Transcript

"ESTUDO DE PROCESSOS DE 'TRi\NS-

PORTE EM MATERIAISUNI-DIMENSIO

NAIS" .

Angela Antonia Sanches Tardivo

Delben

Dissertação apn~sent~ada ao Insti tuto

de Física e Química de são Carlos

para obtenção do Título de Mestre em

Física Aplicada.

Orientador:Prof.Dr.Guilherme F.Leal Ferreira

Departamento de Física e Ciência dos Materiais

são Carlos - 1984

BIBliOTECA DO INSTITUTO DE F1SICA E QUIMICA DE SÀO CARlOS • USP tF \ S I C A

MEMBROS DA COMISSAO JULGADORA DA OT'))[PTACAO DE MESTRADO DE

ANGELA ANTONIA SANCHES TARDIVO DELBEN

APRESENTADA AO INSTITUTO DE FrSICA E nuIMICA DE SAO CARLJS, DA

UNIVERSIDADE DE SAO PAULO, EM 24 f1(~ FEVEREIRO

COMISSAO JULGADORA:

./

("'-, .~I__/' //~.~.c/'! L~'?-'v"',. ;- /\

I \ ~~ L·' Q

Dr. GUILHERME F.LEAL FERREIRA - Oril~nlador

____._..._l~L'~_~C ~c "_.~ ..._-_-_...'- .'n'-····\/ --------.-Dr. OSCAR HIP{)LIT(J

; I S 1 C A

" ."~ t.ii:": _ ~. : ~ 'L-,,'.\00'...) 1!'Il!;')ii-i'T'\ ,- -_._-,-.-,---

, IL"".' ,,,:.. ';: t. (/JI!V'.::A ~:,-~. :',~"

Ao José Renato,

ao Francis co

e aos meus pais.

AGRADECIMEN'ros

Ao Prof. Guilherme Fontes L\~al Ferreira, por toda urien

tação que recebi.

À Mariangela Tassinari de Figueiredo pelos di verso~) au-

xí lios .

T~'balhorealj.zado com auxí lio financeiro do CNPq e CAPES.

:!ND;I:CE

Lista de Figura >.

I

Res uma •.............•.................... ~ " I I I

IV

13

6

10

13

Abstract

Capítulo

Capítulo

I - I NTRODUÇÃO >•••••••••••••••••,

11 - FUNDAMENTOSTEC5RICOS............••........

2.1 - Tempo de Captura em Uma Dimensão .

2.2 - Campo CrItico ...............•............

2.3·- Saturação das Armadilhas .

2.4 - Cristal l-D de Espessura Reduzida com T,:) -

das as Armadilhas Preenchidas 15

3.~.2

3.3.1.2

3.4

3.4.1

3.1

3.2

3.3

111 - ESTADO ESTACIONÂRIO COM CORRENTE LH11'I'AD!1..

POR CARGAESPACIAL , 17

- Considerações Gerais 17

- -. 18- Equaçoes BaSlcas .

- Material Uni-Dimen~ional em Campo Maior que

o Críti co 19

- 21- Obtençao da Caracterlstlca ............•...

- Característica VOltagem-Corrente Pelo Mét.~

do da Aproximação Hegional 24

- Saturação da Corrente l-D Num Campo Maior

C ... 31que o rl tlCO .

- Material 1-]) Num Campo Próximo ao Crítico. 31

- Determinação das DL,tribuições de Carga e

d 1- . 32o Campo E etrlco ...........•............

- Obtenção da Característica Voltagem-Corre~

te 3 4

3.3.1

3.3.1.1

Capítulo

capitulo IV - ESTADO TRANSIENTE - ISOLANTE CARREGADOPOR

DESCARGA CORONA 41

4.1 - Equações Básicas, Condições Iniciais e de

Contorno . 42

4.2 - Obtenção dqs Equa\:õc:') Ca,racteJ:;"rst;icas.... 45·

4.3 Potencial Residual culÚ Injeçao Total

Cargas •......................... o •••••••48

4.3.1 - Discussão e Compa t·a(?iode Resultados .... 51

4.4 - Decaimento do PotencLal no Caso de Inje -'

ção Parcial de Carg(j~)

4.4.1 - Potencial Superfi cial até o Tempo de Tái!.!

sito da Frente de Cargas .

4.4.2 - Potencial Superficial entre o Tempo de

Trânsi to da Frente de Cargas e o da Trasci

54

55

Capítulo

ra de Cargas 59

4.4.3 - Potencial Superficial Após o Tempo lle

Trânsito da Traseira de Cargas 61

4.4.4 - Decaimento do Potencial Superficial ..... 63

v - OUTROS RESULTADOS GEEAIS 65

5.1 - Variação do Potencial Devido ã Injeção de

S.:!..l

Uma Dada Quantidade de Carga

- d (L\Q)- Calculo de -dt

65

66

capítulo

5.2 - Efeito de M~ltiplas Descargas Coronas no

Caso de Injeçâo Total 70

5.3 - A Carga Total e o Primeiro Momento da Dis

~ribuição a Partir de Injeçâo em Circuito

Fe ch a do ....•..............•.•.••••••••.. 7 3

5.3.1 - Obtençâo do Centr6ide de Cargas. "0 •••••• 76

VI - CCDNCLUSÕES 77

REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS o ••••• o ••••••••• 79

-;

I

LISTA DE FIGURZ\S

3

3

4

7

Figura

Figura

Figura

FiCjura

Figura

Figura

Figura

Figura

Figura

, . a

l.b

2

3

4

5

6

7

8

Representaç~o de material 3D

Representaç~o de material 10

Volume unit~rio do material lD

Correntes transientes'em ferrantreno - PMDA

Correntes transientes para dielétrico i:leal 1

com armadilhas ra:3as e com armadilhas pl~ofun-

das. 8

Tempo de captura em função do campo 9

Esquema de mfiltipla ocupação da armadilha na

cadeia 10 14

Material lD de espessura reduzida 16

CaracterIstica voltagem-corrente 10, calupo ma

23

26

30

Potencial residual em função da densidade de

ior que o critico.

Esquema das regi6es de predominio das car

gas livres ou das presas no dielétrico

Caracteristica voltagem-corrente em OCH

Caracteristica voltagem corrente, no entor

no do campo critico

Baixo coeficiente de difusão 35

~lto coeficiente de difusão 36

9

ll.a

ll.b

12

10

11

Figura

Figura

F7gura

Figura

Figura

Figura

armadilhas na cadeia lD 49

Figura 13 Potencial residual em função do tempo de cap-

Figura

Figura

Figura

14

15

16

tura convencional

Dielétrico carregado por corona, O ~ t

Oielétrico carregado por corona tf ~ tDielétrico carregado por corona tt ~ t

Fi,gura

Figura

Figura

Figura

Figura

;1.,7

18

19

20

21

11

potenc;La,lre~;L.duÇl.lem fu.nçâo dÇ3,fra,ç~Q de '::argas

que entra 63

Potencial superficial em funçâo do tempo 64

Elemento de carga 65

Potencial residual apÓs n descargas corona 72

Dielétrico em circuito fechado 73

111

RESUMO

Estudos recentes em materiais uni--dimensionais indi caram

a necessidade de alterações na equaç2ic dd dinâmica de captur '1 de

portadores por armadilhas. As experiências de Haarer e ~hwa:_d em

fenantreno - PMDAmostraram que o tempo de captura das armadilhas

decai linearmente com o campo elétrico, a partir de um campo crI­

tico. Neste caso podemos admitir a subst1tuição da fórmula clássi

ca do tempu de captura pela razão entre a. distância entre as arma

dilhas e a velocidade do portador sob açÚo do campo elétrico. A

velocidade do portador devido ao campo é dada pelo produto da mo­

bilid~de do portador pelo campo elétrico.

Assim, a equação de balanço de cargas nas armadilha:; fi­

ca alterada pelo aparecimento explicito do campo elétrico, ocasi

onando mudanças no próprio processo de transporte.

Neste trabalho, tentou-se encont.rar o comportamento de

materiais uni-dimensionais, na região de campo de ocorrência des­

te fenômeno e em suas proximidades, estudando-se a característica

voltagem-corrente, bem como alguns processos transientes de ·trata

mento analítico a~eno.

IV

ABSTRAC'L'

Recent studies in one .•..dimE'r!~;ional systems show tLat the

trapping equations must be changed .f<aarer and Mahwald expel'iments

on Phenanthrene - PMDA showed that the trapping time decéYs li­

nearly with the electric field, from a. critical field an. rrhere

fore we can assume that one should sl.lbstitute the classicê:l for­

mula of the trapping time by the ratJo between the intertrap dis

tance and the drift velocity. The drift VEdocity is given by the

product of the carrier mobility by, the field.

Thus the equation of carrie 1 "trapping becomes moái fied

by the explicit dependence on the fiE'ld that leads to chanqes in

the transport itself.

In this work we tried to find the response of a Ild.t.e

rial in which such behaviour is observcd, by studying the current

voltage characteristic, and also some transient processes amena­

ble to analytical treatment.

1

INTRODUÇJ\U

Tem sido crescente o inten::;;:;c pc:loEi fenômenos de t:rans~

porte em illater~ais uni-dimensionais ll-D) desde a obtenç~o de mo~

nocristais de pol!meros cristalinos com grandes dimensões, os

polidiacetilenos (;PDA). Estes se constituem de cadeias de carbono

com grupos R acoplados e sua forma sj_mplificada é C= RC ~ C

c ~ RC =ln r onde existem diversas possibilidades para o radicalF:.

Estas unidades moleculares básicas se ligam ao longo de UffiÚ dire­

ção formando cadeias paralelas bastante afa,:;tadas (7,5 a 1.l,5~

no cristal, de forma a ser provável fcaca interação entre dS ca -

deias. Na realidade, há forte superpo:3ição de funções de onda at8

mica ao longo da cadeia, gerando li9aqoes covalentes, e uma fraca

superposiçao perpendicular à cadeia, originando ligações do tipo

de Van der V'laals. Uma vez que a anisotropia do acoplamento eletrª

nico surge de diferenças qualit.ati vas nas ligações químicm; segun

do as diversas direcões, ela é acent.ué1damente maior que a manifes, -tada nos cristais moleculares usualmente estudados e o aspecto un!

dimensional das propriedades elétricas do material fica então e ~

videnciado (a mobi lidade, por exemplo, ao longo da cadeia é da

ordem de U../3vezes maior que perpendicularmente). Na prática é es

t.e o material que mais se aproxima do 10.

Diversas pesquisas têem sido feitas e verificam-se con ~

tradiçôes tanto em medidas realizadas, quando na interpret_açao dos

resultados obtidos, onde a principal dificuldade está na adapta ~

ção das equações tri-dimensionais (3D) para o sistema uni-dimen ­

sional (l-D), pois existe diferença Cjualit.ativa e não apenas geo­

métrica no comportamento de parâmetros de transporte básicos. Al­

guns autoresC1(2)discutem as diferenças de comportamento entre os

dois sistemas e incluem uma variedade de Ias. Não achamos que to -

2

a"s esta,s estej arn cQmprovad~~ f razôo pe la qual só as n}als ;i mportan.•.....

tes serao levadas em conta neste trabalho. Isto será feito no capf

tulo J:J:, onde trataremos de algumas TIlllda,nçasacarretada.s f?E la uni-

dimensi.onalidade que apresentem compl'ova.çãoexperimental Oll que de, ,,-

rivem espontaneamente da limitação dé, condutivídade a uma, lln:Lca,di

reção (material lD ideal, do qual tréci:aremos)•

Levamos as alterações aceité.~;em conta nas equa(~ÕES de

transporte, através de correções na equa.ção de balanço de cargas

presas, possib;i:.litandoestudos de processos de transporte (OS ma ...

teriais ID.

No capItulo :UI estuda-se a coerent.e limitada por carga

espacial, sob influência de um nível de armadilhas rasas I [O reg;t-

me estacionaria.

No capítulo IV estuda-se o ]:)(Jt.c~ncialsuperf,icial como fun.•.....

ção do tempo em amostras carregadas por descarga carona, err circui

to aberto, na presença de uma variedade de armadilhas profundas.

No capítulo V, ainda cons iderando-se apenas armadi lhas p~

fundas, ortivemos equações gerais relacionando a carga que pas

sa por dada posição e a densidade de cargas que aí fica p.ccc,a,com

a carga que deixa a superfície de injeçiio. Este resultado pode ser

aplicado mesmo a circuito fechado, de onde é possível correlacio -

nar a carga total presente na amostra e o centróide de cargas.

Não temos notícias de outro trabalho onde sej am fei

tos os cálculos do capítulo 111, IV e V para os materiais ora con-

siderados.

3

FUNDAMENTOS TEOm: COS

Adotaremos como modelo de movimento do portador (J de

transporte por pulos numa rede cút·j.cade parâmetro aI cor, o li -

vre caminho médio sendo equivalente d um parâmetro de I"edt, e o

transporte feito por portadores positivos. Os resultados l,erão i-

gualmente válidos para elétrons levando-se em conta a car(fa nega-

tiva.

As armadilhas presentes no fla::erialserao consiÓEéradas

neutras I monoenergéticas e uniformenlE;nte distribuídas ns. ,ostra.

Supomos material perfeitamEnte lD.

Nas comparações que faremos, consideraremos dois mate

riais de igual pureza! sendo o lD obtido a partir do 3D! Eliminan

do-se a condução em duas das direç6Es, como representado a seguic

0 __ 0.--.---- c - __ ..• ('

t- __C - () -- (; --.-_u(I(

LJ---c - ""i --------~

- c --_ Ci --('

o--u--_ c __

FIG.l - a) Representação do material 3D.

b) Representação do material lD, de pureza igual à do 3D.

oo

denota armadilhas

denota sItio do cristal permitido ao portador.

4

Sendo w~ ~ separação entre dUa~i arm~dilhAS consecltivas

em 3D, a densidade volum~trica de armadilhas no material serfi:

1w'3

3

e sendo wi, a separação entre as armadilhas ao longo da cad(da lD,

a densidade de armadilhas nesta será:

N'lt

= 1W'1

Suponhamos um volume unitário do material, com par iirnetro

de rede a, conforme esquematizado na Figura 2.

FIG. 2 - Volume unitãrio do material, com linhas verticais deno -

tando as cadeias lD, as cruzes os pontos em que estas li-

rihasatravessam a face superior.

Para determinarmos o nUmero de linhas que atravessam a

ãrea superior e razoãvel dividirmo-Ia neLa área determinada en-

5

tre caqe~as adjace~tes;

N9 de cadeias1

:::: ~2a

a densidade de armadilhas na cadeia Nit' ser& a razâo entre N~t '

densidade de armadilhas no volume, e o nÜmero de cadeia do \101u -

me, portanto:

=

e a relação entre as separações das armadilhas em urna e tri?; di -

- "mensoes sera:

2w' a1 ,

corno

de 1

w' »3

armar

a (a concentração tlpica para os polidiacetilenos e

ha para 106 unidades celulares) teremos, obrigatoria-

mente, wi > > w3, ou sej a o espaçamento entre as armadilhas (~ma ­

ior em uma dimensão.

Tal fato se evidencia na Figura 1 onde mostramos que em

três dimensões um portador pode saltar para sItios de linhas adj5!

centes, podendo encontrar uma armadilha a menor distância do que

se deslocando apenas na cadeia l-Do

Até aqui as diferenças entre os dois sistemas fOraJ1.1 de

ordem geométrica. Doravante, porém, trataremos de aIteraçõe~; radi

cais na natureza de parâmetros que caracterizam a condução 3D e

lD.

6

2.1 - Tempo de Captura em Uma-Dimen:3:iO

A fórmula para o tempo T' d·.:~ captura de um portad:>r li .-

vre se des locando por saltos em um mate ri.al 3-D é dada por::

1 = N' 2t' 3t a vt ( 1)

onde se vê que o tempo de captura varia inversamente com a concen

tração de armadilhas por volume unitário N3t ' com o parâJni:~tro de

rede af e com a velocidade térmica do portador Vt=a v (v É~ a fre

quência de saLtosl. Desta forma, o tempo de captura ê uma consta!!

te .para detenninado material tri-dirrensional (3D) a dada temperatura.

Entretanto, as medidas realLzadas por Haarer e ~hwélld (3~

em um material aproximadamente uni-dimensional (l-D) mostraram que

o tempo T I de captura é função do campo elétrico. A Figura 3 mos-

tra os rE ~lltados que obtiveram na medida da corrente transien

te ao longo e perpendicularmente à cadeia l-D~

A injeção foi feita de forma a serem evi tados efeitos de

carga espacial.

Para facilitar a anâlise das curvas da Fig. 3 vej amos ag

tes os efeitos de armadilhas, uniformemente distribuídas, sobre a

corrente.

Num sistema ideal sem armadilhas, a corrente seria. cons-

tante entre o inicio da injeção em tr=O e o instante t~ em que as

cargas atingem o eletrodo. Define-se o tempo de trânsito t=t~ dos

portadores como :

t't = LjJE'

(21

7

..01 \"---I (a)H (1j t' (:nsEg)

•..o.~

O,~1,2

c:

::~ (b)2.00

~oo1Mt'l \IS,:~g)

,..~-.I \:- ....,'-\ " ' .

H I \\~ ~-,

I \ \ '\ '--I.!> ' \\ \'

O'' \ 'li.-J :1 \ \ 111 \

\

P Iv \ ' \!L_ I 11'1 \ \

o ,.L+L ..\ \~oo

\

t'( useg)

FIG. 3 - Correntes transientes em mono-cristais de fenan-

treno-PMDA (a) perpendicular e (b) paralela à c~

deia l-Do A temperaturd foi de 3550K iL ::::;1,2rnm

voltagens aplicadas: lOOOV (curva I), 2500V (cur

va 11), lOOOV (curva 111), 1500V (curva IV)

2500V (curva V). (c) Resumo de (a) e (b) em esca

Ia monolog.

onde L é o comprimento da amostra, ]J ê a mobilidade dos portadores

e E' o campo elétrico.

Se tivéssemos armadilhas rasas capturando e soltando os

portadores, aindà assim teríamos uma corrente constante, menor que

a do caso sem armadilhas, até o tempo de trânsito:

= L)lefEI

( 3)

onde )lef = 8)l e 8 .::::1 é a raz ão entre os portadores livres E' o to-

1 d d (4 ) -ta e porta ores presentes na amostra . Neste caso e como se to

8

dos os portadores participassem do prccesso de condução C'l.iln a mobi

lidade reduzida por um fator G e, cunsequentemente, com o tempo de

trânsito aumentado pelo mesmo fator.

No caso de serem armadilha.~:, profundas que captu:clm os po!.

tadores 1 não há mudança na mobilida.c12 dos portadores, nem no tempo

de trânsito, porém a concentração dc~ portadores que parti>::iparn da

conduçãl i alterada, pois os portadores capturados não es ::apam das

armadilhas 1 e decai exponencialmente com o tempo, sendo p' a densi-

dade volumétrica de cargas livres, teremos:

P I (t) ( 4)

onde p' é a densidade volumétrica lJerada pelo pulso luminoso emo

~= 0, suposta uniforme em todo o material,T' o tempo de captu

ra pelas armadilhas.

As formas das correntes transientes para os três ca

sos(5) são mostradas a seguir:

_,- 1'- - ..-,

'-

__ m_·~ _.~._;;.. .•

'-,111-

1. ..

iI

-_.--~tiRT

-)­

ti

FIG. 4 - Correntes transientes: Curva I - isolante sem ar

madilhas . Curva 11 - isolante com armadi lhas ra-

sas atuantes. Curva IIr - isolante com armadi

lhas profundas atuantes.

9

Pela semelhança das curvas da l~iq. 3.a e 3.b com a cur

va 111 da Fig.4 é de se concluir que o (lU;; estej a influindo no

transporte sejam as armadilhas profunda;;. SE::ndoa densidad,:! (k: con

dução / desprezando-se a corrente de di 1'115 30, dada por:

I'(x'/t) = J.lp'(x',t)E'(x',t') (5 )

se considerJ.rmos o efeito da captura por armadilhas profunda:::, com

p' dado pela equação (4)/ e o campo E' aplicado sendo constant.e,t§.

remos a corrente:

I I (t') =t'

pE I P ~ exp (- T')

ou log I I (t') = log (pE I P I) -ot'

TI(6)

e temos que, num gráfico de log II versus t~ a inclinação é dada

por uma constante TI. ~ o que se verifica na Fig. 3.c para as cur-

v~s I e XL. rarem pÀra as curvas 111, IV, e V, onde ~ corrente é

me di.da aO longo l.a cadeia l-D, nota-se que a inclinaça.o das cur-

vas, e portanto TI , é alterada pelo campo.

Reproduzimos na Fig.S os resultados destes autores para

TI sob diversos cam~os. Observa-se que, a partir de certo campo,

"" .o·...

-~F ~.( 10 - V/ cm)

FIG. S - Tempo de captura de eL6trons como função do cam

po aplicado, log x lo~;.

10

o decaimento de T' é linear com o c.Jmpo I ao longo da cade ia.

o te.IIll:?0T~ que um portador (}.::carga gasta para pe (COrre);'

lUisob ação do campo e, consequentem,:nte I ser capturado é:

T IC

=

=

lU'

_1l1ET

(Nit~E,)-l = (N I 2 --i3ta pEI)(7 )

onde ~E' é a velocidade de arrastamento.

Esta é a expressão que nos dá o tempo de captura em uma

dimensão, desde que tenhamos um campu maior que o campo críLi

co E' , que discutiremos a seguir.c

2.2 - Campo Crítico

Consideremos o portador em movimento ao longo di" l'adeia

l-D.

o tempo Td que ele gastaria para vencer a separaçao en ­

tre duas armadilhas por difusão, relaciona-se com wi da seguin

te forma:

W I = I 2D' T I I1 d

w' 2 = 2D I T I1 d

T'dw,2

= 12D'

(8 )

onde DI é o coeficiente de difusão. Pdra ba.ixos ca.mpos o tem

po de captura e dado por esta expre:ô;s<10.

11

Ex;.i.stiria uma regiao, em tun () do campo crític; I I~I, onc '

de o tempo de cé1ptura por difusao (; o de captura por i,Irai tamen ...

to pelo campo são da mesma ordem. N('stél regiã.o de transiç:io te ...

rIamos:

II ­1 .l+

T'C

1l'dN' ].lE' + 2DN'2lt lt ( 9 )

com o campo limite para ocorrência d(~ste fato, derivado da condi,çao L' = Ld' , dado por E' = 2D'NJt. A relação de Einstein nosc c ~

KT 1"1' 2 KTfornece D' = .l:!- e portanto E' = 2 -':--N I == - - • Para os poli

e c e 1t wi e -diacetilenos podemos considerar que o espaçamento entre ill; arma-

dilhas é de aproximadamente O,Smm(l) e portanto E' = I V/em.c

Para um campo bem menor que E~, teremos Ld < < L t~ e con-

sequentemente L' ~ Ld, sendo a difusão o fen~meno determinanteda

captura. Não é de nosso interesse discutir tal caso neste traba-

lho.

Para o campo bem maior que E' verifica-se a condiçãoc

T~ « Ld e L' será dado pela expressão (7), com a captura deter-

minada pelo arrastamento do portador pelo campo, ou seja,

o material I-D existem as regiões onde

para

'N'21., = 2D ltL , se S' < E'c i

2D'N,2 + N' }lEIlt lt , se Si EJC

N' )lE'lt , se S' > EJC

Comparemos estes resultado~; com o caso 3-D, com o tempo

12

de captura, expresso pela equaçào (1)

=

==a

3w'1

=

+

a3w' 1

uE'

Vt

se E' <: E'c

se E' ~ E IC

se E' > E'c

6D' (3)onde usou-se vt=a- . I.enbrando que

, '> ' ,

li!1 ,,> 0) 3 » a, como discutido

no item anterior, e que vt » lJE', resulta que o tempo de capt~

ra em uma dimensão, sob qualquer campo, é maior que o tempo de

captura tri-dimensional, justamente pelo espaçamento entre as ar

madilhas ser ma;or em uma dimensão.

Após estas regiões de campo, Wilson(l) ainda considera

a existência de outra, onde a velocidade de arrastamento satura

e se iguala â velocidade térmica do portador. Nesta região ote~

po de captura seria determinado pela velocidade térmica. Nãodi~

cutiremos este fenômeno, consideraremos não haver saturação da

velocidade de arrastamento .do portador pelo campo.

de processos que envolvam captura de portadores por armadilhas é

S hub (5) d' ~ .' ~d' .d do c weg " lstancla me la percorrl a por um porta or antes de

ser capturado, definido pela relação:

Para campos maiores que o crítico em uma dimensão tere -

mos o SchuJ:>weg

13

constante, devido ao fato do tempo de ca.pt ura variar com o inver-

so do campo.

Em três dimensões, obteremos sc~rnpre:

=

e portanto, S3D depende do campo.

Assim, verificamos que em urna dimensão um portador per -

corre uma distância constante e é capturado num tempo depend(;n

te do campo; enquanto que em três dimen~3õ2s o portador é captura-

do num tempo const nte, após percorrer uma distância que é função

do campo.

2.3 - Saturação das Armadilhas

A equação que descreve a varia(;ao de cargas captura

das, num material 3-D é:

,-ª..2.:t:. ( x' , t')

Cltp (Xl ,t') (1 _

= -TIP I (x I t')t '---·êN'~)

3t- k P ~ Lx' ,t') (11)

onde p~ ê a concentração de cargas nas anlladilha.spor volume u'"~

nit~rio e k é a probabilidade de um portador capturado se liber

tar, dada pelo inverso 'do tempo Tb que o portador leva para es-

ca,par. O primeiro termo do segundo membro desta equa,ção expressa

o fato cE que, à. medi.da que aumenta a fração p~/N3te de armadi lhas

preenchidts, diminui a probabilidade de captura de novos portad~

res. No entanto, para condução l-D, onde o portador se movI. ao

longo de uma linha, não se deve considerar este efeito de satu­

raçao. Aliás, como mostrado por Sworakowski e Leal Ferreira(2)

poderia até ocorrer uma espécie de mÚltipla ocupação de uma arma

14

dilha, exatamente porque o portador e<l IT!ovimento numa linha pode

ser imobilizado ao encontrar uma arrnadilh_a já ocupada.

Consideremos o esquema abai)cu:

- -.. --- @2]f- ---- -- R "--~c

Y1'

.L. _x

FIG. 6 - Esquema do movimento de portadores ao lonqo da

cadeia l-D coincidente com o eixo x. Os porta-

dores se deslocariam no sentido positivo ele x,

com velocidade VI =: pEI

o denota sítio com armadilha

é o raio crítico de interação cOlllom-

o

R =c

indica

e2EKT

portador

biana

o portador 1 estaria preso em uma armadilha, com proba-

bilidade k de escape, porém dentro de um raio R evidencia-se forctemente a repulsão entre

2 e1,impedindo que2,em seu movimen-

to para a direita,

ultrapasse o sítio de aprisionamento deJ •Vis

to nos materiais l-D o processo de condu<;:ãose verif.icar ao lon'"

go de uma única d~reção '(no exemplo, ao longo de x), o porta

dor 2 não poderia contornar 1..Da mesma forma o n..,..êsimopo;:·tador

sente a ação repulsiva dos (n.,..l)outros, de modo a haver um aéú ..,..

mulo de cargas na vizinhança anterior a 1. Portanto uma única ar-

madilha teria capturado n portadores, não havendo então satura ...

çao na ocupação das armadilhas. Porém existe saturação na desocu-

paçao, pois apenas o portador 1 pode escapar à armadilha. Desta

forma, o número de portadores que podem (~scapar é igual ao I".umero

de armadilhas. Por ora, não consideraremos este fenômeno de rnÚlti

15

pLa ocupaçãof embor~ sempre clue se t ra l>;-~ de armadilhAs PX( fu.ndaseste efeito esteja incluido.

A equação (11), não havendo3.s::~im saturação na

das armadilhas, é:

-.ol;upaçao

a p , (x' ,t~at

= p , (x' , t')T ' k Pt (x' I t') (12)

Para o estado estacionário! onde determinaremos a carac-~ -

terlstica voltagem-corrente usaremOEJesta expressao com T da -

c:.. pela expressão (7) ou (9) conforme tenhamos um campo maj_or ou

no entorno de E I , respectivamente. Consideraremos que nestas re­c

giões o campo seja suficientemente alto para que um portador

saindo de uma armadilha, tenha uma probabilidade baixíssimél de

ser recapturado; isto é, a probabilidade de escape k seria tão

grande que praticamente independeria do campo.

Estudaremos ainda o caso do decaimento do potenciç,l de

superfície de uma amostra l-D carregada por descarga coronêi. O

campo considerado será maior que o crItico, com TI dado pClr (7),

e neste caso deslJrezaremos a probabilidade de fuga das armadilhas.

2.4 - Cristal l,:",Dde Espessura R.edllzidé~ com Todas as Armadilhas

l?reench.ida.s

Uma situação peculiar surcJi ri a se tivéssemos um cris,t.al

com espessura tão reduzida que fosse possível existirem cadeias

l-D sem armadilhas. Sob voltagem suficientemente alta te:rlamos to

das as armadilhas ocupadas,comodiscuU_dohá pouo::>, com possLvelmeg

te mais de um portador. EsC]uematizarnos a seguir esta si tnação.

16

FIG. '7 - Esquema das cadeias:; l-D, indicadas pelas li

nhas pontilhadas (r'=livre de armadilha, c =com

armadilhas), num cristal de espessura reduzida,

com todas as armadilhas C1 ocupadas. @) indi

ca portadores aprisionados e ® os livres. P é

a probabilidade de saltos das linhas tifo c p~

ra L

Neste caso tem-se que os portadores que se encontram em

linhas sem armadilhas podem atravessar livremente o cristal,po-

rém ainda existe a possibi lidade de portadores serem imobiliza -

dos nas cadeias sem armadilhas pelo efE~ito coulombiano de car

gas presas nas cadeias com armadilha mais próximas. No caso ante

rior, os portadores em linhas com armadilhas ficaria:ql imobiliza­

dos ( ;Lndependentemente desta,s j ã estç-lrem ocupa,das ou nao. Entreta,n

to, na situaçã.o a,tual, devido à repulsão ent.re a,s ca,rgas aprision~

das, a probabilidade P de port.adore~o do tipo 2, 3, 4 ... saltarem

de cadeias com armadilhas para as cadeias livres torna-se ~;ignifi-

aante. A determinação de P requer um tratamento matemático refina-

do e se encontra além dos nossos objetivos atuais.

Desprezaremos este efeito em nossos cálculos, ficando co-

mo sugestão para futuros estudos neste campo.

17

C.A,:P1.T ULO I I I

ESTADO ESTA,CIONARIO C01<1 CORREN

TE LIMITADA POR CAR3i\ ESPACIAL

A condição essencial para S:E~ O'Jservar corrente Uni ta da

por carga espacial (SCLC) é a existência de um contacto cé:\paz de

injetar toda a quantidade de carga qU(~ ?ossa ser transporL:ida a-

través do isolante.

Define-se usualmente um contacto ohmico como um n;ser-

vatório Llfinito de cargas, o que equ~..va.le a se considerar uma

densidade infinita de portadores e I cl fim de se ter uma (",..1 . ida-

de de corrente de condução fini ta I um C.Hnpoe létrico nulo E'mtal

superficie. Como tais condições de contorno fornecem bons 1"esul-

tados para a corrente no interior do material, que é a região c~

j as propriedades praticamente dominam a corrente limitada por ca!:.

ga espacial e uma vez que trazem grande s s implificações nOE~cálcu

10s, ser~o utilizadas neste capitulo.

3.1- Considerações Gerais

Façamos um,contacto ohiuico na superficie em x' =0 I per -

pendicular à cadeia I-D, de um material com densidade Nit ao lon­

go da cadeia e constante dielétrica t f estando a outra facE' em

x'=L à terra. Os portadores injetados com a aplicação do campo se

rao buracos.

Suporemos nao existirem portadores termicamente gerados,

o que é 1_. oável para os polidiaceti lenos, pois a separaçâ.o entre

~ 2 (6)as bandas e de pelo menos - eV .

o campo E' é função da posiç:ão, no entanto sua varia

çio ao longo da amostra é pequen~ 4) " com exceção da região de

18

contacto, de tal forma que, a,Q consiclecarmos Q$ Llrnites dE' cÇ;ünpo

maior e de campo aproxi,madamente igu,Ü ao crítico! isto seja ver

rl~de na quase totalidade da amostra.

Quando o estado estacionári:: é; atingido as armadilhas

profundas já estão preenchidas, apenas as armadilhas raE;as in-

fluem no processo de transporte.

Estaremos trabalhando num cLrcuito fechado, em regime

estacionário e as equações fundamentais na determinação d:l ca -

racterística corrente-voltagem estão relacionadas a seguir.

3.2- Equações Básicas

Para o estado estacionário t coremos:

dE' (x')c ------dx'

=p'(x') + p~(XI) (13)

dI' (x I )

dx'

= d

ã"t(p'(x1) + P~(xt)) = O(14 )

dU (x')

dx'= - E'(x') (15)

LV = f E' Çx I ) dx '

o(16 )

que sao, respectivamente, a equação de Poissoni a equaçao da con

tinuidade; a relação entre o potencia 1 UI (x I) e o campoj eél di-

ferença de potencial VJ entre xl=O e x':::L, ou seja a voltagem no

eletródio emissor. Além destas, temo~; a equação da corrente:

I = }l P , (x ' ) E (Xl )

19

OP~ {Xl} ==

~~Jo::"

k\ I=O

ót I

TIf't

3.3- Material Uni-Dimensional em Campo Maior que o CrItico

Este é o caso de maior interesse para nós I visto ser es-

ta a região de diferenças mais acentuadas entre a conduçãol ri e

uni-dimensional. Na situação de campo maior que E' o campo elétric

co e dominante no tempo de captura, e como anteriormente de:: ini

do:

T' = 1N' uE'(X')lt

Existem aspectos, tais corno a distribuição de cargas e

campo elétrico, cuja determinação é relevante no estudo de tTans-

porte de cargas no material.

Com a equação do tempo de captura há pouco mencionada e

a inserção da equação da corrente na de balanço de cargas, é pos-

sível determinarmos a densidade de carCJas aprisionadas em função

da corrente:

p ,tN' I I_ lt

- k (17)

~ importante observar-se que a distribuição espacial de

cargas aprisionadas e uniforme.

Usaremos a equação de poisson para encontrar o campo na

amostra. Ut.ilizando-se a def,inição da corrente, a equação (17) e

a (13):

dE' Cx'L. , . ~ .

20

- L'C~~

)lE J C~L

N]~t+ -c-j{

Doravante, por simplicidad(~ nos cálculos, usarerno::J as

vari~veis adimensionais, definidas por.

N'flN I 21

P = lJ lt

P I (x ') I ::::lt

I IE:k

,E:k 2

llN'

,N ltfl

E = k lt E I (x')U =

U ' (x ')f Lk

(19 )

x'x ::::- L

•Pt

= llN;Lt

p'E:kt

Desta forma as equaçoes da corrente, do potencialí15)

da densidade de cargas presas (17) e a da variação espacial do cam

po (18) serão agora:

I = pE (2 O)

dU _dx - - E

I

(21)

(22)

dE =P+ Pt

( 23)

dx

I

+I=li:

21

E!o

E 1 I

l+E"dE' ,

x= f Idx

o

E ,Q,n(l+E) = Ix (24)

e conseguimos, assim determinar implicitamente o campo elétd.co em

função da posição.

Com isto torna-se possível determinarmos a densidaJe de

cargas livres em função das variávets pcsiçâo e campo. Da erua

ção da corrente .e de (24) obtemos:

1[P (x,E)= Ex E - 2n (l+E)]

3.3.1- Obtenção da característica

Nosso objetivo principal é determinar a variação da cor -

rente com a voltagem entre as placas.

Integrando a equação de Poisson (23) em toda a amostra:

JEL Eo l+E dE

1= J ldx = Io (25)

I (26)

onde, pe Ia definição (19), x=l. corre sponde à posição do elei:ródio

traseiro, aonde o campo é EL'

De (23) temos dx = 111~\T dE, que substituída em (:~l)re-

sulta:

I dU2

= _ E1+:8 dE

22

:Cntegxa,ndo em toda, a, P,ITlost.ra;

o- f IdU

V

EL E2 dEf l+Eo

(27)

Derivando-se esta express~o cem relação a V:

dII + VdV

= (28)

Temos-

(26)com I ' f(EL) Ie se conseguinnos umaa equaçao

expressão para dEL/dV =

g(EL1I IV)poderemos obter a cUr'/a carac

terísticê

'teI versus V.

Derivando a equação (25) com relaç~o a V:

que substituída em (28) fornece:

dIdV (29)

Inserindo-se esta expressao em (28) vem:

(30)

com I dada por (26). Esta equaçao n~o é solúvel analiticamente .En

tretanto 1 podemos obter a caracterís ti cz:tcorrente-voltagem" do sis

tema de equaç6es constituído por (30) e (26) I atrav~s de c§lculos

numéricos 1 com auxílio do computador. Mostramos a seguira cu:rva as-

sim resultante:

23

•,-

.1././I

)'"/

(Y)

I

. ",-------l'".--1 lo~Vt 1 3

LOG V

dH (jOH

r·';

(Yl

I

li),

')" -1

LOG V

,.--1

.//',

f,r

I'J

3

FIG.8.a - Característica volta- FIG.8.b - Gráfico comparat:i

gem-corrente, em unidades adime,!l vo dos resultados numéricos(cur

sionais, escala logxlog. It e Vt va continua) e o da AproxLmaçâo

marcam a transição entre o com - HeqLonal (Sirnbolo)

portamento quadrático e o linear

d<...corrente

Observa-se ~esta Figura que a corrente exibe um comport~

mento quadrático em baixas voltagens e linear com altas, pa~;sando

por urna região intermedi~ria, caracterizada por Vt, entre O~; dois

comportamentos.

Do gr~fico ternos Vt = 1,8 e It =3,6. Seria interessan

te compararmos estes valores com os re~;uLtantes de cálculos analí

ticos aproximados. A segui r determinamos Vt e It' assim cc-p r- o

comportamento para a corrente em fun(;;ãoda voltagem, pelo méto

do da Aproximação Hegional.

24

3.3.1.1- Cara.cterística voltagem·-cor ren te pe 10 método di~ Ivroxi.ma,~

çâo Re.gional.

A) Região de Cargas Livres

Para muito baixos valores dê voltagem teremos tanbém cam-

pos elétricos muito baixos. Como o tempo de captura T' var:La inver

samente com o campo elétrico, ele será muito grande. Supondo--se que

este tempo de captura sej a muito maior que o de escape (lb)' tudo

se passa como se o portador não tiVGé3SE':'.;ido capturado pela armadi

lha.

Os portadores poderiam, portanto, ser considerado3 total-

mente livres. Assim a equação de Poisson se resumiria a:

• dEdx

I= p = E ( 31)

Integrando em toda a amostra vem:

I (32)

Esta expressao em (31) resulta:

ta equaçao em (21) e integrando em toda a

2Edx = 2" dE.

ELamostra: V =

Inserindo es2EL--... subs-3 '

ti tuindo EL dado por (32) obteremos a característica para baixa vol

tagem:

( 33)

onde se evidencia o comportamento quadrático da Fig.8 para V pequ~

no.

Voltando -as variáveis dimens,i.onais t a expressao será:

BIBlIUTECA DO INSTITUTO DE FISICA E QUIMICA DE SÃO (ARLOS· USP

FI S ICA

25

... t t h' d 1 . d .," 1 - ""1. d (4 )que e exa amen e a con eC1 a e1 c (.>:11 ct para so 1 OS , como s~

ria esperado, pois se as armadilhas praticamente não captu::am por-

tadores não importa o mecanismo pelo qual o fariam.

B) - Região de Cargas Livres e Presa~;

Conforme aumentamos a voltéiCTt~mas cargas aprisioI1ddas pa.§.

sarao a contribuir para o campo el&trLco e a equaç~o de Poisson se

escrevera:

dEdx P + Pt

Como estamos na região de seLC temos urna densidade infini

ta para as cargas livres em x=O e será razoável considerarmos no

setor do dielétrico de x pequeno toda a carga livre .. A partir de

um dado plano x = Xl (I), que é função da corrente e onde as duas

concentrações se igualam: pt(Xl)=P(X1), teremos urna concentração

maior de cargas presas. A aproximação regional consiste em:

a) desp .L"ezarmosPtpara xXl,ondep>Ptb)

desprez armosp paraxXl,ondep<

Ptc)

resol ve,rmosas equaçoess j.mp1i fi cadas pe Iasimposições

(a) e (b) I em cada regi ão onde se aplicarem.

d) Levarmos em conta a condição de continuidade do campo

26

11.I ;' /

.I , /// P > fJtL..L _O

FIG. 9 - Esquema das regiões do dielétrico onde SE veri-

ficam as condições li . (regi~o I) ,P = 0t(pla1:. . -

no Xl) e Pt > P (re9Llo 11). VI e V2, sãü as vol

tagens entre O e Xl e Xl e Xl e 1, respect.iva ­

mente.

19 - Na região I, pela condição (a), tem-se:

dEdx I - - () --,= E' que e a equaçao 31. Como ela e vallda apenas pa-

ra x < Xl' para acharmos a voltagem V 1 c~ntre O e Xl' o procE..':!dime~

to sera o mesmo que o adotado para chegarmos a (33), apenas que

o limite superior das integrações se15. Xl' Desta forma obtemos:

9 V2I = -- J ~ (34)8 x31

onde VI é ( voltagem entre O e Xl'

Integrando a equação(31) em toda a região I teremos uma

relação entre o campo El e a posiçao:

El = /2Ix' (35)

como P = ~ ' teremos a distribuição espacial de cargas livres nes

27

ta reg~ão dada por:

p= (36 )

Xl determina'-sc uma transição entre ,)S reg!

mes p e Pt' como o campo ~ continuo, as equações (34)/ (35) e (36)

são válidas no plano Xl.

Como as densidades de cargas presas e livres são

neste plano e Pt = l, por (36) vem:

i.guais

I

e portanto,

= J:21 ( 37)

d~ onde vemos que o mlnimo valor para a corrente I , onde S2 dã a

passagem do regime p para o regime p + rt, ~ dado pelo m&ximo va ­

lar de XI(XI=I), ou seja o plano Xl coincidente com o eletr6diotra

seiro e a região I se estendendo por todo o dielétriro.Esta co cren

te limite 1~ seriai por 37:

I- 2

Considerando-se I~ em (34) ti.ramos o potencial li,."i t-_e:

2V =-39,

Então, conforme aumentemos a corrente ou o potencial aci-

ma destes valores limites, Xl será menor e a.parecerão no cristal

duas regiões como mostrado anteriormente na Figura 9 .

28

o va,lor do campo n.o plano Xl vem da $ubstitu.içào dE? (37)

em (351 ou da igualdade D = Pt = I

I-- j:)

E '-:= 1.

39-Para x > Xl' devido ã::í có.cg,j;-) c:untidas apenas I!Cl re

gião 11 teremos:

dE cdx

=

onde Ec é o campo das cargas localizéLdas (?ntre Xl e 1. Cone:) ainda

existe o campo El em x = Xl' devido às cargas da região l, estet~

ra que ser considerado na estimativa do carnpo total E2 paLa x >Xl"

Considerando-se, pois, este fato o campo total em 11 será:

=

= Ix + 1

A voltagem nesta regiâo serã dada pela integraçâo de E2

entre Xl e 1:

~ubstituindo Xl de (37):

= I 1 2 1- (1 - --) + (1 - ---)2 21 21 (38)

A diferença de potencial total entre os eletr6dios será

a soma da d.d.p entre O e o plano Xl' VI' e a entre o pLano e

v =

29

v ! + 12 2

1~ -~24I

(39)

C) - Região de Cargas Presas

1 ~Para elevados campos o termo I: da equaçao de Pois:;on po-

de ser desprezado perante I, ou sej a J fomente as cargas pL:sas es

tariam contribuindo para o campo.

Por (37) vemos que, para a J"ecjao 11 se estender uor to-

do o dielé-trico, isto é ~ o plano X, c:oiIlcidir com o eletró:Üo in­.l

j etor em x=Or é necessário que a co:crente sej a infinita. Lnpon

do este limite em (39):

v I- :2

(40)

Portanto, para voltagens ell~vadas ternos a variaçáo line-

ar da corrente com a voltagem, observada na Figura 6.

Traça-se a característica obtida na Aproximação ;~(~gional,

das equações (33) para baixa voltagem e de (39) para voltagem in-

termediária e alta. Observa-se na FiCJura 6.b que este resultado e~

tá coeren:e com o numérico, principalmente nos extremos da volta-

gemo

Podemos obter valores aproximados para Vt e Itr nos

quais o regime quadrático da corrente passa a linear. Igualando-.

se as voltagens dadas por (33) e por (40) teremos o valor em que

as duas funções se cruzam:

30

e portanto

= 1,8

Estes valores concordam p Ljnélmente com os obti do:> na Fi-

gura B.a, por processos numéricos.

3.3.2- Comparação com resultados eX[Jerimentais

A .~. d S . nU 1 (7) LI f'S experlenclas e pannlng e DctSS er em DCc con-lr-

mam a caracteristica da corrente para baixos valores de volta

gemo Reproduzimos abaixo seus resultados.

-5\0

-6W

~N!EoJ

___..L ~_. _

10 100YCv)

FIG.IO - Densidade de corrente versus voltagem, com con-

tacto de NaK em urna das faces e prat.a o:" outra.- . - -3 2

A area do crlstal e de 5xlO cm. A voltagem do

eletródio de NaI<:é negativa.

Vemos que apos o comport.amento quadrático existe uma ten

dência à saturar a corrente. A sequir discutiremos uma possibili-

dade de ocorrência deste fato.

31

3 . .3,1.2- Satura,çao da corrente l~D nUl\: Cilmpo rna,i,oX' que o cr(ti.co

1 f' . ,- ~ •. 1Para vo tagem SU"-lclentemenü~ é-Ltô e posslve enc::·n

trarmos um limite onde p~ = eN3t, ou ::,ejél todas as armadilh:ls es

tariam ocupadas. Neste caso f como vj.sco no ítem 2.3 o nÚmefiJ de

portadores que têem pos sibi lidade de (.:23 capar é igual ao nU!ni"~

ro de armadilhas e o termo kp ~ da equação de balanço de caClas. 1

o qual nos fornece a taxa de portadores que se libertam, pode ser

igualado a ,keN3t·

Desta forma, a equaçao de balanço em unidades reai:; e:

[' .dt

=, substituindo N3t

ou

o

rI

= NI rIlt

ek= "2a

-2ekN lta

A corrente, assim, depende di retamente da probabili dade

k de portadores do tipo 1 escaparem, e é constante para um da

do material l-D, se k não for função do campo el,§trico, como e

a hipótese feita anteriormente.

Desta forma; é possível que a saturação observada na

fig 10 se deva ao fato de. todas as armadilhas estarem ocupadas a

partir de V :oe 10V, porém não podemos afirmá-Io com certeza.

3.4- Material l-D Num Campo Próximo ao CrItico

Para campos da ordem de Ec tem-se a sobreposição da ca}2

tura por difusão, a baixos valores da voltagem, e da captura por

efeito de campo, para voltagens elevadas. Agora o tempo de capt~

ra T' é:

1~-, -T NitUE'

+

32

2D'N,2lt

e as demais equações básicas do item 2 :~ sào igualmente vá Üdas

para esta situação/ desde que consid,'n~mos o tempo de captura d~

do pela expressão acima. O procedÜn(:;jtCi adotado será idênt i.•. ~ ~

co ao do ltem 2.3/ por razoes ObVj.dS,

3.4.1- Determinação das dlstribuiçõ(~:; ép carga e do campo:: lé -

trico

A equação de balanço de carqas e:

o = p' ()JE 'N' + 2 D 'N I 2) - k I '1t lt' t

Substituindo-se a equação dil corrente obtém-se a densi

dade de cargas presas:

j t=

NI rI 2DIN'~(1 + __ lt)

k lJE I( 41)

Note-se que agora temos urna distribuição de carga~; pr~

SeiS que é função da~posição, através do campo e létri co.

Tendo em conta (41) e a equélc;ão da corrente, a equa

çao de Poisson sera:

N' rI 2D'N'T IdE' .-lL (1 +." lt)-L( 42)E: -- = + --.-.-dx'

k pEIpE '

Definamos o novo sistema de Cfra.ndezas adimensionais:

p - P I xXl

L

33

(43)

E =

12

N1t DiD= T

T = kT'

Comestas grandezas, as equilç()(;S da corrente, a(42) e a

(15) serão, respectivamente:

I = pE

dE = I (1 + 2D + 1)dx E E (45)

dUdx = - E ( 46)

co:

Integrando (45) obtemos urna relação para o campo elétri-

Ef E"dE"o

l+E' '+2D=

xf Idxo

(47)

Substituindo (47) em (44) advém para a densidade de car-

gas livres:

1[1 _ 1+2D 9,n(1+E+~~_12)'Ix E 1+2D ..( 48)

34

3.4.2 .... Obten9âo da ca,racte;t;'!sticÇ1, vcJ.ta,:jcw-·corrente

De (45) tem-se:

dx =EdE

I (1+E+2D) I que substi tuIdo em (46) é:

-IdU =

Integrando a última equação em todo o material:

of IdUV

E21V_) dE

aonde EL é o carr)o do eletródio em x~l.

Derivando-se em relação a V:

dI =I + V dV

dEI..

dV

e nos interessa explici tar dEL/dV em função da corrente, da volta

gem e do campo.

Se integrarmos (45) em toda a amostra:

1f Idx =o

I ==

EL E(V)dE _ = If .o

[1+EL+2D-jEL - (1+2D).Q,n 1+21)--.J

(50)

(51)

Derivando (50) com relação ô v:

dIdV

=dE LdV

(52)

35

S~~t~tu;indo dEr!dY dp,eCJuaça.o (49) el1l.C52L ob tenos ~

dIdV

= IE -VL

I

que inserida em (52) resulta:!

(53)

Considerando-se simultaneamente (53) e (51) obtém-se nu-

mericamente a característica voltagem-corrente para o campo em

torno de E .c ///liÀ

••'"'?

-'.11 -I .• -1.11 t.•lOGv

TI.• I,..-2

a) D = 10

-1Vc = 1,6xlO

FIG.ll - Característica voltagem - corrente, na região prQ

xi~a ào campo crítico~

36

J

1J..1lllD

"'-r-" ·····----11. 00 ;', Ci~ 3.111111

LOF) V

NI

...•.

b) D = 30

Vc = 38,5

FIG.ll - Caracteristica voltagem - corrente na regiao

próxima ao campo critico.

Uma análise qualitativa deste gráfico sera feita a se

37

CO!!}O no:. ~nteressa. apena.s o comportamento geral, llSç~:r;e •..

mos a aproximação de campo constante atrav(~s da amostra E' -:: V'/L.

o tempo de trânsito t~ médio de; UlTl portador pode ~:er cal

culado assim:

ti =tL + L 1

1JET I k

e o

de ve­

de pe~

onde ll~' é o tempo gasto pelo portador para ir de uma face à ou_o

tra da amostra se não houvesse armadilhas. O termo E~ , k1]1 1

tempo gasto pelo portador nas armadiJha~:;: - E~ é o número]l' T

zes que, em média, um portador é capturado e l/k é o tempo

manência 1"b do portador em cada armad i lha.

A densidade de corrente será obtida do quociente da car-

ga Q pelo tempo de trânsito; e pela área do dielétrico A:

TI = -º-At't

sendo Q a carga total no interior da amostra, a qual pode ser posI EAV'. -

ta corno Q = CV = ~ . ASSlm a corrente sera:

I' =

= 1" I]..l ,+ I

E 1" Tb

(54)

ou, em variáveis adimensionais:

I =T 2

T+l V

-

1 2

V+2D+l V

(55)

38

]?Ç3,ro, vALo;çes do can)t>Q ll)u~.tc)a,haixo dQ c,xS t~co r o tempo

de captura é determ;lnado apen~s pelo termo d~ d;lfusao,

1/ (1+1) sempre expresse a fração de:.::ar~Jaslivres 1 agora.

:EÜ}ora

este

termo será praticamente independentc~ da vo1tagem e se igu Üa -

rá ao fator 8 tradicional, e a corrente será, aproximadame·]te:

I = (56)

que, em unidades reais ~ a expressão tradicional da corren~e in

fluenciada por armadilhas rasas, com a mobilidade modulada W f=e_

W8, a menos do fator 8/9.

Para valores de campo da ordem ou ligeiramente superiQ..

res ao critico teremos comportamentos diferentes para a corren-

te, conforme o coeficiente de difusào D seja grande ou pequeno

comparada com a unidade.

19 caso - D « 1

Para D « 1 temos também Ec :::2D '\;Vc muito menor que a

unidade (Vc sendo a voltagem onde ocorre o campo crítico) p(55)

2fornece I a V .

Aumentando a tensão esta atingirá limites onde V ;> 1,

quando teríamos I a V.

Portanto, para baixos coeficientes de difusão a regiao

quadráticct ultrapassa o potencial crítico,o que se pode obser -

var na Figurall.a; para voltagens ainda maiores surge a regiao

linear.

29 caso - D » 1

Para D grande teremos Vc grande, e já a partir do cam­

po crítico teremos I a V, e com isto a transição do regime qua­

drático para o linear inicia-se abaixo da voltagem crítica, como

se vê na Figura l1.b.

Podemos analisar, ainda, o comport.amento da dis tribui-

ção de cargas livres p com o potencial.

39

, 12V = (p' + ')­t Ps

onde (p~+p') L é a densidade superfici.al de carga na amosL:a..

A relação entre as densidé,(h~s de cargas livres p e

de presas P~ é dada por:~

== QT

que substituída na expressão da voltaQem for

nece:

P

1= 1+1 V

=

V

1+2D+V

=

1 _ 1+2D1+2D+V

(57)

ou sej a: a densidade de cargas livres aumenta com VI até altas

voltagens I quando então p se torna constante.

A proporção de carga nas armadilhas y pode ser achada

da razão entre o tempo que o portador fi.ca preso e o tempo que

ele efetivamente gasta para percorrer o dielétrico:

y =

L]JET 'k

t't

1= l+T'k

1

1assim:mas T'k=- e

T

(- l ,1 - 2O't'1;:1

40

Daqui vemos que a proporção di:; cargas presas S'3mpn-!. au...

menta com a voltagem, tendendo à un,idade para altas voltêlCjens

Tal fato é coerente com a saturação na densidade de carqa~: li-

vres observável em (57) para grandes valores da tensão, qllan

do então toda quantidade de carga qt!e e xcedesse o valor dE P = 1

seria aprisionada.

:g interessante notar-se que / embora a densidade õe car-

gas livres tenda à saturação I o mesmo não se dá com a con:en

te I = pV, pois ela é sempre crescente com V, tendendo à U.near

com voltagem grandes aonde p é constant.c.

41

CAP!'TULC 1'1

ESTADO TRANSIENTE - ISOLANTE C.i\RHECADO POR DESCAEGlI, ,:::OEONA

I: exemplo do que está mostrado no artigo de Campo::;e Gia

cometti (8) faremos um estudo do dE~caimc:nto do potencial dE: super-

fície 1 que é uma grandeza mensuráve 1 r num material carregadc") por

-.;orona.

Usualmente carrega-se a amostra por descarga corona na

face livre de eletrodo em x' =0, enquanto que a outra face em

x' =L é posta à terra e mede-se o potencial da superfície. livre .E§.

tas serao as condições em que faremos nossos cálculos para os ca-

sos de inj eção total e parcial de C,:1rgéis, Suj ei tas à ação de arm~

dilhas profundas. Embora o tratamento seja feito para armadilhas

monoenergéticas, é poss ível generali zar para di versos níve is de

energia, considerando-se um tempo de captura efetivo Tef dadopor:

N= 1:

i=l(58)

em que Ti é o tempo característico de captura do portador por umdado nível i de armadilhas e N é o número total de níveis.

No instante inicial t '=0 da:c-sc-á um pulso de corona com

uma densidade superficial de carga (í I, carreqando-se a fac<:~ emu -. o'

x' =0 até o potencial V', inicial, ou o campo E I = -º- . Nos Lnstan-o o E

tes posteriores a carga penetrar~ no dielétrico, reduzindo o po -

tencial da superfície injetora.

Consideraremos apenas campo~; superiores ao critico

anteriormente definido.

E I ,C

42

4.1 - Equações Básicas, Condições In i c i.Ji~) e de Contorno

Para armadilhas profundas k =0 I:~ sob campos maiorE',; qU(~ o

l' , -crl tlCO podemos escrever a equaçao de Lalanço de cargas na::; arma-

dilhas:

dPt(X',ti)dt I = NitI'(X',t'j (59)

As equaçoes da densidade de con:ente de condução 1 a de

Poisson, a da continuidade, e a do potEncial são:

I'(x',t') = lJp'(x',t')E'(x',t') (60)

élE' (x' ,t ' )E élx'

=p'(x',t') + r'~(xl,t') (61)

élI'(x',t') = _ -ª- (p'(x',t') + p~(x',t'))élx' élt' (62)

élU'(x',t') =élx'

- E'(x',t') (63)

A equação de Poisson na da continui.dade resulta:

ou

d-L'(X',t')élx' +. -ª- ( ~ E' (I ,)élt' E élx' x, t) = O

o termo entre colchetes é portanto independente dE' x'

e e a expressão para densidade de corrente total I' (t')

43

I' (t I) = I' (x I I t ') + c -ddt E I ( X I 1ti)

Na configuração de circui 1~O ;b(~

Ia e assim:

I'(x' t') + c -~ EI(x' ti), at' I

()

o a corrente tot;:,! é nu

(64)

Inicialmente I não existem cargél~) presas:

= O (65 )

As condições de contorno paTa o campo elétrico são obti-

das considerando-se que em t' = O todas as cargas estão loc,diza-

das junto à superfície e que para instantes posteriores a qllanti-

dade a' jã se encontra no interior do material:

E'(x',O) = E'o (66)

F' (O,t') = E' _ a'o E (67)

No caso limite em que ai =0' = fEl, ou seja: toda a car-o o

g? deposi tada na superfície entra no material, o campo na superfi

cie d.e inj eção será sempre nulo e o pulso de cargas, alargando-se

sob ação de seu próprio campo elétrico, manterá a traseira da dis

tribuição tocando a superfície em x I '" O.

Consideremos uma nova definição para as variáveis adimen

sionais:

p(x,t)L

cE,P'(x',t')o

X'X ::o .L

(68)

E(x,t)= ~: (Xl ,ti)o

44

I ( X t) --- --~-..,.- N = LN I, , •. ·-·'E'·-]J' lt 1t.. o

a = a'a Io

As equaçoes básicas e demaÜ; condições de (59) a (67) agQ

ra serão, respectivamente:

(69 )

I (x,t) ( 70)

ClE(x,t)= p (x,t)

+ I(x,U(71)Clx

tE(x,t)

ClI(x,tt = _ ~ (p (x,t)

+ ~IJ~!l_)(72)Clx Clt t E (x, t)

ClU(x,t)Clx = - E(x,t) (73)

I (x,t) + ClE(x,t)Clt = O

Pt (x,O) = O

E(x,O) = 1 .

E(O,t) = 1 - a

aonde, a é a fração de cargas que penetra no dielétrico.

(74)

( 75)

(76)

( 77)

45

4.2- Obtenção das Equações Caracterí:;ticClS

Na solução das equações básicas usaremos o método de La­

grange (9) ou das características ,em que se acompanha a evo l.uçao

temporal das grandezas ao longo de Ll.ohas de corrente, sobre as

quais voltaremos a falar posteriormen te .

Substituindo (69) em (74) obtemos:

ou sej a: o termo entre parêntese é função apenas da posiçao:

+ E(x,t) = E(x) ( 78)

Pode-se determinar E(x) a p<:lrtir das condições (7Ij), (76)

e (77) no instante t = O, quando (78) pode ser escrita:

E(x) = 1 ,

substituindo em (78) obtemos uma expn~ssão para a densidade de

cargas presas em função do campo:

pt(x,t) (1 - E(X,t))Nlt (79)

que, substituída em (71) e considerando (74) fornece a equaç~io dife

rencial i a derivadas parciais:

aE(x,t) + 1. )E(x,t)=

(1 - E(x,t))Nlt

Esta equação foi resolvida pelo método de Lagrange, do

46

- ...

qual resultam as equaçoes caracterlsticas:

dx(t)dt

( 80)

j~E (x, t) ,t) = (E ( x (t)) f t) - E,- (x (t) , t) )N1t

ª-E (x (t) ,t ) = (1 - E(x (t). t) jIJ 1t

( 81)

( 82)

A equação (80) define as linhas de corrente, que SE~ ori-

ginam no instante inicial t=O, em x=O. A posição da carga E~m uma

linha de corrente depende do tempo e :U;to é indicado nas

çoes.

cqua -

Podemos obter o campo e a posição da carga na linha. pela

integração de (81) e (80), respectivamente. Sendo E = E (x(O) ,0)0o

campo inicial, podemos integrar (81) (h~sde o instante inicLJl até

um instante qualquer:

E(x,t)r dE' ,) N (E"--E 11 2ltEo

t

f dt' ,o

1 2-)2

t

esta integral encontra-se tabelada e resulta, afinal numa expres-

sao para o campo em função do tempo E~p()~3ição (através de E,J• J ()

E(x,t) =

NlttE eoN

E e lt_E +1o o

(83)

47

Na determinação de E existem duas regiões de int:~resse:o

a da frente do pulso de cargas em t

cargas em t ~ O, X't.o l

o I X . .çf e a da tras<:!:.ra de1.L

o campo na frente de cargas, EOi'

da traseira, Eot ' por (77)

é dado por (76) e o

( 84)

= 1 - (J,

Substituindo (83) em (80)e integrando no tempo:

t' ,x t N lt dt' ,

f f e , ,dx' '= N1t t + 1: _ 1

o e Eoo

Nltt" 1Fazendo-se Z=e + E - 1, a integral do 29 rn(:~mbroo

transforma-se numa do tipo J~Z , que resolvida fornece a equaçao

para a posição:

x(t,E )o - E + 1)o ( 85)

Se consider,armos (83) podemos obter urna relação dir'etaen

tre posição e campo apenas:

x (E, E )o (86)

Ainda, considerando-se (79) em (86), relacionamoH posi-

çao com densidade de cargas presas e campo inicial:

( 87)

81BLlOTECA DO INSTITUTO DE FlslCA E OUIMICA DE SÃO CARLOS • USP

FI S ICA

48

4.3- Potencial Residual com Injeção TotaL de Cargas

No caso de todas as cargas pc,nctrarem teremos, con;) co -

mentado anteriormente, o campo nulo ,2m ~('=:O. A frente da distr.:ibui

ção de cal."gasse deslocará, enquanto a traseira se manterá ':)róxi-

ma a x=O. Após um tempo suficientem(::~nteC]rande todas as carqas livres terão deixado' a amostra, restandD no material ap8na~ a:~ ear-

gas ;)resas em armadilhas profundas, que serão responsáveis pelo

potencial residual VR, o qual independe da forma que as cargas e~

traram. Todo o tratamento que faremos a seçruir considera tal fa -

to.

Integrando (82) em toda a amostTa obteremos uma expres -

sao para o campo EL do eletrodo traSt~tro:

( 88)

= 1 -

Tendo explicitado EL podemos, a seguir, determinar a vol

tagem residual.

Ainda de (82) temos:

dx = dE (x)

(1- fix)) N1t ,

que substituída em (73), considerando que agora U(x) nao e

função do tempo, fornece:

mais

dU(x)dE(x)

= E (x)

(l-ETXf)N lt

49

Integrando em toda a amostra:

o EL

J N1tdU =

(--L dE- J

l-EvRo

VR

=_l_(.Q,n _1_ - EL)

N l-Elt L

Substi tuindo (88) na exprE~ss ão anterior:

(89)

o gráfico obtido desta expressao é mostrado a seguir

en

N,

\\

\

;;:,I/)

N ~ ---, ._.._-2

-r -1

______11,01

I.t '

,2, ::")

FIG.12 - Curva uni vers al do comportamento do potencial

residual VR com a densidade de armadilhas Nlt,em unidades reduzidas.

50

Vejamos o comportamento assintótico da equação (W,)~,

19 Nlt » 1

Teríamos para (89):

(90)

E no limite de N1t -+ 00, terlélffi<JsVH ê:' 1, ou seja. toda a

carga depositada cairia em armadilhas prÓximas à superfíciE e o

Potencial residual seria praticamente igual a V , o potencj a1. inio -

cialmente atingido na descarga corona. }~;o que se observa r a Fig.

12.

79 Nlt « 1

-NExpandindo e lt em (89) obtém--se:

(91)

Consideremos o caso de termos uma distribuição de cargas

presas Pt uniforme ..~Comoo campo não é mais função do tempo, nao

havendo mais cargas livres na amost~ra pod.emos colocar a equação de

Poisson na forma:

dE (x)dx

= ,

que integrada em toda a amostra fornece:

= (92)

51

Ainda, da equação de Poisson:

dx =

·'\1 (v)•• - ,CJ. ü •

substltulüdo na expressao do potenc:Ld -~1Í<:-··- = -E e lntegr:lndo em

toda a amostra, obtemos:

por (92)

=

que e a express ao (91) se considerarmos todas as armadi lha.:; pree!!.

chidas: Pt =

4.3.1- Discussão e comparaçao de resultados

A expressao (89) em variáveis reais e:

VIR

(93)

corno o produto LN1t e constante para certa amostra, temost~mbém constante.

v'lv'R o

J.M.Guimarães(lO) mediu o potencial residual no teflon -

FEP carregado negati vamente com di versas voltagens ini ciai s e re-

produzimos, a seguir, os seus resultados em duas séries de medi -

das. Estas se referem ao potencial depois de aquecida a amostra- oate cerca de 160 .

Admite-se que por este aquecimento as cargas saem da su-

perfície e percorrem a amostra até se}~emcapturadas em armadilhas

52

pro~undÇl,p. ~e s3, amostxa, é Rqueçida ai.n,dq ll),Ü.5 r o poten.cj.,a,l decai

ainda ma.i~, ma,s a9'0rê\ devido à saídale cart]ê\S da,s armadill1dS que

seriam profundas em temperaturas maÜ; baixas.

-

Vi (V)VI (V

OR

-Ia

300286

S f:

600541

IR

960 842

I E

1500 1348

2a.

600 530

S :g

1000894

R IE1500 1323

_ ..__ ._._-----~vt/V'R O

---.-------- I

0,95

0,90

0,88

0,90

-_ ..~--_._._-.-..----.---------0,88

0,89

0,88_________ ' I

TABELAI: Medidas do potencial residual no Teflon FEP,

feitas por J.M.Guimar~es.

Note-se que nos resultados experimentais VI/V~ é apro­

ximadamente constante, o que concorda com as previsões do nosso

mode10.

Kanazawa e Batra (11) fizeram o tratamento das equaçoes

de transporte na presença de armadi lhas profundas em que o -tempo

de captura de portador era determinado por difusão apenas. Neste

caso obtiveram Vt!V~=VR em função de T IVo/L2=T, aonde JH' /L2 e

uma constante do material a dada temperai~ura. Reproduzimos, a se

53

guir, O resultqdo destes ~utores;

oor-l

riIorl\

I

l _.._L •....

10-1 10° [

FIG. 13 Curva universal que relaciona a voltagem resi-

dual com ° tempo de captura T, em unidades re-

duzidas.

')

Da Fig. 13 podemos determinar ]JT i /LL., desde que conheça _

mos VI e VR'IV'. Usaremos os valores experimentais da Tabela I pa-o o

ra estes fins.

'rABELA 11

2

3

3

V' (V)V~/VQpT 'Voo

300

0/950,7

600

0,900,6

960

0,880,6

1500

0,900,6

600

0,880,6

1000

0,890,6

1500

0,880,6___ ~._. .~ 4. I

/LL p; (V-l)L2,4xlO-3

-3l,lxlO-4. 6,6xlO

1 -4S t 4,3xlO

---·--·t-·--? ''.•.• I J

I -46,3xlOi -4I 4, lxlOI

l--.I

-~IIIII!

TABELA11: As duas primeiras colunas !::-eferem-se a medidas no Te ­flon-FEP. As duas últimas são obtidas da consid.l:ração

das medidas nos cálculos dE Kanazawa e Batra (12) .

54

)?ode-se observar que os va,~Jru; de }rC J/L2 resulta tJ.t.es nã.o

são constantes, tendendo a diminuir:ol!l o crescimento e12, v:>ltagem.

Portanto, o modelo de captura de di:Eus~o, com o tempo de c:rptu

ra l' constante não se adapta ao Te:ELor-·YEP. Estes resultaios in -

dicariam que l' varia inversamente cum a voltagem e 1 consei[uente -

mente, com o campo elétrico.

Teríamos, assim, concordância das previsões do no:' :30 mode

10 com o comportamento verificado no Iref lon-FEP, que até (ll,ora não

foi considerado I-D (13) . Isto mostra umê,possibilidade do modelo de

captura determinada pelo campo ter uma validade maior que ( ini

cialmente proposta, restrita a materj.ais l-Do

4.4- Decaimento do Potencial no Caso de Injeção Parcial de Cargas

Estudaremos agora a situaç~lo em que apenas uma frdção a

das cargas penetram no material. Ernbora neste caso o campo da tra-

seira da distribuição de cargas não sej a nulo, com a traseira des-

prendendo-se da superfície em x=O, será sempre menor que o campo da

frente de cargas e os portadores da frente terão sempre uma veloc~

dade maior, ocasionando um alargament.o na distribuição de cargas ,

até que a primeira frente cheque ao E letrodo em x=l.

Sendo xf a~posição da frente de ca:rgas, o tempo t-f gasto

para atingir xf=l, com.o campo da frente sempre dado por: Ef=Eof =1 é :

= 1 (94)

Sendo Xt a posiçao da traseira de cargas podemos achar o

seu tempo de trânsito tt' impondo Eot=l - (x(equação (84)) e Xt= 1

em (85):

55

1 =

e

(95)

Na. determinação do potencié.l :3uperficial em funç~lo do tem

pa, existem três tempos característico::; a considerar:

a) Quando a frente de cargé.E; a.inda não atingiu o eletrodo

traseiro, isto ~: O ~ t ( tf, e nenhuma. carga saiu ainda 60 diel~­trico.

b) Quando a frente de cargas já atingiu o eletrodo em

x=l, mas a traseira ainda não: tf <: tvre já deixou a amostra.

tt ' e parte das cargas li

c) Quando também a traseira de cargas já atingiu o eletrQ

do traseiro, ou seja: tt ~ t e não existem mais cargas livres no

material.

Trataremos de cada um destes ítens separadamente:

4.4.1- Pútencial superficial até o tempo de trânsito da frente de

cargas

É a situação em que O ~ t .:S tf! que pode ser representada

graficamente pela figura 12.

o potencial em x=O, VI (t), num certo instante sera

pela soma das d.d.p entre x=O e xt'Xt e xf' e xf e x=l:

dado

56

I--y--/~~-// ,.' .'I " /

o X+,.L

( c)

!

I

_I1

FIG. 14 - Esquema das regioes de cargas no materi~l para

(a) Região por ond(~ i Si passou o pulso dE car -

g as (p = O e P t ' = O) •

(b) Região onde :32 encontra o pulso (den::;idade

total de carc:ras ,= Pt + p)

(c) Região ainda não atingida pelo pulse (Pt =

p = O).

1Vl(t) = f E(x,t)dxo

Xt xf.l .= J E(x,t)dx +~ E(x,t)dx -+- j E(x,t)dx (96)

o t xf

Devido às diferentes distribuiç:ões de carga , trataremos

das integrais individualmente, em cada região.

19 - Região (a)

Temos apenas as cargas aprisionadas neste setor do diel~

trico. Podemos resolver facilmente a primeira integral da equação

(96) fazendo uma mudança de variáveis:

Xtf E(x,t)dxo

Et= f E (x t ) __ :~~(t ) -

Eot ' dE(x(tf~-tT dE(x(t) ,t)

57

Determina,mos O limite de inth]raçâo Et~ cqnl;l?o da ·t:::'ô,sei •..

ra de cargas num instante t, da equaçiJ.o (83):

N1tt_ (l-a)e

N1tt ..,(l-a)e +a

('om E t.I' o .-1- a

(97)

Sub t· t . d dx (t) d d·· - t .,. t'S 1 Uln o dE (x/t) a o pe.La equaçao carac erls .lca

(82), teremos:

Xt

J E(x,t)dx =o

1- Nlt

Et

f E~l dEl-a

1= - Nlt

Et

J ( E~l + l)dEl-a

= Nl [~n(l_~ ) + 1 - E - aJlt t t

Inserindo (97), obtemos:

x .~tJ E(x,t)dx =o

1 Nltt aN{~n[(l-a)e +:tJ-a+ N t--···} (98)

lt (1- )e lt +a

29 Regi ão (b)

Existem cargas livres e presas. 'remos a expressao para o

campo em função do seu valor inicial, assim como para a pos:Ll;~aoem

função do campo inicial, assim podemos resolver a segunda inc~e

gral de (96) com a seguinte alteração:

58

4;E

f!':lx,tldxxtPor (83) temos:

Eof

= I !':(Ea,tl

Eot

I.IE~o

E (E I t) =O

e de (85) obtemos:

N1ttE eo

E (eN"""ftE -1) +1O

(99)

Nltte - 1N t

E (e lt -1)+1o( 10 O)

SlbJtituindo estas expressões e (84) na integral:

Xf

J E(x,t)dx =Xt

Nltt Nltte (e -1)

Nlt

Esta integral e encont.rada néU; Tabelas e obteremos, fi .•.•

nalmente:

Xf

J E(x,t)dx =Xt

-N tlt N t-{e + lt

1)

1 N te lt(l-a)+a -~n[(l-(()e lt +aJ}

(101)

39 Região (c)

Ainda nao existem cargas nesta regiao e o campo ne1él s~

rá o da frente de cargas E = Ef = 1. As~;im a terceira integral de

(96) fica:

59

.~ J.

(E.d,x = Ef(dx

=J. •... x

; )

f

xf

xf

+ 1J

mas Eof = 1, então:

= t

e1

JEdX = 1 - txf

(102)

Substituindo (98), (101) e ll(2) na expressao do pote.!],

cial (96), algum tratamento algébrico nos leva a:

N - (J,ltNlt

(103)

4.4.2- Potencial superficial entre o tempo de trânsito dafrente

de cargas e o da traseira de cargas.

No intervalo de tempo tf ~ t ~~tt algumas cargas saem~

pelo eletrodo traseiro e graficamente isto é visto na Figura 15.

o potencial pOderá ser obtido da soma das d.d.p. entre

os extremos de cada região:

1= J a: ~,t) dx

o

Xt 1= J E(x,t)dx + J E(x,t)dxo xt

( 104)

60

/7;;1'·'.~/ liI i'// li.'

, (a)./··i .. ('o ):!

FIG. 15 - Esquema das regioes dô:: cargas no material em

tf ~ t ~ tt

(a) Região por onde já passou o pulso (p :: O

(b) Região do pulso f que começa a deixar él a -

::: fi + p)mostra (Ptotalt

A primeira integral foi obtida em (98). ResolveremOf:; a se

gunda, com a seguinte mudança de variã\'Ed;:

1r E (x, t) dx)Xt

E(l,O)

= fE(Eo,t)

Eot

dx(Eo ,t). dEdE oo

Por (85) I obtemos E(I,O) I fazendo X=li o que result~él em:

E(l,O) = Nlt _ 1e

Nlt t _ 1e

Obt" dx(Eolt)lvemos dEoSubstituindo estas

em (100) e E(Eo,t) em (99)

expressões e mais (84) I vem:

E dE00_ Nlt t 2I.Eo (e -1 )+1]

E(l,O)

Jl-o

Nltt N1tte (e-I)N1t

1rE (x I t) dx =)Xt

61

=

Substituindo esta integral e (98) em (104) teremos a ex-

pressao final:

N1 t+ a(l - e t)_ I} (105)

Note que para t = tf

igualdadeVl(tf) = V2(tf)·

1 por (103) e (105) verifica-se a

4.4.3- Pot encial superficial após o tempo de trânsito da traseira

de cargas

Com tt ~ t todas as cargas livrcs já deixaram a amostra ,

como representado na Fig. 16 , e as cargas presas em armadilhaspr~

fundas provocam a existência do potencial residual V3 .

o

,( a)\\

1-

FIG. 16- Esquema da região de carga na amostra em tt < t.

A região (a), contendo apenas cargas presas es-

tende-se por todo o material.

Este potencial é atingido quando a traseira de cargas che

62

ga ~o eletro40 tr~seiro,

encontra resolvida para,

.-tt

.- Pt i

ou §ejq Xt := 1, D.a ~n,stÇ\nte que tu • ~n:

equacao de ~o~sson ~~.~ cl;:V3 pa,rtindo da

xJ f ( ) :.,~E x,t.dx jil3eO

porém como a,integral

Poderíamos dete~inar

um instante qualquer, basta, impormoE t= tt e obteremos

como argumentado a pouco:

v, ;I pois,

=1

J E(x,t)dxo

Xt= [ J E (x, t) dx]

o t=t t

Substituindo, então (95) em (98):

= 1 { -N-- NNlt lt -a(l - e lt)}

(106)

Para t = tt verifica-se a igualdade V3 = V2(tt).

Note que para a = O, o potencial residual é V 3 = l,pois

todas as cargas sao mantidas na superffcie da deposição e não e -

xiste decairnento do potencial.

Com a = 1 e Nlt = O teremos V) = O, pois não existin

do captura todas as cargas deixarão a amostra e não haverá poten-

cial residual, enquanto que para a=l e NltjO, (106) obviamente for

necera para V3 a mesma expressao (98) obtida para o potencial re­

sidual VR' sob injeção total de cargas. Mostramos a seguir o grá

fico de V3 versus a, onde este comportamento é visível.

Observa-se que v3 é maior com valores crescentes de Nlt,

pois aumenta a concentração de cargas presas com a densidade de

armadilhas.

N ,,1 ú.t_ -

63

oo

oro

tt"!f61-

> ...

1

o . _C\J 1---1

fJ 'J , 20I

FIG. 17 - Potencial residual V3 em funç~o da fraç~o de

cargas injetadas a, com diversos Nlt (densi-

dade de armadilhas na cadeia). As grandezas s~o

adimensionais.

4.4.4- Decaimento do potencial superficial

A curva do potencial superfici aI V(t) é obtida fazendo-se:

v (t) =VI (t) O .j... ./ t( L. ,'- f

V(t)

=V2(t) tf ~i.: ~. tt

V(t)

--V3 tt ~ t

64

FIG. 18' - Potencial superficial

111

11

I- "'~"=r=--"'''-''''''--==

'5,':bill 8, CIO 1(l), (!,c

em função do tempo.

a = 0,6. tt(I) refere--se a curva I. Valores de-2 2 _

Nlt: 10 (I); 1(11) { 10 (111).

Note que para uma e levada densi dade de armadi lhas L\ lt co~

parada com a espessura da amostra (=::1), o potencial residual já

é prati camente atingido quando a Ia. f rente de cargas alcança x=l,

em t=tf=l, pois o efeito de captura é qrande. Indicamos tf na Fi­

gura, com a linha tracejada.

Para baixa densidade de armadilllas na amostra, só ating~

mos o potencial residual quando essencialmente todas as cargas li

vres deixarem a amostra, após tt' que es tá indi cado para a cur

va I, pois a captura é baixa e é grande a densidade de cargas que

deixa a amostra entre tf e tt' alterando sensivelmente o pot2n

cial superficial neste intervalo de tempo.

65

CARlTULO V

OUTROS RESULTADO;) CERAIS

Durante nossos estudos do es l:aé;,otr'ansiente, algum:ls re§..

postas do material l-D chamaram nOSSii atenção! ou por terem apli­

cação prática 1 ou por revelarem aspE~ctO:::importantes do comporta­

mento do portador no interior da amo,3tré,.

Umresultado geral que pode ser obtido é o da variaçao e~

pacial de uma carga emitida em x=O, também na hipótese de o mate­

rial l-D possuir armadilhas profundas, mas independente da condi­

ção de contorno a que está sujeita a amostra, este último fato

permitindo a obtenção de um resultado geral em circuito fec:lado .

Verificou-se, ainda, que sempre a mesma fração de cargas que saíam

da superfície eram aprisionadas numa dada posição, do que se con ­

clui que o potencial superficial decairii sempre da mesma fr ação ,

independendo da prévia existência ou não de cargas nas armôdi lhas.

Isto nos permitiu encontrar uma solução para o caso do potencial

residual atingido após sucessivas descargas coronas, onde ocorria

injeção total de cargas.

Demonstraremos estas condiçôes a seguir.

,5.1- variação do Potencial Devido à } njeçao de uma Dada Quantida­

de de Carga.

Procuraremos deduzir como varia a carga livre ao ~;e des­

locar ao longo da amostra. Acompanharemos um elemento de carga 6.0,

de origem qualquer, através da amostra, com a corrente no ~;entido

positivo ie x, como esquematizado a seguir.

f

66

k I ------·---~I• I:1. ,---'7 I

,

i,

IIi

\I

o

o elemento de carga será definido por:

6.Q = p6.x

1'IC. 19 - Elemento de Car

ga se d(~:; locan-

do na amJstra.

( 107)

Não indicaremos nas equações as dependências das grande-

zas com x e t, só o faremos ocasionalmente, e usaremos apenas va-

riáveis reais.

Interessa-nos determinar a variaçao de 6.Qno espa(~o mas:

d(6.Q) =dt

d (6.Q) dxdx dt (108)

. d(6.Q)portanto se acnarmos~

5.1.1- Cálculo de d(6.Q)dt

Por 107

; poderemos determinar d(6.Q)

d(6.Q)qt

= ddt (p6.x)

(109 )

67

dpdt

= dP + ~at aX

!:lx

dt

Da equaçao da continuidade:

l2.at

= di

3x

da variação de cargas nas armadi lhas profundas e da definiçiio da

densidade de corrente, temos respecti vament.e:

i = llPE

que substltuídas na relação anterior:

apat = - Nlti - p li pE)dX

. ap. dE- N l - pE - - pp -.--lt. 3x dX

Portanto a-derivada total de p em relação ao tempo, con­

siderando ~~ assim determinado e a velocidade do portadorâ~-}JE,sera:

dQdt

=

68

$ub$t~tu;Lndo""'se q eguação de Po~ssor::

-ª.f2. = -N i - .HE-(p + pt)dt lt E

. - d(l1x)b) Determlnaçao de

d(6x2- _dt" -

Note que o segundo termo é a diferença das velocid]des

dos portadores em x2 e xl:

Da lei de Gauss:

aonde (p + Pt)6X é a densidade superficial da carga total conti

da em 6x. Então:

Substituindo d~~x) e dpdt em (109) r vem

d(6Q)dt

=

Voltando a equaçao (108) tem-·ó;e:

-NltI6x -d (6Q)dx

dxdt

01f:

69

=

= d (~Q)--dx

, pela aEf~niç~o de ~Q:

Integrando esta expressão em x obteremos para a carga em

determinada posição:

d(àQ") _ilQ" -

x

-N Jlt dx' Io

aonde Qo a carga que sai de x=O e Q é a carga na posição x.

Q = (110)

Desta expressao e da equaçao de balanço de cargas pode -

mQs obter a dependência das cargas presas com a posiçao. Integra~

do a equação de balanço:

tPt(~,t) = Nltbi(x,t)dt

mas i(x,tXlt=àq (x,t) 1 por (110)

_ -N_ dq(O,t)e ltX

assim

70

aonde t' ê o instante em que a ultima (,U'(Jél deixa x=O, suplndoque

ela começe a fazê-Io em t =0, e a int::;gnÜ n.os fornece a c,:trga to

tal que (c _xou a superfície e:r:nx=O, Q)

r:\ (x,t) ( 111)

portanto, numa dada posição x, sempn:; a mesma fração das cargas

que deixaram a superfície serão apris Lonadas. Podemos tamb<:rnafir

mar que em circuito aberto a variaçào do potencial de supe::'fÍcie

devido a uma injeção de carga será SE~mprea mesma independE~nteme!:!.

te da população de cargas já existente nas armadilhas profundas.

Na determinação de (110) e (111) não se fez considera

çoes a respeito de corno a carga entrou nem sobre as condiç<;,es de

contorno a que a amostra está submetida. Assim sendo, os n~sulta-

dos têem validade geral (sempre que se trate de armadilhas profug

das) podendo ser usados mesmo em circui to fechado, corno faremos

posteriormente.

5.2- Efeito de Múltiplas Descargas Ccn:onas no Caso de Inje~~ão To-

tal

Umtipo de~medida que ultimamente tem despertado :i ntere~

se é o de carregar-se urna amostra por corona até o potenciél1 su -

perficial Vo' esperar-se um tempo suficiente para a amostr'l ficar

ao correspondente potencial residual VI ' então carregar-sE~ nova­

mente a amostra até V e esperar-se atingir o potencial reEiduo

aI V2' repetindo-se o processo um determinado número de VE'2es.Ve-

rificamos ser este caso de fácil sohlç:ão para o caso de injeção t~

tal de cargas.

Considere termos feito urna descanJil corona na amestra,de

forma a atingir-se a voltagem V' entre'~ =0 e x =L. Esper -]' s o ­o

71

correr o dec~iJnento da vo1tÇl,gematé ç

determinado no capItulo anterior e É~:

Vd lu;c residua,l VIÜ'c ue

.J foi,

VR1=GV

o

1 e

-LNlt

com G = 1 - -- +.-= constante

LNlt LN1t

Para atingirmos novamente a. \/O ..t dsrem Vo' uma nova de~3caI

ga carona l :;ve, na verdade, fornecer ópcnaEi Vo - VR1 ' vi.s tu exi~

tir já a voltagem residual VIU no matcrJ.iJJ.. Após um tempo sufi

cientemente grande a voltagem atingirÚ (> valor residual VR2 :

= +G (Vo - VR1)

onde levamos em conta a existência de Vp1! devido às cargas apri­

sionadas na primeira descarga corona, e o termo G(Vo - VRl) nos

mostra o potencial residual devido ;~s cargas aprisionadas dpÓS a

segunda descarga corona, que como argumentado anteriormente sera

uma fraç~o constante G do potencial que a superfície havia atin -

gido, (Vo - VRl) .

Substituindo G = VRI/Vo na equaçao anterior e apó:; aI ­

gumas manipulações obtemos:

VR2vo

De forma semelhante podemos obter o potencial resiJ.ual

VR3' apbs a terceira descarga carona:

e substituindo-se VR2 e G em termos de v1Ü e V~ obtém-se:

72

"--""-.. -:=-T---="=-:C:~'::"O-:-_"-"

40 DO 60,001/ N llt -

2D,OO

--------p ---0,00

SN

FIG. 20 - Potencial residual após a n-ésima descar~ra co-

rona em função da densidade de armadilhas na ca

deia l-Do Valores de n: 1 (I), 5 (11), 10 (111) .

73

Para o potencial residual a.pós a quarta descarçrd t:eremos:

= vo

v_ V (1 _ RI) 4-o ---Vo

Assim podemos escrver urna px,?ressão genérica para o poten

cial residual após a n-ésima descarqa corona

A Figura 20 mostra o potencial residual em funç~o da den-

sidade de armadilhas, para números diferentes de descargas coronas

~ que se submete a amostra.

5.3- A Carga Total e o Primeiro Momento da Distribuição a partir

de Injeção em Circuito Fechado.

Apliquemos uma voltagem Ventre os eletredos na3 super­o

fícies do dielétrico corno no esquema abaixo:

~o

-l':

,---.--- 11.:-U --~~..-

I

I--._~I --

FIG.2l - Dielét.rico Bi-

metalizado em

circuito fecha

do, cc,mvolta-

gem aplicada.

Nesta situação observa-se que a corrente I, decrE~sce cog

tinuamente I devido à captura dos portadores pelas armadiJJ as pro-

fundas e tenderá a se anular para t.empos infinitos, quant~o prat:!:....

74

camente toda a voltagem é consumj,dçt n,:15 carqa.s captura.da.~i.

A densidade de corrente tota.l I É; a mesma em qualquer

secção do circuito, podendo ser posta. em função da variaç~ão tem

poral do campo e da corrente de conduçao na origem:

I - ~ dEo- l::dt

aonde i = i(O,t)o

+ lo

e E = E(O,t)o

sendo E (00) = E(O,oo) e E(O,O) = V /L, integrando a equação dao o

corrEnte no tempo, vem:

f Idto

=Eo(oo) 00

E f dE + J iodtEo o

(112 )

aonde q é a carga total que sai de x ,= O. E (00) é desconheci -o o

do e será determinado a seguir.

Para tern~o tendendo a infinito praticamente todas as

cargas estão presas,· então a equação de Poisson poderá ser es -

crita:

dE =E ax por ( 111)

Integrando esta equação em x, com t --r 00:

portanto:

E,

r~jE =) ,EO ((Xl)

N1tQo

7S

x x' J

( -Nlt . dx j ie)

o

E = E (00) +o ~Q [1 -t:

N 'i'. ,--, 1 t"'1

e -' .! (113)

Integrando esta expressão i::ml~oda a' amostra com u poten­L

tencial da superfície dado por V := r Edx, obteremos para o campoo D

na supelficie em x=O, num tempo infinito:

E (00) ­o

Voltando com esta express.3.c) E:~lll (112), tiramos uma expres

sao para a carga que deixou x=O, qo:

(114)

A obtenção de q permite-nos determinar duas grandezas ao

carga total, Qt' e o primeiro momento da distribuição de cargas ,M.

A carga total pode ser obtida de (113) I fazendo a diferença

E(L) - E(O) e multiplicando por A, án!a da amostra. Usando também

(114) chega-se a

00

(115)

) primeiro momento da distribuição, na situação de inte-

resse, e:

Mas Pt foi determinado em (EU l e trazendo o seu valor

BIBLIOTECA DO INSTITUTO DE FISICA E oulMICA DE SÃO CARLOS • USP

FI S IC A

76

em M a.c~mq:

M=

resolvendo a filtima integral por partes teremos:

M = - l-~~ 11L 1 00l(-- -L) e + ---J [J Idx IN1t N1t o

(116)

5.3.1- Obtenção do centróide de carqJS

o centróide de cargas é definido como:

-X =

Subs ti tuindo M de (116) e Q'Lde (115) chega-se a:

-X =

1 1-N L [N-~_m _ ( 1 -N L

(l-e lt) lt Nl~ + L)e lt ](117)

o centróide de cargas pode ser determinado experiTlental-

mente I em amostras bimetalizadas (isto é, com dois eletrÔclios co

mo no caso da injeç~o ora sendo considerada) pelo mªtodo deI pulso

térmico aplicado sucessivamente nos dois eletrõdios(14).

E a express ão (117) mostra que de XI Nlt pode ser calcu­

lado. Se a medida fornecer a carga tamb(~m (através de adequada c~

libraç~o, veja referªncia (14», o valor de Nlt sair~ mais simE ­

plesmente da (115), supondo naturalmente que a integral da corren

te durante a ,injeção tenha sido medida.

77

CAJ;'~'l'ULO \1

CONCLUSC)E:;

.Nos materiais l-D existe 1]TI! CTmpo crítico] a part ir do

qual a captura de portadores é deterrÜnada pelo campo elét :r::Lco.

Consideramos que a probabilidade de c~scape do portador Em ~:;esem

pre independente do tempo.

Em nosso trabalho obti vemo~ a característica volt agem-

corrente I no estado estacionário inLtuenciado por armadi 11 as r-ª.

s.as, para materiais l-D na situação de campo maior e no ertorno

do crítico. Na primeira situação a corrente mostrou véu·iaçao

quadr~tica com o potencial, quando Este ª baixo, e variaç~o li-

near com altos valores do potencial. Para campos da ordem do

crítido a an~lise da corrente depende tambl~mdo coefi.ciente de

difusão, Dois a captura é determinada pela ação conjunta do cam

po e da difusão.

Estudamos ainda o decaimento do potencial superfi cial,

em circuito aberto, em amostra l-D com armadilhas profundas e

carregada por um pulso de corona, nos casos de injeção total e paJ;..

cial de cargas. No caso de injeção t.otal a razão entre o poten-

cial residual e o inicialmente atin9j.do ª uma constante, que de

pende da densidade de armadilhas na cadeia I-D. Como o pot.en

cial é uma grandeza mensurável, podem03 assim determinar éI den-

sidade de armadilhas ao longo da cadei3..

Mostramos que, numa dada posiçao, a densidade de carga

nas armadilhas independe da forma corno as cargas entraram e sem

pre a mesma fra ·ão de carga injetada é capturada. A última con-

dição nos possibi li tou determinar a 'sucessão de potenciais resi

duais obtidos quando a amostra é recarregada ao potencial ini -

cial após cada descarga.

78

Pelo fa.to da densidade dr? canja numa J?osiçáo in.c1:~pen. -

der da forma de injeção foi POSSí\Ft:d cdlcularmos a ca.rsra' °primeiro momento da distribuição de CéJ~srêlS e daí o centrS de de

cargas, em circuito fechado.

Desta forma fica determinddD nm rneio de obtenção da

densidade de armadilhas ao longo da cacleia, pois tanto o:(~n

tróide quanto a carga total podem ~;c,r obtidos experimenta Lmente.

79

1 - WILSON, E.G. - J.Phys.C: Solid SLatc 1'bys. 1:1.., 2885 (l (W)

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11 - KANAZAWA,K.K. & BATRA,I.P. - J.21.ppl.Phys. il, 1845(197:::)

12 .- FIGUEIREDO ,M.T. - Em comunicação pe:;soal, cedeu-me os J:"esul

tados obtidos na extensão da Fj.g. 13 para menores vél0 ­

res de T.

13 - Em comunicação pes soal, o Prof. Gr OS,3 , B. relatou que, j r.nta­

mente com o Pro;t.Von Seggern,H.,Lell1 feito medidas que indi

cam a uni-dimensionalidade do 'l'eflon'-I"EP.

14 - YOSHIDA,M. - "Montagem da técnica do pulso térmico e sua a­

plicação ao estudo da evoluç21o d(~ cargas termicamente a.,.­

tivadas da superfície". IFQSC ." USP - 1983, Cap.I pg.13.


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