4741MEDIO DO COEFICIENTE SEEBECK DE AMOSTRAS SEMICONDUTORAS A BASE DE Si-Ge Evandro Fagundes do Couto, Lucas Mximo Alves Centro Interdisciplinar de Pesquisa em Materiais, Universidade Estadual de Ponta Grossa-CIPEM-UEPG, Al. Nabuco de Arajo 469, Cx. Postal: 1009, CEP- 84100-510, Ponta Grossa -PR, Brasil, lumaximo@if.sc.usp.br RESUMO UmaparelhoparamedidadocoeficienteSeebeckemfunodatemperaturafoi construdo com o objetivo de caracterizar materiais que apresentam propriedades termoeltricas, almserpossvelidentificarinstantaneamentesealgummaterialpossuipropriedades termoeltricas sensveis. A medida consiste na aplicao de uma diferena de temperatura (AT) entreasextremidadesdeumaamostracilndrica, obtendo como conseqncia umaddp(AV) termoeletricamenteproduzida.Arazoentreestasduasdiferenas(S=AV/AT)consisteno coeficientedetransformaodecaloremenergiaeltrica(CoeficienteSeebeckouPotncia Termoeltrica). O aparelho construdo em lato foi inicialmente calibrado, a partir de medidas semamostra,paraseobteracurva-basedainflunciadomaterialdeconstruona caracterizao. Observou-se que o coeficiente Seebeck produzido nesta configurao era muito inferior(1,8V/K)aodasamostrassemicondutorascaracterizadasposteriormente( 0,5mV/K), mesmo assim a medida real ainda pode ser obtida, pela subtrao das curvas. Por outro lado, as medidas realizadas em amostras semicondutoras a base de Si-Ge, apresentaram boa concordncia com os resultados experimentais j conhecidos e estes por sua vez concordam com osmodelostericosvigentesnaliteratura.Aperdastrmicasparecemnoinfluenciarnas medidas, sendo necessrio alguns cuidados especiais para se obter medidas com boa preciso, conforme descrito no contedo deste trabalho. ABSTRACT An apparatus to measure the Seebeck coefficient as a function of the temperature, was built to characterize materials that have thermoelectrical properties. Futher this, it is possible to identify instantaneously if some material have any sensible thermoelectrical properties. The measureconsistsinapplicationofadifferenceoftemperature(AT)betweentheendsofa cilindrical sample, which produces as consequence a ddp (AV) thermoelectrically produced. The ratiobetweenthistwodifferences(S=AV/AT)istheheat-electricalenergytransformationcoefficient(Seebeckcoefficientorthermoelectricalpower).Apparatuswasbuiltinbrassand initiallycalibratedmakingmeasurementswithoutsample,toobtainthebase-curveofthe influenceofconstructionmaterialinthecharacterization.WasobservedthattheSeebeck producedinthisconfigurationwasverylower(1,8V/K)thansemiconductorssamples characterizedlatter(0,5mV/K).Eventhoughtherealmeasurecanbeobtainedyet,bythe subtractionbetweenthecurves.Bytheotherside,themeasurementsrealizedonthe semiconductors samples based in Si-Ge (silicon-germanium alloys), showed a good agreement withtheexperimentalresultsalreadyknown,whoseagreetothetheoreticalmodelsinthe literature.Thethermallostsapparentlydonotinfluenciateinthemeasurements,butitis necessary some special cares to obtain good precision in the measures, according to was describe in the contents of this work. 4742Introduco A medida da potncia termoeltrica[1] consiste numa caracterizao essencial quando se deseja produzir um material capaz de transformar calor ou diferenas de temperaturas em energiaeltrica[2,3].Estesmateriaispodemserproduzidossobaformametlicaou semicondutora[4,5].Estaltimaclasseaqueapresentamelhoreficinciadetransformao, devido ao fato de que os semicondutores possuem um aumento da condutividade eltrica com a temperatura[6]. Osmateriaissemicondutoresfortementedopados,produzidosporprocessamento cermico de materiais tais como o silcio, o germnio[7,8], o telureto de bismuto[9,10], etc., possuem propriedadestermoeltricasepodemserchamadosdecermicastermoeltricas.Emboraas cermicas termoeltricas tenham sido pouco divulgadas no Brasil, elas temtido larga aplicao em outros pases interessados em aproveitar o calor desperdiado ou produzidos por diversas fontes trmicas[11,12]. No Brasil, a tentativa de se produzir tais materiais iniciou-se em 1984 no Instituto de FsicaeQumicadeSoCarlos-USP.AlveseAegerter[13,14],AneFranzan[15,16]temsidoos pioneiros na obteno deste material no Brasil. De l para c alguns projetos tem surgido no sentidodeaplicarestesmateriaisaconversodeenergiaparaaalimentaodesatlites brasileiros[13,17]. Apesar de inmeras dificuldades econmicas por que tem passado o nosso pas, algum material tem sido produzido, mas pouco tem sido utilizado na prtica. Pretende-se com este trabalho, mostrar o potencial desta rea de pesquisa, apresentando de incio, uma montagem capaz de caracterizar tais materiais quanto as suas propriedades termoeltricas. Pois a pesquisa em outros pases como o Japo, nestes ltimos anos, tem caminhado no sentido de se encontrar ummaterialxidoquesejarelativamenteumbomcondutorequepossuapropriedades termoeltricascapazesdegerarenergiaeltrica.Porque,docontrrio,existeminmeras dificuldadestecnolgicasparaseobterummaterialsemicondutorhomogneoquepossaser empregado tecnologicamente a um custo razovel conforme mostra Alves[13]. Aconstruodesteequipamentosedeupelanecessidadedesemedirapotncia termoeltrica de cermicas avanadas a base de Si-Ge que possui a capacidade de transformar energiatrmicaemeltrica.AtcnicadamedidadocoeficienteSeebeckoupotncia termoeltrica em funo da temperatura, consiste em aplicar pequenas diferenas de temperaturas e elevar lentamente a temperatura do sistema todo, fazendo desta formade tempos em tempos a leituradaddpproduzidaesuasrespectivasdiferenasdetemperatura,emumamontagem simples, conforme ser descrito no item materiais e mtodos. As vantagens desta tcnica so: a boa preciso dasmedidas, a boa reprodutibilidade, a verificao instantnea da existncia do efeitoSeebeckemqualquermaterial,aobservaodapropriedadeemumalargaescalade temperatura e consequentemente um aperfeioamento das tcnicas de processamento do material deacordocomascaractersticasdaspropriedadesdesejadas.Atravsdosvalorescoletados, usando a teoria descrita a seguir, pode-se calcular outros coeficientes termoeltricos a partir do conhecimento do coeficiente Seebeck em funo da temperatura. Fundamentos Tericos Trs efeitos termoeltricos tem sido estabelecidos experimentalmente: a) Efeito Seebeck, o responsvel pelo aparecimento de uma ddp dV (Volts) em um circuitoabertoconstitudodedoiscondutoresdiferentesquandoexisteumadiferenade temperatura dT entre suas extremidades.Seu significado fsico pode ser apresentado considerando um gradiente esttico de temperatura ao longo de um condutor finito. Inicialmente o condutor possui uma distribuio 4743uniformede portadores de carga, mas na presena de um gradiente de temperatura, as cargas livres na extremidade quente adquiriro grande energia cintica e tendero a difundir-se para a extremidade fria. Essa transferncia de cargas acarreta em uma diferena de potencial geradora de novos fluxos de cargas, com o circuito aberto desse sistema, sem a presena de corrente externa imposta, a f.em. denominada ddp Seebeck V, e dada por: dV = S1-2 dT(1) ondeS1-2conhecidocomocoeficientedeforaeletromotriz(f.e.m)trmico,ou potncia termoeltrica entre os condutores dados, onde S pode depender somente da temperatura. Para baixas diferenas de temperatura S1-2 constante (a voltagem linear com o aumentodetemperaturasemaumentaressadiferena)edefineocoeficienteSeebeck.O coeficienteSeebeckmedidoemV/KoumaisfreqentementeemV/K.dVeSso considerados positivos se a corrente (por conveno) flui de 1 para 2 na juno quente. b) Efeito Peltier, a gerao ou absoro de calor dQ (em Watts) na juno de dois condutores durante a passagem de uma corrente eltrica dI (Ampres) atravs deles: dQ= H1-2 dI(2) Onde H1-2 coeficiente Peltier.Uma mudana de direo na corrente provoca uma mudana de produo de calor para absoro e vice-versa. c) Efeito Thomson, a gerao ou absoro de calordQ (Watts) por uma corrente dI numaporodeumcondutorcomumcomprimentodxnapresenadeumgradientede temperatura xTcc. dQ= t (c T/ cx)I dx(3) As relaes entre S1-2 , [1-2 e tseguem as leis da termodinmica e so consideradas como fenmenos reversveis, pois mudanas de condiescomo inverso de corrente no Efeito de Peltier inverte o fenmeno como j foi dito. Considerando-seum circuito fechado feito de dois condutores com uma diferena de temperatura dT entre as junes, de acordo com a lei da conservao da energia pode-se igualar a zero a soma algbrica de todos os tipos de energia gerado nocircuito em uma unidade de tempo, sob condies de estado estacionrio. Denotando por [1-2 dI o calor de Peltier gerado em uma extremidadee [2-1dI o calor absorvido na outra extremidade da juno, tem-se para este circuito que: [1-2 = [2-1+ dTd1 2HdT(4) O calor Thomson gerado pelo condutor 1 : dQ = t1 dT dI(5) enquanto o absorvido pelo condutor 2 : dQ = t2 dT dI(6) A potncia eltrica consumida no circuito : dP =SdTdI(7) Consequentemente, a conservao da energia no circuito pode ser expressa na forma: 4744([1-2 - [2-1 ) dI + (t1 - t2 ) dT dI =S1-2 dT dI dTd1 2HdT dI + (t1 - t2 ) dT dI =S1-2 dT dI(8) logo dTd1 2H+ (t1 - t2 )=S1-2(9) e ) (12 112t t =T dTdS(10) de forma genrica tem-se: TSiiH= (11) }=TiidTTS0t(12) onde o ndice i refere-se aos materiais 1 ou 2. Entre as muitas equaes desta teoria, a apresentada por Ioffe [11] a da eficincia de suma importncia para este caso: ) 1 ( 211 `12+||.|

\| ++|.|

\|+ =mT TTm kmmTT Tc hhhc hq (13) onde : Th =temperatura da fonte quente, Tc=temperatura da fonte fria, m=R/ r, R =resistncia da cargaer =resistncia interna dos semicondutores, k =condutividade trmica, =fora termoeltrica. Atravs de um redimensionamento da equao da eficincia com base na eficincia mxima do ciclo de Carnot, obtm-se a equao da Figura de Mrito ou nmero de Ioffe Z dado por (15), onde: ( )( ) ) / ( 1 `1 12 / 12 / 1h chc hT T T ZT ZTT T+ + + = q (14) kZo o2= (15) onde: 2c hT TT+= , o= coeficiente Seebeck, o= condutividade eltrica, k = condutividade trmica. possvel ento, ver que o melhor materialtermoeltrico aquele que possui maior Figura de Mrito, consequentemente maior coeficiente Seebeck, maior condutividade eltrica e menor condutividade trmica. 4745Materiais e Mtodos Asamostrascaracterizadasnestetrabalhoforampreparadasdeacordocomos mtodosdescritosemKemelmmeier(1998)nestecongresso.Sabendo-sequeapotncia termoeltricaumafunodatemperatura,oequipamentofoimontado(Figura-1)como objetivo de se medir esta dependncia da potncia termoeltrica (ou coeficiente Seebeck) para diferentes tipos de materiais. A potncia termoeltrica s aparece nos materiais quando se aplica uma diferena de temperatura (T2 - T1) na nas extremidades da amostra sob anlise, de forma que sejapossvelobtercomoconsequnciaumadiferenadepotencial(V2-V1)entreestas extermidades.Paraissooequipamentofoimontadocomdoismicro-fornosaquecededores (Figura - 1a e 1b), com a finalidade de produzir uma pequena diferena de temperatura (AT = T2 - T1) entre as extremidades da amostra e fornecer uma variao da temperatura em larga escala, a fim de que a pequena diferena de temperatura mantida entre as extremidades da amostra, possa ser variada ao longo desta escala. UmavezalcanadaumadiferenadetemperaturaATentreasextremidadesda amostra, esta deve-se manter constante no tempo para uma mesma medida naquele ponto, pois flutuaes so indesejveis, quando se pretende coletar instantaneamente a diferena de potencial termoeletricamente gerada AV. Normalmente encontra-se na prtica materiais que possuem um comportamento linear da potncia termoeltrica com a temperatura e tambm outros que seguem omodelodeLark-HorowitzconformemostraotrabalhodeKemmelmeier(1998)neste congresso. a) b)Termopar1(T1)AmostraTermopar2(T2) Figura-1.a)Esquemadamontagemdomedidordapotnciatermoeltricacomaconfigurao econmica de chaves comutadora de trs posies e ummultimetro apenas. b) Detalhe do medidor do coeficente Seecbeck coma amostra posicionada entre os dois dissipadores de calor, e os termopares proximo as extremidades da amostra. Lista de material conforme a Figura - 1: 1-Variac (controlador de voltagem); 2- Pea de lato em forma de copo; 3- Resistncia interna maior, isolada dos copos por miangas cermicas; 4- Chave seletora de leitura; 5- Multmetro de alta preciso HP 34401A. 6- a) Cabos internos: coletores da voltagem produzida pelas pastilhas de Si-Ge, b)Cabosexternos:termoparescoletoresdasdiferenasdetemperaturasaplicadanaspastilhas; 7- Resistncia interna menor e tambm isolada por miangas cermicas; 8-Pastilha cermica de Si-Ge. 4746Descriodamontagem.Paraobedecerascondiesdescritasacimaoequipamentofoi construdo da seguinte forma: As partes que entram em contato com a amostra cermica foram construdas de metal (bom condutor eltrico e trmico) e no caso o lato possua as caractersticas desejadas (Figura - 1b). Doismicro-fornosforamconstrudoscomduasresistnciasdeKanthal-A1(selo verde)ligadasemsrie,sendoqueumaeraligeiramentemenordoqueaoutra,paraquea potnciadissipadanestesmicro-fornossejamdiferentes,afimdemanterumadiferenade temperaturaATentreasextremidadesdaamostra.Asduasresistnciasdosfornosforam enroladassobrepequenostarugosdealuminaemontadasdentrodoscoposdelato,porm eletricamenteisoladasdaspartesdometal(lato)pormiangascermicas,paraevitara interferncia da energia eltrica fornecida a elas na medida da ddp produzida termoeletricamente. A boa condutividade trmica do lato facilitava a transmisso de calor das resistncias dos micro-fornos, para a amostra a ser analisada. A variao da temperatura dos micro-fornos era obtidapor meio de um VARIAC controlador de voltagem. As temperaturas T1 e T2 foram coletadas por dois termopares tipo - K, com as junes de medida inseridas nos dissipadores trmicos dos copos de latoprximoasextremidadesdaamostraearefernciasendoatemperaturaambiente.A ddp produzida termoeletricamente pela amostra foi coletada por eletrodos de cobre ligados a extremidades da mesma. Os valores foram observados em um multmetro digital HP 34401A sensvel de 6 dgitos, aps a vrgula, onde as leituras leituras eram escolhidas por uma chave seletora de trs posies, compondo uma configurao econmica: um mesmo multmetro para a leitura de T1 e T2 epara a ddp termoeletricamente produzida pela amostra. Procedimento das medidas. A amostra foi colocada no equipamento, em seguida forneceu-se a energiapeloVARIACasresistnciasdosmicro-fornos.Esperou-sequecadamicro-forno alcanasse um estado estacionrio de forma que a diferena de temperatura entre as extremidades da amostra se mantivesse constante para se iniciar as leituras. A leitura foi como j foi dito, em um mesmo multmetro apenas selecionando a chave de posio da seguinte forma: A posio 1, leitura de T1;a posio 2, leitura de T2; a posio 3, leitura da ddp termoeletricamenteproduzidapela amostra.As trsleituras devem serfeitas uma seguida da outra e com relativa rapidez. O tempo entre o conjunto de leituras T1, T2 e ddp, deve estar de acordo com o nmero de pontos que se deseja para o grfico da potncia termoeltrica versus a temperatura. O fornecimento de energia s resistncias deve ter um aumento lento a uma taxa constante, o que facilmente realizado pelo controlador de voltagem. Isto se deve a necessidade de se manter a diferena de temperatura entre as extremidades da amostra, a qual tende a se anularnodecorrerdotempo,ousejaosistematendeaatingiroequilbriotrmicoque indesejadodentrodenossointeresses.Melhoresresultadospodemseralcanadosquandoa medidafeitanadireodealtastemperaturas,porquedocontrrionosepodeevitaro equilbrio trmico. Todos os valores so coletados em milivolts, sendo que geralmente o valor da ddp da amostra muito maior do que a tenso produzida pelos termopares, porm os valores ainda esto dentrodamesmaescaladomultmetro.Portanto,nosefaznecessrioamudanade configurao do multmetro para se realizar as trs diferentes leituras. Este deve estar selecionado numaconfiguraotalqueaimpednciadeentradasejade10GO,oudeacordocomas resistnciaseltricasfornecidaspelamontagememparticular.Utilizou-senamedidauma preciso de 5 dgitos aps a virgula em escala de milivolts. 4747 Resultados e Discusses As medidas da potncia termoeltrica foram realizadas em amostras semicondutoras a base de Si-Ge, alm da curva de base do aparelho fornecida pela propriedades termoeltricas do material de construo do medidor (lato, Figura - 2). Quanto a calibrao do aparelho e preciso das medidas. Inicialmente encontrou-se alguns problemascomesteequipamento.Omultmetroutilizado(Hewlett-Packard)apresentavaresultados com grandes flutuaes. Para estas flutuaes atribuiu-se as seguintes causas:- falta de aterramento do multmetro - perda de calor para o meio(flutuaes trmicas) - efeito de capacitncia eltrica no medidor (carga e descarga) - flutuaes de tenso induzida pela rede de corrente alternada (110/220 V). Estes problemas foram solucionados com a utilizao de um filtro de linha com o multmetro e ainda com uma correta configurao deste (aumentando-se a sua resistncia interna ou impedncia de entrada). 20 40 60 80 100 120 1400,0000,0010,0020,0030,0040,0050,0060,007 S1 (mV/oC) LatoCoeficiente Seebeck (mV/OC)Temperatura mdia (oC) Figura - 2. Grfico do coeficiente Seebeck do medidor - Lato, emfuno da temperatura, mostrando as flutuaes produzidas pela descalibrao do aparelho emazul. Vistoqueosmetaisapresentampropriedadestermoeltricasdeumaformageral, testespreliminaresdomedidorforamexecutadosparaseverificaraexistnciadealguma potncia termoeltrica sensvel produzida pela montagem de lato.Os resultados mostrados no grfico em vermelho da Figura - 2, mostram um valor constante em funo da temperatura de aproximadamente 0,0018mV/oK (como era esperado para os metais). Este valor era muito menor do que a potncia termoeltrica fornecida pelas amostras em questo (Figura - 3), mostrando desta forma o limite de preciso do medidor, devendo os resultados serem subtrados deste para se obter o valor real do coeficiente Seebeck da amostras. Flutuaes das temperaturas T1 e T2 no tempo, produziam por sua vez variaes na diferena de temperatura AT imposta amostra, sendo estas flutuaes produzidas por variaes bruscasnofornecimentodaenergiasresistnciasdosmicro-fornos,ediferentestemposde elevaodetemperaturaentreosdoismicro-fornos.Paracorrigirissoresolveu-sevariar constantemente o fornecimento de energia s resistncias e obteve-se resultados melhores nestas novas condies de medida. Quando no se controla as diferenas de temperaturas, no tempo, entres as extremidades daamostra ou dos dissipadores de calor (no caso sem amostra), durante a 4748coleta de um ponto da curva ocorrem flutuaes que podem modificar os valores da medida sempreincrementando-osconformemostraaFigura-2nacurvaemazul.Umproblema semelhante acontece quando o multmetro no se estabiliza devido a baixa impedncia de entrada durante a medida. Asvariaesnogrficosoefeitosdevriascausas,umadelassorudosde flutuaoquealgunsmultmetrosdeprecisopodemapresentarsenotiveremumaboa referncia neutracomo a de um pra-raios. Quanto as outras causas de oscilaes nos grficos esto as de tempo de leitura do equipamento j que os valores das medidas sobem rpido quando a temperatura elevada rapidamente havendo assim uma perda de preciso nas medidas como no caso do grfico em azul mostrado na Figura - 2.A outra causa de variaes neste grfico a de erroshumanosnaleitura,estesprovocamvariaesmaioresdeixandopontosisoladoscomo mostrados no grfico da Figura - 3. Quanto a reprodutibilidade. Para se ter uma idia da qualidade do equipamento, realizou-se para algumas amostras efetuou-se mais de uma anlise, para se verificar a reprodutibilidade do equipamento, o que observado a nas Figuras - 3 e 4. 0 50 100 150 2000,000,050,100,150,200,250,30 S1(mV/oC) S2(mV/oC)Coefiente Seebeck (mV/oC)Temperatura mdia (oC) Figura-3.DuasmedidasconsecutivasdocoeficienteSeebeckdaamostraobtidapelomtodo cermico convencional de acordo comKemelmmeier (1998 neste congresso). 47490 20 40 60 80 100 120 140 160 180 2000,000,050,100,150,200,250,300,350,40C.Seebeck (mV/oC)T mdio (oC) Figura-4.DuasmedidasconsecutivasdocoeficienteSeebeckparaumaamostraobtidaporHot-Pressing de acordo comKemelmmeier (1998 neste congresso). Foramfeitasvriasmedidascomumamesmaamostraetambmforamfeitas medidascomdiferentestiposdeamostra,todaselasmostraramumaboareporodutibilidade conforme mostram os grficos das Figuras - 3 e 4 . Certos cuidados devem ser tomados como quantoaoisolamentoeltricodoequipamentodecaracterizao,quedeveestaremboas condies,paraissoimportanteantesdecadacaracterizaofazertestesquantoaeste isolamento; outro cuidado que as amostras devem ter suas superfcies planas e paralelas, pois possvelhavermalcontatoentreassuperfciesdoequipamentoedasamostrasprovocando tambm erros na leitura. Quanto a verificao da existncia de propriedades termoeltricas em um dado material. Aosemontarumaamostranomedidor,erapossvelsaberlogodeincioseestapossua propriedades termoeltricas. Pois, um sinal eltrico estvel (ddp termoeletricamente produzida) e maiordoqueorudo(Johnsom)fornecidopelomultmetroeraproduzido,mesmoqueno houvesse uma diferena de temperatura sensvel, por causa da corrente de fuga dos portadores de carga, e da alta condutividade destas amostras. O que no acontecia com amostras altamente isolantes,comofoitestadonocasodeformulaesdecermicasxidascompropriedades varistoras. Quantoavariaodapotnciatermoeltricacomatemperatura.Osresultadosda caracterizao termoeltrica das ligas de Si-Ge concordam com a literatura. Eles foram obtidos na faixa de temperaturas de 20C a 300C, porm, sabe-se que as ligas de Si-Ge apresenta um valor mximo em sua caracterstica termoeltrica em temperaturas de aproximadamente 1000C, que no pde ser medido devido a limitaes de aquecimento do lato. 47500 20 40 60 80 100 120 140 160 180 2000,20,30,40,50,6Coeficiente Seebeck (mV/oC)T mdio (oC) Figura - 5. Comparao entre duas medidas consecutivas do coeficiente Seebeck das amostras obtidas pelo mtodo PIES seca (emazul) e das medidas da amostra PIES mida (emvermelho) de acordo comKemelmmeier (1998 neste congresso). O mesmo tipo de caracterizao foi feita sem que a amostra esteja no equipamento de caracterizao, com o objetivo de se obtero coeficiente Seebeck do lato (metal que constitui o equipamento), sendo assim bvio que o coeficiente Seebeck mostrados nos grficos das Figuras -3,4,5,representasomadoscoeficientesSeebeckdolatoedaamostradeSi-Geeseus resultados devem ser subtradossenecessrio isolar o Seebeck das amostras. Observa-se, a partir dos grficos das Figuras - 4 e 5, que no incio das medidas, ocorre uma subida quase vertical dos valores. Isto corresponde com a sada do equilbrio trmico entre as extremidades da amostra que inicialmente esto ambas a uma mesma temperatura. Ou seja, esta parte dos grficos mostram uma variao de AT desde zero at o valor onde a potncia termoeltrica produzida se torna perceptvel, ocasionando portanto erros nos valores iniciais dos grficos.Felizmenteestaregiodogrficoestreitaepodeserdesprezadaemrelaoaos resultados obtidos posteriormente ao longo de toda faixa de temperatura. Foi feito um estudo do efeito da umidade na medida da potncia termoeltrica das amostras.Paraissotomou-seumaamostradasmaisporosas(preparadapelomtodoPIES, Kemmelmeier1998,nestecongresso)edeixou-semergulhadaemguapor30minutos.Em seguida, fez-se a caracterizao desta e comparou-se com os resultados feitos para esta mesma amostra seca. Os resultados esto mostrados no grfico da Figura - 5. Com base neste resultado observou-se que no houve diferenas nas medidas feitas para uma amostra seca e mida, pois estas, esto dentro da preciso de medida do aparelho. Concluses OcoeficienteSeebeckemfunodatemperaturapodesermedidocomrelativa preciso e reprodutibilidade. Sendo que as perdas trmicasde calor para o ambiente parecem no influenciaremnadaosresultados.Quantoaumidadedoambiente,foramtestadasamostras midas e secas do mesmo material, sendo que os resultados no mostraram alterao sensvel alm da preciso das medidas ou do erro causado pelo coeficiente Seebeck do prprio medidor. Dos trabalhos realizados at agora em nosso pas, estes apresentam resultados para a medidadocoeficienteSeebeck,apenasatemperaturaambienteounumadeterminada temperatura,oquenorepresentaumestudocompletodestapropriedadenomateriaisj 4751analisados,sendodesumaimportnciaparaodesenvolvimentodenovosmateriaiscom propriedades termoeltricas. Uma caracterstica muito importante da tcnica que tambm foi observada, durante as medidas, que as amostras que apresentam um coeficiente Seebeck mais sensvel, apresentam tambm uma ddp termoeletricamente produzida inicialmente constante, a temperatura ambiente e sem haver aparentemente nenhuma diferena de temperatura entre as extremidades da amostra. Isto se deve a correntes de fuga dos portadores que procuram se recombinar nas extremidades do material. A medida do coeficiente Seebeck indiretamente uma medida do nmero de portadores de carga e o sinal da ddp termoeletricamente produzida corresponde ao sinal dos portadores de carga majoritrios. Portanto, esta tcnica pode em muitos casos substituir medidas do efeito Hall em funo da temperatura, alm de ser possvel a partir de dados como os apresentados neste trabalho, calcular a dependncia dos outros coeficientes termoeltricos (Thompson e Peltier) em funo da temperatura, conforme foi demonstrado na teoria. Agradecimentos Os autores agradecem ao CNPq, CAPES e a PROPESP-UEPG, pelo apoio dado a realizao deste trabalho. Referncias [1]EGLI,PaulH.Thermoelectricity.IncludingtheProceedingsoftheConferenceon Thermoelctricity Sponsored by the Naval Research Laboratory, September, 1958, John Wiley & Sons, Inc., New York & London, 1960. [2] ABELLES, A. & COHEN, R. 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