introduçãoacao

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  • 8/18/2019 Introduçãoacao

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    1- Introdução

    Para entender e até prever o comportamento de muitos materiais, muitas vezes é

    necessário realizar uma análise da microestrutura. A microscopia óptica (M.O) e a

    microscopia eletrônica (M.E) são as duas técnicas mais utilizadas para realizar esse tipo

    de análise.

    Emora as duas técnicas se!am as mais utilizadas, elas t"m uma capacidade de

    resolu#ão limitada pelo comprimento de onda da radia#ão utilizada. $a microscopia

    óptica é poss%vel oservar detal&es de até ', m, aai*o de valor os o!etos não

    apresentarão contraste.

     $a microscopia eletrônica, na re+ião a ser analisada ao invés de utilizar uma

    irradia#ão de luz é utilizada uma irradia#ão por um ei*e ino de elétrons -ue a partir da%

    uma serie de radia#es são emitidas (/aio0* caracter%sticos, elétrons au+er, ótons,

    elétrons secundários, elétrons retroespal&ados, etc.) -ue -uando são captadas de maneira

    correta, irão nos ornecer inorma#es sore a amostra com uma maior resolu#ão,

     possiilidade de aumento na ordem de 1'' ''' vezes a depender da amostra, mas

    normalmente 2' ''' vezes é o aumento utilizado para a análise das amostras.

     

    Figura 1: 3esen&o es-uemático para compara#ão entre microscópio óptico e

    microscópio eletrônico de varredura

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    As duas principais ormas de caracteriza#ão por microscopia eletrônica são a

    microscopia eletrônica de transmissão (ME4) e a microscopia eletrônica de varredura

    (ME5). O -ue dierencia uma da outra é a orma em -ue as ima+ens serão apresentadas

    ao usuário. $o ME4 &á uma capacidade maior de aumento, mas a ima+em é

     idimensional, no ME5 é e*aminada a super%cie da amostra, apresenta uma ima+em

    tridimensional e o ei*e de elétrons não atravessa a amostra.

    O princ%pio de uncionamento do microscópio eletrônico de varredura consiste

    na utiliza#ão de um ei*e de elétrons -ue possui um pe-ueno di6metro para e*plorar 

     ponto a ponto da super%cie da amostra e transmitir o sinal do detector a uma tela

    catódica onde a varredura está sincronizada com a-uela do ei*e incidente.

    O sinal da ima+em resulta da intera#ão do ei*e incidente com a

    super%cie da amostra. O sinal receido pelo detector é utilizado para modular o ril&o

    do monitor, permitindo a oserva#ão.

    O principal motivo de sua utilidade é a alta resolu#ão -ue pode ser otida para as

    amostras em pes-uisa avan#ada, -ue são capazes de alcan#ar uma resolu#ão mel&or -ue

    2 nm ($A7A4A$8 et al.,219:).

    A maioria dos instrumentos utilizam um ilamento de tun+st"nio como onte de

    elétrons. $a microscopia eletrônica de varredura, para a orma#ão da ima+em, os sinais

    de maior interesse são os elétrons retroespal&ados (/;E) -ue nos ornece uma ima+em

    caracter%stica de varia#ão de composi#ão. As ima+ens +eradas através desse tipo de sinal

     provem de intera#es elásticas, onde &á a mudan#a de dire#ão sem perda de ener+ia

    entre os elétrons e a amostra e os sinais de elétrons secundários (;E) -ue nos ornecem

    ima+ens topo+ráicas da super%cie da amostra e são responsáveis por oter ima+ens em

    alta deini#ão. As amostras por elétrons secundários provem de intera#es inelásticas

    onde &á a perda de ener+ia com pe-uena mudan#a de dire#ão entre os elétrons e a

    amostra.

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    2- Objetivos

    Esta pratica tem como o!etivo correlacionar as ima+ens otidas através do

    ME5 com a varia#ão dos paramentos operacionais (dist6ncia de traal&o, spot size,

    tensão e aumento) -ue podem ser modiicados durante uma análise.

    3- Procedimento experimental

     $o presente estudo tr"s amostras oram analisadas (compósito com matriz

     polimérica constitu%do de PE, PE4 e ar+ila e duas li+as 4i0$i0;i).  As Microscopias

    Eletrônicas de 5arreduras oram otidas através do microscópio e 2> ?v,

    dist6ncias de traal&o de 22, @ e mm e spot size de > e B' mm

    Para a primeira li+a oram utilizadas tenses de 2' e 2> ?v, dist6ncia de traal&o

    de 2: mm e spot size de > e B' mm.

    Para a se+unda li+a oi utilizada uma tensão de 2> ?v, dist6ncia de traal&o de

    2: mm e spot size de > e B' mm.

    4odos os materiais oram analisados com aumentos de @'*, ''*, >''*, 2'''*.

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    Cilio+raia

    &ttpDFFF.pucrs.redipucrsonlinemicroscopia.pd 

    &ttpDFFF.ea&.com.rcontentACAAAAc9cA3microscopio0eletronico0

    varredura.

    Goller, H.