propriedades gerais de detectores de radiaÇÃo · germânio hiper puro - hpge detector...

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1 PROPRIEDADES GERAIS DE DETECTORES DE RADIAÇÃO Claudio C. Conti www.ccconti.com/instnuc

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1

PROPRIEDADES GERAIS DE

DETECTORES DE RADIAÇÃO

Claudio C. Conti

www.ccconti.com/instnuc

2

Propriedades gerais de um detector

1. Para que seja possível a detecção é imprescindível que ocorra uma

interação da radiação com o material do detector.

2. O resultado final da interação deverá ser a produção de elétrons

para, através de uma diferença de potencial, que as cargas sejam

coletadas com a produção de um sinal elétrico.

)(ti

ct

ct

dttiQ0

)(

tempo

Carga gerada Corrente

3

Propriedades gerais de um detector

Na situação real, muitos fótons interagem com o

detector em certo intervalo de tempo.

)(ti

tempo

A altura do pulso dependerá do número de elétrons liberados

que, por sua vez, dependerá da energia transferida para o

material do detector.

4

Energia /par de íons (W) e fator de Fano (F)

Material W(eV)

Gases 30

NaI(Tl) 20

Ge 3

Material F

Gases 0.2

NaI(Tl) 1

Ge 0.05

W

EN NFN .2

5

Modos de operação de detectores

Modo pulso

registra cada interação

individualmente

mede a energia não mede a energia

ESPECTROSCOPIA CONTADOR

Modo

corrente

mede a média da

corrente no tempo

Em campos de

radiação muito

altos, o modo

pulso é

impossível de ser

aplicado.

6

Modos de operação de detectores

a. Modo correnteIDetector

tempo

I(t)

qW

ErrQI 0

r taxa de eventos

Q = Eq/W carga produzida por evento

E energia média depositada por evento

q 1.6E-19C

amperímetro

I(t)

I0

7

Modos de operação de detectores

b. Modo pulso

tempo

V(t)

tc

Vmax

WC

Eq

C

QV max

Como q, W e C

(capacitância) são

constantes :

Vmax é proporcional a E.

Detector C R V(T)

8

Sistema de medida de pulsos

detector

HV pré-amp. monocanalamp. contador

mV 0 a 10 V 5 V

9

Resolução em energia

Para a identificação de radionuclídeos é necessário a medida da

distribuição em energia da radiação incidente:

ESPECTROSCOPIA DE RADIAÇÃO.

ctg

altura de pulso

resolução boa

resolução pobre

10

Resolução em energia

H

FWHMR

35.2FWHM

y

y/2

H

FWHM

...2222

DRIFTRUÍDOCOESTATÍSITITOTAL FWHMFWHMFWHMFWHM

Duas energias são bem distinguidas quando a diferença entre elas seja

maior que uma FWHM.

ctg

11

Resolução em energia - exemplo

44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56

0

10000

20000

30000

40000Pico de absorção total

2,2 keV em 50 KeV

Pu

lso

s p

or

ca

na

l

Energia (keV)

HPGe 0.1% Cintilador 5 – 10%

12

Eficiência de detecção

Pode ser dividida em duas classes:

1. eficiência absoluta

2. eficiência intrínseca

emitidosfótonsdenúmero

pulsosdenúmeroabs

incidentesfótonsdenúmero

pulsosdenúmeroint

qf

q>f

absq > abs f

intq int f

13

Geometria de detecção

Existe uma forte dependência entre dimensões da fonte e

distância do detector com a eficiência de detecção.

Ao determinar uma geometria de

contagem, esta deverá ser respeitada.

14

ESPECTROMETRIA

15

Espectroscopia gama

Análise quantitativa e qualitativa do radionuclídeo emissor gama.

Os principais detectores são:

1. Iodeto de Sódio – NaI(Tl) detector cintilador inorgânico;

baixo custo; alta eficiência; resolução pobre.

2. Germânio hiper puro - HPGe detector semicondutor; alto

custo para baixa eficiência; muito alto custo para alta

eficiência; ótima resolução.

16

Espectros

17

Efeito fotoelétrico

Efeito no qual o fóton desaparece transferindo toda a sua energia para um

elétron.

ligaçãoe EhvE

hv E

18

Efeito Compton

hv E

Efeito no qual o fóton transfere parcialmente sua energia para um

elétron.

q

q

cos1/1

cos1/2

0

2

0

cmhv

cmhvhvEe

fpf0

pq

eC EhvE

19

Produção de pares

hv E

Efeito no qual o fóton dá lugar ao aparecimento de dois elétrons.

2

02 cmhvEEee

2

02 cm

20

Efeitos do cristal – pequeno

dE

dN

Ehnhn20511

joelho Compton

Ec= hn -Ee(qp)

21

Efeitos do cristal – grande

dE

dN

Ehn

22

espalhamento

m?últiplo

Efeitos do cristal – médio

dE

dN

Ehn

hn0511

hn20511

espalhamento

múltiplo

joelho Compton

Ec= hn -Ee(qp)

23

Efeito da espessura

24

Efeitos da blindagem

dE

dN

Ehn~0,2 keV 0,511 keV

12 3

1

2

3

raio X caracterísitico

retro espalhamento

aniquilamento

25

Complicações no espectro

1. Escape de elétrons secundários

2. Escape de Bremsstrahlung

3. Escape de raio-X característico

4. Radiação secundária gerada perto da fonte

a. Radiação de aniquilamento

b. Bremsstrahlung

26

Efeito soma60Co

2505

1332

0

100%

100%

Fontes muito próximas ao detector

efeito soma

aparecimento de um pico cuja

energia é a soma das energias dos

fótons envolvidos..

dE

dN

Ehn1hn2hn2hn1

27

Efeitos em detector de germânio

28

Área do fotopico

29

Eficiência absoluta

kAiT

SE

...

área

tempo de

contagem

% de

emissãoAtividade

correção de

decaimento

30

Eficiência intrínseca

t

N

ε = eficiência do detector no fotopico ou

total (cps/γ/cm2);

N = taxa de contagem no fotopico ou total

(cps);

= fluxo emitido pela fonte ou que

incide sobre o detector (γ/cm2 .s);

t = tempo de contagem (s).

d4

e S =

2

d-

p

S = taxa de emissão da fonte

(γ/s);

μ = coeficiente de atenuação

linear total no ar (cm-1);

d = distância fonte-detector (cm).

31

Curva de eficiência

Efi

ciên

cia

(cp

m/g

ama

cm-1

s-1

)

Energia (keV)

10 2 10 3

10 2

10 3

Curva de eficiência para o detector HPGe, obtida por modelagem; os

pontos representam os valores obtidos experimentalmente.

32

Calibração em energia

121,79 493

244,69 985

344,27 1384

778,89 3125

867,32 3479

964,01 3866

1085,78 4354

1112,02 4459

1407,95 5644

y = 0,2497x - 1,2932

R² = 1

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

0 1000 2000 3000 4000 5000 6000

ener

gia

canal

33

Energia (MeV)

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Co

nta

gem

10-5

10-4

10-3

10-2

10-1

100

Espectro para o 137Cs obtido experimentalmente e o espectro obtido por simulação para

a energia de 661,66keV. O espectro experimental foi obtido pela subtração do espectro

obtido por medida direta da fonte pelo espectro obtido com a blindagem de sombra

posicionada.

Experimental e simulação

34

Espectro - NaI(Tl)

35

Espectro - HPGe

36

SEMICONDUTORES

37

O que é um semicondutor?

Nos materiais cristalinos há 3 bandas de energia: valência, condução e

proibida.

Banda de Valência Camada mais externa onde os elétrons estão

ligados à rede cristalina. Nesta banda os elétrons se localizam quando

não estão excitados.

Banda de Condução Banda em que os elétrons se encontram livres e

migram pelo cristal.

Banda Proibida Não é premitida a presença de elétrons.

38

O que é um semicondutor?

isolante

banda de

condução

banda de

valência

> 5 eV

banda de

valência

banda de

condução

semicondutor

~ 1 eV

Nos metais o último

nível de energia

ocupado não está

completamente

cheio; os elétrons

podem migrar pelo

material, pois

necessitam de um

pequeno incremento

de energia.

condutor

banda de

condução

banda de

valência

39

Portadores de carga

Os pares elétron-buraco se comportam como como os pares

elétron-íon nos gases.

40

Portadores de carga

41

Velocidade de deslocamento

V cm-1)

V cm-1)

42

Semicondutor intrínseco

Semicondutores completamente puros apresentam o número de

elétrons na banda de condução exatamente igual ao número de buracos

na banda de valencia (devido apenas a excitação térmica).

ni=pi

Embora seja possível sua descrição teórica, não é obtido na prática

devido a inviabilidade deste grau de pureza.

A propriedades elétricas destes materiais são dominados pela impureza

residual.

elétrons buracos

43

Semicondutor tipo N

Si Si Si

SiSi P

SiSi Si

doador de elétrons

banda de

valência

banda de

condução

semicondutor

Nível do

doador

dNn átomo

pentavalente

44

Semicondutor tipo P

Si Si Si

SiSi B

SiSi Si

receptador de

elétrons

banda de

valência

banda de

condução

semicondutor

nível do

receptor

rNp átomo

trivalente

45

Relação entre as concentrações de elétrons e buracos

1015

1010

105

intrínseco

ni = pi = 1010/cm3

tipo N

conc. doador=1015/cm3

tipo P

conc. receptador=1014/cm3

conc. de

elétrons

conc. de

buracos

46

Junção P-N

tipo N tipo Pdoador receptador

tipo N tipo Pdoador receptador

tipo N tipo Pdoador receptador

região de depleção

47

Região de depleção

tipo N tipo Pdoador receptador

d

eN

Vd

2

N = concentração do dopante

de menor concentração

V = HV

= energia de ionização

camada morta

48

Barreira de superfície

49

Detector barreira de superfície

50

Detector barreira de superfície

51

Amostras

52

HPGe

contato P

contato N

Planar Coaxial

10-30cm3Volume do cristal até 750cm3

53

HPGe coaxial

lítio difuso 0.5 mm de espessura

boro implantado 0.3 m de espessura

50 keV

efic

iên

cia

(%)

5 keV

efic

iênci

a (%

)

54

HPGe

55

HPGe

56

Detector HPGe

57

Detector HPGe

58

Amostras

59

Amostras

Fim

60