Florianópolis, abril de 2009.

Prof. Clóvis Antônio Petry.

Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de Santa Catarina

Departamento Acadêmico de Eletrônica

Eletrônica Básica e Projetos Eletrônicos

Transistores Bipolares

de Junção

Nesta aula

Seqüência de conteúdos:

1. Introdução;

2. Construção dos transistores;

3. Operação dos transistores;

4. Configuração emissor comum;

5. Polarização;

6. Limites de operação;

7. Transistores Darlington;

8. Encapsulamento de transistores;

9. Principais características de catálogo;

10.Tipos de transistores.

Bibliografia

www.ifsc.edu.br/~petry

Introdução

http://www.eletrica.ufpr.br/mehl/te040/historia_transistor.pdf

Histórico:

• Diodo a válvula – 1904 por J. A. Fleming;

• Triodo a válvula – 1906 por Lee De Forest;

• Transistor – 1947 por Walter H. Brattain e John Bardeen.

• Posteriormente: Mosfet, Igbt, Silicon Carbide, etc.

Amplificador com transistor bipolar.

Introdução

Oscilador controlado a cristal.

Introdução

Regulador de tensão com transistor bipolar.

Introdução

Construção do transistor

BJT – Transistor Bipolar de Junção: Lacunas e elétrons formam as correntes.

Construção do transistor

Construção do transistor

http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/BjtFet/index.html

Operação do transistor

Relembrando os diodos:

0DV V

Relembrando os diodos:

0DV V

Operação do transistor

Relembrando os diodos:

0DV V

Operação do transistor

Junção Base – emissor polarizada diretamente.

Transistor PNP:

Operação do transistor

Junção Base – coletor polarizada reversamente.

Transistor PNP:

Operação do transistor

Transistor PNP:

Correntes no transistor bipolar de junção.

Operação do transistor

A seta do símbolo gráfico define o sentido da corrente de

emissor (fluxo convencional) através do dispositivo.

PNPNPN

Configuração Emissor-Comum

Configuração Emissor-Comum

Na região ativa, a junção base-coletor é polarizada

reversamente, enquanto a junção base-emissor é

polarizada diretamente.

Aproximação linear das

características de base:

0BEV V

Configuração Emissor-Comum

E B CI I I

C EI I

Ccc

B

I

I

Ganho CC

Cca

B

I

I

Ganho CA

Configuração Emissor-Comum

2,7108

25

Ccc

B

I m

I

2 1

2 1

C C Cca

B B B

I I I

I I I

3,2 2,2100

30 20ca

m m

Exemplo:

Configuração Emissor-Comum

Configuração Emissor-Comum

http://hebergement.ac-poitiers.fr/l-cc-angouleme/coulomb-exos-phy/applets/transist_fonct/transist_fonct.htm

Polarização

C BI I

1E BI I

0,7BEV V

Limites de operação

Cmax CE CP V I

CEO C CmaxI I I

CEsat CE CEmaxV V V

CE C CmaxV I P

Transistores Darlington

1 2total

CB

total

II

Encapsulamento de transistores

Características de catálogo

Exemplos:

BC548

2N3055

Tipos de transistores

Transistores de uso geral:

Transistores de uso geral:

Pare

s c

om

ple

men

tare

sTipos de transistores

Transistores de uso geral:

Tipos de transistores

Transistores de média potência:

Tipos de transistores

Transistores de média potência:

Tipos de transistores

Transistores SMD:

Tipos de transistores

Transistores SMD:

Tipos de transistores

Transistores SMD:

Tipos de transistores

Transistores de alta potência:

Tipos de transistores

Transistores de alta potência:

Tipos de transistores

Transistores de rádio freqüência:

Tipos de transistores

Transistores integrados:

Tipos de transistores

Próxima aula

www.ifsc.edu.br/~petry

Seqüência de conteúdos:

1. Polarização de transistores;

2. Operação do transistor como chave;

3. Aplicações.