UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA CENTROAMERICANA

FACULTAD DE INGENIERIAS

Electrònica II

Secc.2343

Laboratorio 4: Respuesta en Frecuencia.

Equipo: Jerson Orlando Castillo Berrios………….…..11411205

Denuar Alberto Chirinos Rodriguez.………...11511328

Parcial: Primer.

Instructor: Ing. Ricardo Tellez Trochez.

Fecha: 13 de Agosto del 2019

Campus: Tegucigalpa D.C.

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ContenidoResumen Ejecutivo.....................................................................................................................3

Objetivos.....................................................................................................................................4

Marco Teòrico.............................................................................................................................4

Respuesta en Frecuencia de Transistores................................................................................4

Respuesta en Frecuencia.....................................................................................................4

Resultados Teòricos....................................................................................................................6

Resultados Experimentales.......................................................................................................11

Tabla_1..................................................................................................................................11

Tabla_2..................................................................................................................................11

Tabla_3..................................................................................................................................11

Tabla_4..................................................................................................................................12

Capturas de Osciloscopio......................................................................................................12

Cuestionario..............................................................................................................................16

Conclusiones.............................................................................................................................16

Bibliografía...............................................................................................................................17

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Resumen Ejecutivo

El la práctica del presente laboratorio 4 de electrónica se analizó a fondo la construcción y el

comportamiento de los amplificadores a baja y alta frecuencia, para los cuales se utlizaron un

transistor BJT 2N3904 y un FET 283821.

Ambos circuitos son prácticamente similares en su estructura, con pequeñas diferencias como

el valor de las resistencias, capacitancias y la frecuencia de la fuente AC, además del

componente principal (en este caso), el tipo de transistor a utilizar.

Se realizaron los 2 circuitos y se visualizó su fuente de excitación junto con su salida en el

osciloscopio para tomar comparaciones, conclusiones y apuntes.

Objetivos

Determinar la respuesta de los amplificadores en baja frecuencia.

Determinar la respuesta de los amplificadores en alta frecuencia.

Determinar la respuesta en frecuencia total de un amplificador.

Marco Teòrico

Respuesta en Frecuencia de Transistores

La respuesta en frecuencia en los amplificadores determina el rango en el cual trabajar· el

sistema sin producir ruido o distorsiòn a su salida. Este se conoce como ancho de banda ( BW,

Band Width ) y establece las frecuencias para las cuales se produce el proceso de amplificaciòn.

Esta caracterìstica depende de los dispositivos y de la configuraciòn amplificadora, en diversos

apartados, se describen las zonas de trabajo de un amplificador, se analiza la respuesta en

frecuencia de configuraciones bàsicas y se planifica una metodologìa que permite determinar el

ancho de banda para un amplificador multietapa.

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Respuesta en Frecuencia

La respuesta en frecuencia de un amplificador consta de tres caracteristicas:

1. La regiòn de baja frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro pasaalto.

2. Una regiòn independiente de la frecuencia ( àrea central de la curva ).

3. La regiòn de alta frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro pasabajos. La regiòn

de baja frecuencia se caracteriza por una frecuencia de corte inferior fL, la regiòn de

alta frecuencia se describe a travès de la frecuencia de corte superior, fH.

En la pràctica, si los circuitos son acoplados directamente, BW = fH. Para determinar la

respuesta en frecuencia de un amplificador monoetapa, se toman en cuenta tanto los efectos

producidos por los filtros de acoplo, como los efectos capacitivos del dispositivo activo. Para el

BJT se usar un modelo que describa los efectos de alta frecuencia. (Robert L. Boylestad, 2018,

pág. 545)

Ilustración 1 Frecuencias (GoUmh, s.f.)

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Resultados Teòricos

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Resultados Experimentales

Tabla_1

MEDICIONES

V ¿ (pico−pico) 59.20mV

V OUT ( pico−pico ) 1.24V

AV 20.946

AV (dB) 26.422

Tabla_2

MEDICIONES NUEVAS

V ¿ (pico−pico) 82mV

Frecuencia(Hz) 346.2HZ

Tabla_3

MEDICIONES

V ¿ (pico−pico) 57.6mV

V OUT ( pico−pico ) 148mV

AV 2.5694

AV (dB) 8.1966

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Tabla_4

MEDICIONES NUEVAS

V ¿ (pico−pico) 728mV

Frecuencia(Hz) 165Hz

Capturas de Osciloscopio

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Cuestionario

1. ¿En los circuitos diseñados con JFET la frecuencia inferior de corte está determinada

por cuales dos datos?

El capacitor y la resistencia conectados al surtidor.

2. ¿Qué sucede con la ganancia de voltaje y el desfasamiento de un amplificador en bajas

frecuencias? ¿Por qué?

La ganancia es alta y no hay desfasamiento.

3. ¿Cuántos y qué tipo de filtros tiene el circuito de la figura 1?

3 filtros pasa alta.

4. ¿Qué sucede con las capacitancias internas del transistor en altas frecuencias?

No se toman como circuito abierto ya que sus reactancias se vuelven muy pequeñas lo cual

hace que el transistor se vuelva un cortocircuito.

Conclusiones

Pudimos obtener y analizar las respuestas de un circuito en alta y baja frecuencia.

Comprobamos que para un circuito eléctrico es más determinante la respuesta en

frecuencia que en el tiempo.

Concluimos que para este caso, la ganancia del amplificador en baja frecuencia es

mucho mayor que el de alta frecuencia.

Establecimos las diferencias entre un amplificador que utiliza un transistor BJT y uno con un

FET.

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Bibliografía

Floyd, T. L. (2008). Dispositivos Electrònicos (octava ed.). Mèxico, Distrito Federal, Mèxico:

Pearson. doi:978-970-26-1193-6

GoUmh. (s.f.). Obtenido de https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitos-electronicos-

analogicos/transparencias/tema-5: https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitos-

electronicos-analogicos/transparencias/tema-5

Robert L. Boylestad, L. N. (2018). Electrònica: Teorìa de circuitos y dispositivos electrònicos.

(Decimoprimera ed.). (B. G. Hernàndez, Ed.) Mèxico, Distrito Federal, Mèxico: Pearson.

doi:978-607-32-4395-7