introduÇÃo À eletrÔnica bma/bmb/sem. semicondutores

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INTRODUÇÃO À ELETRÔNICA BMA/BMB/SEM

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Page 1: INTRODUÇÃO À ELETRÔNICA BMA/BMB/SEM. SEMICONDUTORES

INTRODUÇÃO À ELETRÔNICA

BMA/BMB/SEM

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SEMICONDUTORESSEMICONDUTORES

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Origem do termo semicondutor

Um semicondutor é um material que possui um nível de condutividade em algum ponto entre os extremos de um isolante (condutividade muito baixa) e um condutor.

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Bandas de Energia

Banda de energia K L M N O P QN.o máximo de elétrons 2 8 18 32 32 18 2

Modelo atômico de Bohr.

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Bandas de EnergiaQuanto maior a energia do elétron, maior é o raio de sua

órbita. Assim, um elétron da órbita Q tem mais energia que um elétron da órbita P. Este por sua vez, tem mais energia que um elétron da órbita O e assim por diante.

Banda de energia K L M N O P QN.o máximo de elétrons 2 8 18 32 32 18 2

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Bandas de Energia

Banda de Valência ou Órbita de Valência

È a órbita mais externa de um átomo e define a sua valência.

Ou seja a quantidade de elétrons que pode se libertar do átomo através do bombardeio de energia externa (calor, luz ou outro tipo de radiação) ou se ligar a outro átomo através de ligações covalentes (compartilhamento dos elétrons da última órbita de um átomo com os elétrons da última órbita de outro átomo).

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Bandas de Energia

Banda de Valência ou Órbita de Valência

Os elétrons da banda de valência são os que têm mais facilidade de sair do átomo.

têm uma maior energia; e

estão a uma distância maior em relação ao núcleo do átomo, logo a força de atração eletrostática é menor.

Desta forma uma pequena quantidade de energia recebida é suficiente para que se tornem elétrons livres, formando assim, uma banda de condução, sendo capazes de se movimentar pelo material.

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Bandas de EnergiaOs elétrons livres sob a ação de um campo elétrico

formam a corrente elétrica como mostra a figura abaixo.

Formação de elétrons livres

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Bandas de EnergiaCaso a banda de valência não possua o número máximo

de elétrons permitido será a responsável pelas ligações covalentes com os outros átomos de forma a tornar a ligação atômica estável.

O tamanho dessa banda proibida na última camada de elétrons define o comportamento elétrico do material.

Região proibida é a região entre uma órbita e outra onde não é possível existir elétrons. Devido a essas órbitas estarem a distâncias bem definidas em relação ao núcleo do átomo é que determinou esta região.

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Bandas de Energia

a) isolante b) condutor c) semicondutor

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Características dos materiais semicondutores

Resistividade (ρ, letra grega rô): é uma característica própria do material e independe da geometria do mesmo.

Resistência: é uma propriedade do corpo e depende da geometria do mesmo.

Resistividade X Resistência

Podemos encontrar peças feitas com materiais diferentes (diferentes resistividades), mas com a mesma resistência.

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A resistividade afeta diretamente a resistência de um material. Essa dependência fica clara através da análise da equação abaixo.

Características dos materiais semicondutores

R= ρ.L/A

Onde:

R-resistência do material, medido em ohms (Ω)

L-comprimento do material, medido em metros (m)

A-área da secção transversal, medido em metros quadrados (m2) e;

ρ-resistividade, medida em Ω x m.

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Características dos materiais semicondutores

Condutor Semicondutor Isolante

ρ ≡ 10-8 m ρ ≡ 50.10-2 m

(Germânio)ρ ≡ 1010 m

(Cobre) ρ ≡ 500 m

(Silício)(mica)

Tabela 1- Resistividade de materiais condutores, semicondutores e

isolantes a 300º K.

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Os materiais semicondutores possuem um valor intermediário de resistividade.

Características dos materiais semicondutores

Os materiais semicondutores podem mudar, de forma bem acentuada, sua resistividade e por conseqüência sua resistência elétrica, apenas com o aumento da energia térmica ou da energia luminosa fornecida a eles, essa característica é muito importante no desenvolvimento de dispositivos sensíveis ao calor e à luz.

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O processo que muda significativamente as características do material, através da aplicação de impurezas, é conhecido como dopagem e é de fundamental importância para a obtenção de diodos e transistores.

Características dos materiais semicondutores

Os materiais semicondutores, como o germânio e o silício, podem passar de condutores de corrente elétrica relativamente pobres para bons condutores, apenas com a aplicação de algumas impurezas (do tipo adequado) em suas estruturas.

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Os mais comuns e mais utilizados são o silício (Si) e o germânio (Ge); e

Estrutura semicondutores

Existem vários tipos de materiais semicondutores;

Estes dois elementos são tetravalentes (família IV A), portanto possuem quatro elétrons em sua camada de valência

O Si e o Ge são tetravalentes, cada átomo pode realizar quatro ligações covalentes com outros quatro átomos.

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Distribuição dos elétrons nos átomos de silício e germânio.

Estrutura semicondutores

Page 18: INTRODUÇÃO À ELETRÔNICA BMA/BMB/SEM. SEMICONDUTORES

Estrutura semicondutoresQuando átomos de silício se combinam para formar um

sólido, eles são arranjados segundo um padrão ordenado chamado cristal ou estrutura cristalina.

Representação tridimensional Representação simplificada plana.

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Materiais

» Germânio;» Silício.

• Quanto à condutividade, os materiais são:

SEMICONDUTORES

– Bons condutores;– Maus condutores;– Isolantes.

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Estrutura cristalinaEstrutura cristalina

Forma definida, regular e Forma definida, regular e estávelestável;;

Formada a partir de ligações covalentes;Formada a partir de ligações covalentes;

•Germânio e silício: 4 elétrons de valência;Germânio e silício: 4 elétrons de valência;

•Combinam-se pela regra do octeto;Combinam-se pela regra do octeto;

•Assim sendo, 4 ligações covalentes;Assim sendo, 4 ligações covalentes;

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Estrutura cristalinaEstrutura cristalina

Estabilidade: Não perde suas características Estabilidade: Não perde suas características com facilidade;com facilidade;

Ainda assim recebe ou libera elétrons Ainda assim recebe ou libera elétrons dependendo da energia;dependendo da energia;

•Térmica, luminosa, magnética, Etc.Térmica, luminosa, magnética, Etc.

Elétron livre e a “sua vaga”: Elétron livre e a “sua vaga”: PORTADORESPORTADORES..

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Estrutura cristalinaEstrutura cristalina

Representação tridimensional Representação simplificada plana.

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PortadoresPortadores

Elétrons livres: Elétrons livres: PORTADORES NEGATIVOSPORTADORES NEGATIVOS;;

Lacunas (“suas vagas”): Lacunas (“suas vagas”): PORTADORES POSITIVOSPORTADORES POSITIVOS;;

Igual quantia de portadores num material: Igual quantia de portadores num material: CARGA CARGA ELÉTRICA NULAELÉTRICA NULA;;

Portanto, necessidade da inserção de impurezas: Portanto, necessidade da inserção de impurezas: DOPAGEMDOPAGEM;;

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Materiais ExtrínsecosMateriais Extrínsecos

Um material semicondutor que tenha sido Um material semicondutor que tenha sido submetido a um processo de dopagem é chamado de submetido a um processo de dopagem é chamado de material extrínseco.material extrínseco.

A dopagem é adição de certos átomos de A dopagem é adição de certos átomos de impurezas ao material semicondutor relativamente impurezas ao material semicondutor relativamente puro.puro.

Há dois materiais extrínsecos de muita Há dois materiais extrínsecos de muita importância para a fabricação de dispositivos importância para a fabricação de dispositivos semicondutores: semicondutores: o tipo N o tipo N e o e o tipo Ptipo P. .

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Elemento Elemento PP: Maior quantidade de : Maior quantidade de BURACOS ou BURACOS ou LACUNASLACUNAS;;

•Inserção de impurezas (dopagem) aceitadoras Inserção de impurezas (dopagem) aceitadoras (apenas 3 elétrons de valência):(apenas 3 elétrons de valência):

Geração de elementos N e Geração de elementos N e PP

as impurezas trivalentes são chamadas de as impurezas trivalentes são chamadas de impurezas tipo P ou aceitadoras.impurezas tipo P ou aceitadoras.

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Geração de elementos N e Geração de elementos N e PP

Cristal de silício com impureza trivalenteCristal de silício com impureza trivalente

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Geração de elementos N e Geração de elementos N e PP

Semicondutor tipo Semicondutor tipo PP

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Geração de elementos Geração de elementos NN e P e P

Elemento Elemento NN: Maior quantidade de: Maior quantidade de ELÉTRONS ELÉTRONS LIVRESLIVRES;;

•Inserção de impurezas (dopagem) doadoras (5 Inserção de impurezas (dopagem) doadoras (5 elétrons de valência) material pentavalente:elétrons de valência) material pentavalente:

as impurezas pentavalentes são chamadas de as impurezas pentavalentes são chamadas de impurezas tipo N ou doadoras.impurezas tipo N ou doadoras.

Page 29: INTRODUÇÃO À ELETRÔNICA BMA/BMB/SEM. SEMICONDUTORES

Geração de elementos Geração de elementos NN e P e P

Cristal de silício com impureza Cristal de silício com impureza pentavalentepentavalente

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Geração de elementos Geração de elementos NN e P e P

Semicondutor tipo Semicondutor tipo NN

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Deslocamento de cargas nos elementosDeslocamento de cargas nos elementos

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Junção PNJunção PN

O diodo semicondutor é constituído O diodo semicondutor é constituído basicamente por uma junção PNbasicamente por uma junção PN

Junção PNJunção PN

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Junção PNJunção PN

Junção PNJunção PN

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Junção PNJunção PN

Na fronteira, elétrons livres completam as lacunas;Na fronteira, elétrons livres completam as lacunas;

Formação de íons positivos e negativos;Formação de íons positivos e negativos;

Criação de uma DDP que impede novas combinações: Criação de uma DDP que impede novas combinações:

BARREIRA DE POTENCIALBARREIRA DE POTENCIAL

Também conhecida como zona de depleção ou de transição.Também conhecida como zona de depleção ou de transição.

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Junção PNJunção PN

Diferença de potencial criada na Diferença de potencial criada na barreira depotencial.barreira depotencial.

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Junção PNJunção PN

Símbolo elétrico do diodo semicondutor.Símbolo elétrico do diodo semicondutor.

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Polarização direta da junção PNPolarização direta da junção PN

Os portadores são empurrados em direção ao cristal oposto;Os portadores são empurrados em direção ao cristal oposto;

Intensa redução da barreira de potencial;Intensa redução da barreira de potencial;

Criação de uma alta corrente do cristal N para o P;Criação de uma alta corrente do cristal N para o P;

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Polarização inversa da junção PNPolarização inversa da junção PN

Os portadores são atraídos pelos pólos da fonte;Os portadores são atraídos pelos pólos da fonte;

Favorece o aumento da barreira de potencial;Favorece o aumento da barreira de potencial;

Ausência Ausência quasequase total de corrente nos cristais; total de corrente nos cristais;

•Circulação de apenas uma corrente de fuga desprezível.Circulação de apenas uma corrente de fuga desprezível.

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RESUMORESUMO

Valores típicos de tensão direta:Valores típicos de tensão direta:

•Silício: 0,7V;Silício: 0,7V;

•Germânio: 0,2V.Germânio: 0,2V.

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Diodo semicondutorDiodo semicondutor

Também comumente chamado de diodo retificador.Também comumente chamado de diodo retificador.

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Fontes de tensãoFontes de tensão

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Fonte de tensão retificadoraFonte de tensão retificadora

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Retificador de ½ ondaRetificador de ½ onda

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Retificador de onda completaRetificador de onda completa

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Retificador em ponteRetificador em ponte

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LEDLED

Do inglês: Do inglês: LLight ight EEmitter mitter DDiode;iode;

Toda junção dissipa energia quando conduzindo;Toda junção dissipa energia quando conduzindo;

Nos diodos retificadores, em forma de radiação infravermelha;Nos diodos retificadores, em forma de radiação infravermelha;

Os LEDs irradiam energia em forma de luz Os LEDs irradiam energia em forma de luz purapura;;

Devem ser polarizados diretamente;Devem ser polarizados diretamente;

Tensão direta em torno de 1,5 a 2,5 volts;Tensão direta em torno de 1,5 a 2,5 volts;

Tensão inversa em torno dos 4 volts;Tensão inversa em torno dos 4 volts;

•PROIBITIVO.PROIBITIVO.

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TransistoresTransistores

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TransistoresTransistores

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TransistoresTransistores

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TransistoresTransistores

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TransistoresTransistores

VcVc VeVe

VbVb

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ConfiguraçõesConfigurações

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Amplificador em emissor comumAmplificador em emissor comum

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OsciladoresOsciladores

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OsciladoresOsciladores

ansformadoransformadorArmstrongArmstrongArms ongArms ongTRTR

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OsciladoresOsciladores

artleyartleyHH

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OsciladoresOsciladores

olpittsolpittsCC

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Osciladores a cristalOsciladores a cristal

Utilizam um cristal piezoelétrico;Utilizam um cristal piezoelétrico;

Geralmente o quartzo;Geralmente o quartzo;

Vibram em uma freqüência de ressonância;Vibram em uma freqüência de ressonância;

Funcionamento idêntico ao tanque LC;Funcionamento idêntico ao tanque LC;

Seu uso garante alta estabilidade de freqüência do oscilador.Seu uso garante alta estabilidade de freqüência do oscilador.

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FONTES DE ENERGIAFONTES DE ENERGIA

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ClassificaçãoClassificação

Componente capaz de gerar uma DDP por meios próprios;Componente capaz de gerar uma DDP por meios próprios;

Estudaremos 3 tipos básicos:Estudaremos 3 tipos básicos:

– Fontes eletrônicas;– Pilhas ou baterias;– Dispositivos piezoelétricos.

Page 61: INTRODUÇÃO À ELETRÔNICA BMA/BMB/SEM. SEMICONDUTORES

Fontes químicasFontes químicas

Formadas pela combinação de diferentes materiais;Formadas pela combinação de diferentes materiais;

Esta combinação converte energia química em elétrica;Esta combinação converte energia química em elétrica;

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PilhaPilha

Formada pela combinação de:Formada pela combinação de:

Ex. de eletrodos: zinco e cobre;Ex. de eletrodos: zinco e cobre;

O eletrólito pode ser ácido ou alcalino;O eletrólito pode ser ácido ou alcalino;

Pode ser também líquido ou pastoso:Pode ser também líquido ou pastoso:

– Um par de eletrodos metálicos diferentes;

– Composto químico condutor (ELETRÓLITO);

– Líquido: PILHA ÚMIDA;

– Pastoso: PILHA SECA;

Também conhecida como célula química;Também conhecida como célula química;

Conexão de várias células: BATERIA.Conexão de várias células: BATERIA.

Classificadas em PRIMÁRIAS e SECUNDÁRIAS.Classificadas em PRIMÁRIAS e SECUNDÁRIAS.

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PilhaPilha

EletrólitoEletrólito

EletrodosEletrodos

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Princípio de funcionamentoPrincípio de funcionamento

Um deles perde elétrons para o eletrólito;Um deles perde elétrons para o eletrólito;

Dessa forma:Dessa forma:

– Um eletrodo fica carregado negativamente;

– O outro, positivamente.

Há uma reação química dos eletrodos com o Há uma reação química dos eletrodos com o eletrólito;eletrólito;

O outro ganha elétrons do eletrólito;O outro ganha elétrons do eletrólito;

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Pilhas primáriasPilhas primárias

Não devem ser reutilizadas;Não devem ser reutilizadas;

Devem ser retiradas com o fim do uso:Devem ser retiradas com o fim do uso:

– Risco de vazamento do eletrtólito.

Não podem ser recarregadas;Não podem ser recarregadas;

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Pilhas secundáriasPilhas secundárias

– Usar somente água destilada.

São recarregáveis;São recarregáveis;

Carga semelhante à de um capacitor;Carga semelhante à de um capacitor;

Na recarga é produzido gás H e O;Na recarga é produzido gás H e O;

Por isto a água das pilhas deve ser reposta;Por isto a água das pilhas deve ser reposta;

A mesma não deve conter impurezas:A mesma não deve conter impurezas:

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Exemplos de pilhasExemplos de pilhas

É o tipo mais comum e mais comercializado;É o tipo mais comum e mais comercializado;

É um dos tipos mais antigos de pilha seca;É um dos tipos mais antigos de pilha seca;

Usa uma haste de carbono num cilindro de zinco;Usa uma haste de carbono num cilindro de zinco;

Tensão nominal na ordem de 1,5V.Tensão nominal na ordem de 1,5V.

Zinco-carbonoZinco-carbono

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Exemplos de pilhasExemplos de pilhas

É uma pilha seca secundária;É uma pilha seca secundária;

Usa o óxido de cádmio e hidróxido de níquel;Usa o óxido de cádmio e hidróxido de níquel;

Única bateria seca acumuladora de reação química Única bateria seca acumuladora de reação química reversível;reversível;

Isto lhe permite várias recargas;Isto lhe permite várias recargas;

É encapsulada em vários formatos.É encapsulada em vários formatos.

Níquel-cádmioNíquel-cádmio

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Exemplos de pilhasExemplos de pilhas

É uma pilha primária;É uma pilha primária;

Usa o hidróxido de potássio como eletrólito;Usa o hidróxido de potássio como eletrólito;

Tem eletrodos de dióxido de manganês e zinco;Tem eletrodos de dióxido de manganês e zinco;

Possui a mesma construção da zinco-carbono;Possui a mesma construção da zinco-carbono;

Porém, possui maior vida útil;Porém, possui maior vida útil;

Tensão nominal de 1,5V.Tensão nominal de 1,5V.

AlcalinaAlcalina

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Exemplos de pilhasExemplos de pilhas

Recarregável, composta por células de chumbo;Recarregável, composta por células de chumbo;

As células são unidas por separadores:As células são unidas por separadores:

Bateria chumbo-ácidoBateria chumbo-ácido

– Madeira porosa;

– Madeira perfurada;

– Fibra de vidro.

Placas positivas: PERÓXIDO DE CHUMBO;Placas positivas: PERÓXIDO DE CHUMBO;

Placas negativas: CHUMBO POROSO OU ESPONJOSO;Placas negativas: CHUMBO POROSO OU ESPONJOSO;

Eletrólito: solução de água e ácido sulfúrico;Eletrólito: solução de água e ácido sulfúrico;

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Exemplos de pilhasExemplos de pilhas

Uso mais comum em automóveis e aeronaves;Uso mais comum em automóveis e aeronaves;

Bateria chumbo-ácidoBateria chumbo-ácido

Recarregadas por alternadores ou similares;Recarregadas por alternadores ou similares;

Também desprendem gases O e H;Também desprendem gases O e H;

Ou seja, também necessitam de água destilada.Ou seja, também necessitam de água destilada.

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Fontes EletrônicasFontes Eletrônicas

Conversores e reguladores de energia elétrica;Conversores e reguladores de energia elétrica;

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InversoresInversores

Geram tensão AC a partir de uma fonte DC;Geram tensão AC a partir de uma fonte DC;

Largamente empregados nas aeronaves;Largamente empregados nas aeronaves;

Utiliza osciladores;Utiliza osciladores;

Pode ainda utilizar amplificadores;Pode ainda utilizar amplificadores;

Existem os que utilizam motores CC.Existem os que utilizam motores CC.

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Fontes linearesFontes lineares

São as mais utilizadas (eliminadores de pilha);São as mais utilizadas (eliminadores de pilha);

Seu componente básico é o Ckt. Retificador.Seu componente básico é o Ckt. Retificador.

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Retificador de ½ ondaRetificador de ½ onda

VR = Vp . 0,318

VR = Vef . 0,45Indicados para correntes de carga de até 30mA.Indicados para correntes de carga de até 30mA.

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Retificador de onda completa (CT)Retificador de onda completa (CT)

VR = Vp . 0,636

VR = Vef . 0,9

Page 77: INTRODUÇÃO À ELETRÔNICA BMA/BMB/SEM. SEMICONDUTORES

Retificador de onda completa (PT)Retificador de onda completa (PT)

VR = Vp . 0,636

VR = Vef . 0,9

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Filtros de tensãoFiltros de tensão

Reduzem o nível de variação do CKT retificador;Reduzem o nível de variação do CKT retificador;

O mais simples e mais utilizado: O mais simples e mais utilizado: 1 capacitor1 capacitor;;

Baseado em suas constantes de carga e descarga;Baseado em suas constantes de carga e descarga;

Tais constantes geram uma rampa;Tais constantes geram uma rampa;

Em conseqüência, reduz-se a oscilação (RIPPLE):Em conseqüência, reduz-se a oscilação (RIPPLE):

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Filtros de tensãoFiltros de tensão

O ripple é calculado com o FATOR DE RIPPLE(r);O ripple é calculado com o FATOR DE RIPPLE(r);

Também através da Também através da PORCENTAGEM DE ONDULAÇÃO;PORCENTAGEM DE ONDULAÇÃO;

Quanto mais sensível a carga, menor deve ser o fator Quanto mais sensível a carga, menor deve ser o fator de ripple ou a porcentagem de ondulação:de ripple ou a porcentagem de ondulação:

Vdc.32

Err 100.rond%

Er = tensão pico-a-pico do ripple;Er = tensão pico-a-pico do ripple;

Vdc = tensão média constante da carga.Vdc = tensão média constante da carga.