Engenharia Eletrônica

Laboratório de Eletricidade II – LE2

Laboratório de Eletrônica I – LO1

Professores: Alberto Akio SHIGA e WAGNER de Aguiar

Experimento: 10

Título: TRANSISTOR

Data da Realização: ____/____/____

Data Limite de Entrega: ____/____/____

GRUPO: _______________

Turma: T4 – 1º semestre de 2015

Engenharia Eletrônica

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TRANSISTOR

I – Objetivo Observar e analisar o funcionamento do transistor, bem como sua polarização.

II – Materiais e equipamentos utilizados - Resistores (22Ω; 330Ω; 2,7kΩ; 5,6kΩ; 150kΩ) - Potenciômetro (100Ω ; 1kΩ) - Transistor BC548 - Protoboard - Fios para protoboard - 01 Fonte de alimentação DC - 02 Cabos Osciloscópio - 02 Cabos para a fonte de alimentação III – Procedimentos Experimentais - Meça com o ohmímetro analógico e anote no quadro abaixo as resistências diretas e reversas entre base-emissor e entre base-coletor.

Base-emissor Base-coletor

Rdireta

Rreversa

- Montar o circuito abaixo e variando-se a tensão de base, meça e anote o valor de IB, mantendo a tensão Vce = 3V, por meio do potenciômetro de 100 Ω.

Vbe (V) 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,75

Ib (mA)

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- Ajuste a corrente de base conforme a tabela, com o potenciômetro de 1kΩ. Varie a tensão Vce por meio do potenciômetro de 100Ω e para cada caso, anote Ic.

Vce (V) 0 1 2 3 4 5 Ib (mA)

Ic (mA)

0,00

0,05

0,10

0,15

0,20

- Polarização do Transistor. Nos circitos abaixo efetuar as medições e determinar o valor do β.

VR1(V) VR2(V) Ib (mA) Ic (mA) Ie (mA) Vbc (V) Vbe (V) Vce (V) β

VR1(V) VR2(V) VR3(V) Ie (mA) Ib (mA) Ic (mA) Vbe (V) Vce (V) β

R1 R2

R1

R2

R3

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VR1(V) VR2(V) VR3(V) VR4(V) Ie (mA) Ib (mA) Ic (mA) Vbe (V) Vce (V) β

QUESTIONÁRIOS

Dimensione RB, RC, RE, para polarizar o transistor abaixo. β = 200, VBE = 0,7V. Dados: VCC = 15V, VCE = VCC / 2, VRE = VCC / 10, IC = 30mA.

Determinar os resistores no circuito abaixo. β = 350, VBE = 0,7V. Dados: VCC = 12V, VCE = VCC / 2, VRE = VCC / 10, IC = 5mA, IB = IB2 / 10.

R1

R2

R3

R4

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Dimensione RB, RC, RE, para polarizar o transistor abaixo. β = 100, VBE = 0,7V. Dados: VCC = 15V, VCE . IC = 40mW, RC = 6 . RE .

Procedimentos para Medir e Identificar os

Terminais de Transistores 1) Devido à inversão da bateria interna do multímetro analógico, a medição de componentes semicondutores (com polaridade) é feita tendo consciência de que a ponta vermelha deverá ser, na verdade, o negativo (-) e a ponta preta deverá ser o positivo (+). (inverter mentalmente) 2) Colocar a chave seletora do Multímetro na posição “ohmímetro” X 1, a fim de determinar a base. 3) Procure localizar um terminal que, em relação aos outros dois apresente “baixa resistência”. - Se a base for encontrada com a ponta positiva “preta”, significa que o transistor é um NPN. - Se a base for encontrada com a ponta negativa “vermelha”, significa que o transistor é um PNP. 4) Encontrada a base, deve-se mudar a chave seletora do aparelho que está na menor escala de resistência (X 1) e posicioná-la em X10K, a fim de encontrar o coletor e emissor. 5) Inverter a ponta de prova com a qual foi achada a base. Depois, fazer a medida da resistência em relação aos outros dois terminais. O que apresentar menor resistência em relação à base será o emissor. Por conseqüência, o outro terminal será o coletor. - Verificação de Defeito em Transistor: * Os defeitos que podem ocorrer em um transistor são basicamente ocasionados por alta tensão e corrente aplicado a ele. Com isso, pode ocorrer a abertura da junção do transistor (aberto), curto-circuito e a “fuga”, que é a resistência apresentada na medição dos dois lados da junção. Em todos esses casos, o transistor estará danificado.

* Se a medição seguir os itens de 1 a 5, o transistor estará em bom estado.

Nas medições com o multímetro digital não é necessário inverter a polaridade das pontas de prova.