Ep< 5keV
COLUNA IONIZADA TRAÇO PRIMÁRIO
ÁTOMOde RECUO
Par e-íonE* ~30eV
~2 nm
“Bolha” de elétrons secundários 10-100eV
Adaptado de Choppin, Liljenzin e Rydberg,
Radiochemistry and Nuclear Chemistry, 2002.
Principais processos de freamento...
RADIAÇÃO DE FREAMENTOELÉTRON SECUNDÁRIO Ee>100eV
TRAÇO SECUNDÁRIOEp>5000eV
PROJÉTILIÔNICO
TRAÇO SECUNDÁRIO Ep< 5keV
COLUNA IONIZADA TRAÇO PRIMÁRIO
ÁTOMOde RECUO
Par e-íonE* ~30eV
~2 nm
“Bolha” de elétrons secundários 10-100eV
Adaptado de Choppin, Liljenzin e Rydberg,
Radiochemistry and Nuclear Chemistry, 2002.
... e seu uso na análise de materiais
FRSRBS
PIXE
RADIAÇÃO DE FREAMENTO
Os raios-x e a Lei de Moseley
Principais transições de dipolo para raios-X
O analisador multicanal
canal (energia)
contagens
Jenkins, Gould & Gedke. Quantitative X-ray Spectrometry. Marcel Dekker, 1981: 164
Principais linhas de raios-X
.
Canal
Um espectro “real”
Espalhamento elástico
2
21
21
2/122211
1 )(1cossen1
MM
MMMMEEK
o
22
12
12180
11
xx
MMMMKM
221
211801
1802 )(
4MMMMEEEE oo
E1, Z1, M1
E2, Z2, M2
)2(
14
, 4
2221
senEeZZE
dd
c
Seção de choque no CM
2
12
2
1
2
21
2
2
1
4
2221
1
cos1
44
,
senMM
senMM
senEeZZE
dd
Seção de choque no laboratório
Interação de íons com a matéria - MeV
Feixeincidente(MeV/u.m.a.)
Feixetransmitido
núcleos de recuo(ERDA)
raios (PIGE)
raios X(PIXE)
luz
íons espalhados
íons retro-espalhados(RBS)
elétrons secundários
elétronssecundários
amostra
Interação de íons com a matéria - keV
Sputtering“desbaste atômico”
Tecnicas analíticas
ME o
MERDAElastic Recoil Detection Analysis
X ray
H+
PIXEParticle Induced X ray Emission
ray
H+
PIGEParticle Induced Gamma ray Emission
RBSRutherford Backscattering Spectrometry
M Eo
E'M
métodos analíticosRBS Rutherford Backscattering
SpectrometryERDA Elastic Recoil Detection
Analysis
• alta sensibilidade: < 1014 Au/cm2
• absoluto: não necessita calibração• perfil em profundidade ( x ~ 100Å)• rápido: 10-20 min• sensível à topografia (tese Dr.)
PIXE Particle Induced X ray EmissionPIGE Particle Induced Gamma ray
Emission
• alta sensibilidade: ppm (ou 1014 at/cm2)• Z > 11 • necessita calibração• rápido : 10-20 min
medir todos os elementos da tabela periódoca
AMS Accelerator Mass Spectrometry
• hiper alta sensibilidade: 1: 1014 • composição isotópica • absoluto: não necessita calibração
Feixe externo para amostras especiais
SIMS Secondary Ion Mass Spectrometry
• feixe 16O, 20 keV, 3µm• altíssima sensibilidade: 1012 at/cm2 • todos elementos da tabela periódica• mapa elementar• imagem por elétrons retroespalhados• semiquantitativo• perfil em profundidade (x ~ 10 Å)
AMS-2 Accelerator Mass SpectrometryInstalação de um espectrômetro de massa no implantador de íons de 300kV.Sensibilidade prevista 1010 at/cm2.(em projeto de viabilidade)
www.if.usp.br/lamfi/tutoriais.htm
Tutorial 1. Análise de filmes finos por PIXE e RBS