8/17/2019 Apendice_A_y_B

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 Apéndice A

Constantes físicas fundamentales

 Velocidad de la luz en vacío c0   [m/s] 3.00x108 

Permeabilidad magnética del vacío ε 0  [F/m] 8.85x10-12

Carga eléctrica del electrón q [C] 1.60x10-19 

Masa en reposo del electrón m0  [Kg] 9.11x10-31

Constante de Planck h [J s] 6.63x10-34

Constante de Boltzmann k [J/K] 1.38x10-23

Constante de Setfan-Boltzmann σSB [W/m2K 4] 5.7x10-8 

Número de Avogadro N  AV  [1/mol] 6.02x1023

 Algunas ecuaciones fundamentales

Longitud de onda λ asociada a fotones de frecuencia ν, y velocidad c:/cλ ν = .

Energía de fotones de frecuencia ν, y velocidad c:/ E h hcν λ = = .

Longitud de onda λ de fotones con energía E :1.24

µm

 (eV) E 

λ = .

Energía térmica a la temperatura absoluta T :kT  .

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 Apéndice B

Datos de algunos semiconductores a 300 K

Si a-Si Ge GaAs CuInSe2  CdTe

Constante(s) de red [nm] 0.5431 - 0.5658 0.5653 0.5782/1.1620 0.6477

Energía E  g   [eV](i: indirecto, d: directo)

1.12 (i) 1.7 (d) 0.664 (i) 1.43 (d) 1.02 (d) 1.48 (d)

 Afinidad electrónica  χ  [eV] 4.01 4.15 4.13 4.07 4.15 4.3

Constante dieléctrica relativa ε  11.8 11.9 16.2 13.2 13.6 10.2

Masas efectivas de densidad efectiva de estados meff,n/meff,p 

(en unidades de m0 )1.08/0.54 0.56 /0.29 0.067/0.47 0.077/0.087 0.09/0.6

Índice de refracción n (para hν  ≅ 1.5 eV) 3.44 4.00 3.6 2.96 2.75

Movilidades µn/µ p [cm2/Vs]

(salvo en a-Si, para monocristales intrínsecos)1500/450 1-10/0.1-1 3900/1900 8500/400 320/10 1050/100

Constante de recombinación radiante B [cm3s-1] 2×10-15 - 3.4×10-14  7×10-10  6.2×10-11  3×10-15 

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Parámetros de algunos metales

Cr Al Ag Au Pt

Constante de red a [nm] 0.288 0.405 0.409 0.408

Función de trabajo qΦm [eV] 4.26 4.12 5.65

Constante dieléctrica relativa ε  16.2 13.2 10.2

Eg (300 K) [eV]

(i: indirecto, d: directo)

Ge 0.664 (i)

Si 1.12 (i)

CuInSe2 1.02 (d)

InP  1.28 (d)

GaAs 1.43 (d)