circuito amplificadores

8/6/2019 circuito amplificadores

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Revista Cientfica Peridica Telecomunicaes ISSN 1516-2338

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Telecomunicaes Volume 02 Nmero 02 Setembro de 1999

Circuitos Amplificadores de Transimpedncia Integrados a Fotodiodos

A. R. Z. Nascimento1, J. C. J. de Almeida2, E. C. Ferreira1, O. V. A Filho1, A. L .P. Mattei2

1 - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Departamento de Eletrnica e MicroeletrnicaCampinas - SP

2 - Instituto de Estudos Avanados (IEAv) CTA

So Jos dos Campos - SP

Resumo. O trabalho insere-se no processo decapacitao em centrais inerciais strap downutilizando giroscpios a fibra ptica. Neste contextoo enfoque dado deteco e converso dacorrente de um fotodiodo acoplado fibra pticado sensor interferomtrico. So investigadas duastopologias de circuito, uma delas operando nomodo de transimpedncia e com alto ganho deconverso, e a outra na amplificao seletiva deharmnicas da fotocorrente. Para ambas asconfiguraes so deduzidos o ganho de conversoou de amplificao da fotocorrente e investigadosos principais parmetros envolvidos na relaosinal-rudo. A configurao de transimpednciadestaca-se por alta flexibilidade de implementao,baixa sensibilidade capacitncia parasita docircuito e controle efetivo da estabilidade docircuito de realimentao. A configurao deamplificao seletiva otimiza a relao entre aprimeira e a segunda harmnica da fotocorrentedetectada e simplifica consideravelmente oscircuitos posteriores de condicionamento do sinal

interferomtrico. A escolha da topologia de circuitomais adequada est relacionada ao processamentodo sinal utilizado. So apresentados os resultadosexperimentais e um estudo comparativo dosmesmos com as simulaes realizadas.

Abstract. This work takes part in the capacitationprocess in strap down inertial units using fiberoptic gyroscopes. In this context, the contents isdriven to both detection and conversion of thecurrent generated in the photodiode of theinterferometric sensor. Two circuit topologies areinvestigated, one operating in the transimpedance

mode with high conversion gain, and other withselective amplification of the photocurrentharmonics. Expressions are given to thephotocurrent gain conversion and amplificationand to the signal-noise ratio. The transimpedanceconfiguration has a very flexible implementation,low sensitivity to parasitic capacitances of thecircuit, and an effective stability control of thefeedback circuit. The selective amplificationconfiguration optimize the relation between thefirst and the second photocurrent harmonicsdetected and it also simplifies the conditioningcircuits. The choice for a given circuit topology isrelated with the signal processing used.Experimental results and computationalsimulations of the circuits are presented.

I. INTRODUO

A demodulao de sinais de sensoresinterferomtricos precedida por uma etapa dedeteco e condicionamento da fotocorrente de sadado sensor. A mesma da maior relevncia dada asrelaes sinal-rudo e faixa dinmicas envolvidas. Opresente trabalho no apenas contribui com a propostade duas topologias de circuito de deteco, comocomplementa o desenvolvimento de novas arquiteturasde processamento de sinais de interfermetros deSagnac. Tais desenvolvimentos visam capacitaoem circuitos eletrnicos analgicos e digitais deprocessamento de sinais interferomtricos. Nestecontexto, cada topologia proposta tem uma aplicaoespecfica arquitetura de demodulao empregada. Anatureza espectral da fotocorrente, caracterizada porharmnicas da freqncia de modulao do circuitoptico do sensor, norteou a escolha das topologiaspropostas. A primeira destina-se converso emtenso de vrias harmnicas da fotocorrente, mantendocontudo um alto ganho de converso. A segundadestina-se amplificao seletiva da primeiraharmnica da fotocorrente, otimizando portanto na suasada a relao entre a primeira e a segundaharmnicas da mesma, devido ao alto ganho deamplificao. No tem II, estuda-se a deteco comfotodiodo e as razes da monitorao da fotocorrentepor meio de um amplificador de transimpedncia. Noitem III estudada a relao sinal-rudo daconfigurao amplificador de transimpednciaintegrado a um fotodiodo. No item IV, analisa-se oganho e a seletividade de um amplificador de correntesintonizvel. No item V, so apresentadas assimulaes e os resultados experimentais. Finalizando,as concluses so expostas no item VI.

II. FOTODIODO: CIRCUITO, CURVACARACTERSTICA I-V E MODOS DE OPERAO

Na Fig.1 (a) e 1 (b) so ilustradas a curvacaracterstica I-V de um fotodiodo e o circuitoassociado. A corrente total no fotodiodo dada por[1,6]

pdT iii =

onde id a corrente circulando no fotodiodo devida aplicao de uma tenso positiva e ip a correntefotogerada.

(1)


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Figura 1: (a):Representao das correntes e tenso de umfotodiodo, (b) Curva caracterstica I-V.

Na mesma representamos vrios nveis deintensidade do fluxo de energia luminosaincidente e definido por

r

ipe =

onde r a responsividade do diodo ao fluxo, expressa

em A/W.

Da Fig.1 (a), nota-se que para 0pe , o diodo ficapolarizado reversamente, resultando pT ii = e acorrente medida nos terminais a prpria fotogerada.A regio restrita a 0>pe move a linha de carga para oterceiro quadrante e caracteriza a operao no modofotocondutivo. Para 0>pe , o diodo se torna

polarizado e opera no modo fotovoltaico, onde 0di ,e portanto pdT iii = , e a caracterstica I-V torna-se

menos linear medida em que pe aumenta. Sem a

aplicao de uma tenso de polarizao direta ao

fotodiodo, tem-se pd ii = , e nesta condio pe funo apenas de pi . Assim, para uma variao linear

de e , h uma variao logartmica de pe , ou seja, a

tenso de sada do fotodiodo ser

=

D

e

tpI

rnVe

onde Vt tenso trmica da juno, eID a corrente deescuro ou corrente de saturao reversa do diodo,caracterizada por 0=e . A no-linearidade inerente

equao acentuada pela variao de r com pe .Como pe no-nulo, a reta de carga situa-se no

quarto quadrante.

Do exposto, evidencia-se a dependncia altamenteno-linear da tenso pe com o fluxo e e tal fato

sugere a medida da corrente pi com 0pe , mantendo

r praticamente constante. Isto implica em RL

praticamente nulo, ou seja, numa reta de carga maisvertical que a indicada na Fig. 1 (b). Tal condio

obtida com a montagem indicada na Fig. 2, onde tem-se uma impedncia de cargaZL() expressa por

)(

)()(

ma

RL

A

ZZ =

onde ( )RZ e ( )maA so a impedncia derealimentao e o ganho em malha aberta doamplificador operacional, respectivamente. H que seenfatizar que, com o aumento de tem-se umdecrscimo de ( )maA e portanto uma degradao da

condio ( ) 0R

Z .

Figura 2: Amplificador de transimpedncia para amonitorao da fotocorrente.

Esta configurao caracteriza um amplificador detransimpedncia cuja tenso de sada

pRs iZv =

III. ANLISE DE RUDO DO FOTODIODO EAMPLIFICADOR DE TRANSIMPEDNCIA

A anlise a seguir fundamenta-se em [1,2,3] cujosresultados nortearam as dedues ora apresentadas. AFig. 3 mostra os diversos ganhos envolvidos na anliseda relao sinal/rudo de um amplificador operacional.

Figura 3: Ganhos do amplificador de transimpedncia:malha aberta, transimpedncia e rudos de tenso e

corrente.

(2)

(5)

(3)

(4)


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A curva superior mostra o ganho em malha aberta doamplificador, cuja freqncia de ganho unitrio dadapor fu. A curva central representa o ganho detransimpedncia ( )RZ , que o mesmo para afotocorrente ip e para os geradores de corrente de rudoshot do fotodiodo e de entrada do amplificador. Amesma apresenta um polo na freqncia

RR

pfCR

f2

1=

onde RR e CR so, respectivamente, a resistncia e acapacitncia de realimentao do amplificador. Acurva inferior indica o ganho para os geradores detenso de rudo, e dada pela relao ( )1 , onde

)( o fator de realimentao. A mesma

delimitada por duas assntotas, onde a primeira temamplitude unitria e apresenta um zero na freqncia

)(21

RDR

zRCCR

f+

=

onde CD a capacitncia do fotodiodo, e a segundatem uma amplitude expressa por

R

DC

C

Ck +=1

e apresenta plos nas freqncias fpf e fi , sendo esteltimo dado pela interseo com a curva do ganho demalha aberta ( )maA do amplificador. Sendofi

dR

Rui

CC

Cff

+=

A seguir so identificados na Fig. 4 os diversosgeradores de corrente e tenso de rudo [3,4] devido aoamplificador operacional, ao fotodiodo e impednciade realimentao ( )RZ .

Figura 4: Geradores de corrente e de tenso de rudo dofotodiodo e do amplificador de transimpedncia.

O rudo shot devido a corrente de escuro e

componente dc da fotocorrente, com valor rms

( )BIIqI dpsh += 2

onde q a carga elementar do eltron ( )C1061 19, ,Id a corrente de escuro do diodo, pI a componente dc

da fotocorrente devida luz incidente e B a faixa depassagem do fotodiodo. H que se notar que embora omodo fotocondutivo implique em correntes de escuroda ordem de 10 a 30nA (para tenses reversas de 10 a20V

dc), a contribuio do rudo shot devido esta

corrente desprezvel em relao da corrente pI , a

qual apresenta valores de at 10A.O gerador de rudo trmico devido ao resistor de

realimentao do fotodiodo, cujo valor rms dado por

sh

TR

KTBN

4=

onde K a constante de Bolztsmann ( )J/K10381 23,e T a temperatura absoluta em graus Kelvin. Osgeradores de rudo de corrente e tenso intrnsecos aoamplificador so caracterizados por densidadesespectrais de tenso com a freqncia, que no caso doamplificador operacional utilizado (OPA 655 da Burr-Brown) so representadas na Fig. 5.

Figura 5:Densidades espectrais dos geradores de rudo detenso e de corrente do amplificador OPA 655.

As mesmas so convertidas em densidades espectrais

de potncia dadas respectivamente por ( )2inae e

( )2nae .

+= 122

1 f

fKe ceeina

+= 122 1 f

fKi ciina

(6)

(7)

(11)

(8)

(9)

(12)

(13)

(10)


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O ganho de tenso de rudo do amplificador detransimpedncia

+=

+

=

)()(

11

11

)()(1

)()(

tr

ma

ma

tr

A

A

AA

O valor rms da tenso de rudo na sada doamplificador devido ao geradores de tenso de rudona entrada resulta em

( ) ( )=BeqA

ratrRs deAE

0

22

1

onde eqAB =1,57fp , a faixa de passagem do

amplificador de transimpedncia para fontes de tensode rudo, sendo fp a freqncia de intercesso doganho de tenso de rudo com a curva do ganho demalha aberta do amplificador operacional. O valor rmsda tenso de rudo na sada do amplificador devido aosgeradores de corrente de rudo na entrada doamplificador e devido resistncia shuntdo fotodiodo dado por

=BeqA

raRRs diZE0

22 )()(2

O valor rms da tenso de rudo na sada doamplificador devido ao rudo trmico do resistor derealimentao expresso por

eqRRs BKTRE 43 =

O valor rms da tenso total de rudo na sada doamplificador obtido por

222

321 sssnEEEE

Total++=

Nota-se que um aumento do ganho de converso estassociado a um maior valor da resistncia de

realimentao RR , o que implica num aumento datenso total de rudo na sada do amplificador

proporcionalmente RR . Portanto a relao sinal-

rudo S/N do amplificador de transimpednciaintegrado ao fotodiodo aumenta com a utilizao de:

valores elevados do resistor derealimentao, pois tem-se S/N RR ,

amplificadores de transimpedncia comgeradores de rudo com as menoresdensidades espectrais de tenso e decorrente possveis,

fotodiodos operando no modofotocondutivo o que implica nadiminuio de Cd e portanto do fator deamplificao 1+ Cd/CR para as tenses de

rudo. Esta condio de operao se aplicasomente para a amplificao de sinaisinterferomtricos.

IV. CIRCUITOS DE TRANSIMPEDNCIA DEALTO GANHO

No condicionamento de sinais interferomtricos,para uma dada faixa de passagem, muitas vezes se faznecessria a sntese de circuitos de transimpedncia dealto ganho. No entanto, o aumento de RR pode levar ocircuito a uma condio de oscilao, caso as curvasdos ganhos de malha aberta e de rudo de tenso doamplificador se interceptem nas regies de -20dB/dcada e +20dB/dcada, respectivamente. Nestacondio tem-se que o ganho de malha

( ) ( ) 1=maA e a defasagem na malha derealimentao = 360.

Assim, h que se evitar tal estado do circuito pelocontrole da capacitncia de realimentao CR. No

entanto, existe um valor mnimo para tal valor impostopela capacitncia parasita da montagem; o que degradaa preciso de ( )RZ com nveis reduzidos decapacitncia de realimentao. Dentre as topologias derealimentao propostas para minimizar ou controlaresta limitao, optou-se pelas realimentaes em Tcapacitiva e resistiva, indicadas na Fig.6.

Figura 6:Circuito de Transimpedncia com realimentao( )RZ : T capacitiva (a) e resistiva (b).

A montagem em T capacitiva permite sintonizarcapacitncias com precises de fraes de pico Farad,pois o divisor capacitivo impe uma tenso menor C1. Isto equivale a uma capacitncia bem menor naentrada inversora do amplificador, econsequentemente a fotocorrente circula quase quetotalmente pelo resistor de realimentao.

A montagem em T resistiva, por outro lado,permite a sntese de amplificadores de alto ganhosubstituindo o resistor de realimentao RR daconfigurao bsica por um divisor de tensoimplementado com resistores de valores bem menores.

Assim, substitue-se RR por um resistor derealimentao equivalente fEQR dado por

211 /RRRRRR fTfTfEQ ++=

Se fizermos RfT>>R1, a equao acima se reduz

fTeq RR

RR

+=

2

11

(14)

(15)

(16)

(17)

(18)

(19)

(20)


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Portanto, a tenso de sada se ser

fTps RR

RIe

+=

2

11

Assim, para um dado ganho, a resistncia RfT

utilizada reduzida pelo fator

+

2

11RR e a

capacitncia de realimentao equivalente amplificada da mesma forma, tornando a sntese decircuitos de alto ganho menos sensvel capacitnciaparasita da montagem. Uma desvantagem destaconfigurao o aumento dos ganhos de tenso derudo e de offset. Em sinais interferomtricosamplifica-se a componente ac da fotocorrente eportanto h de se controlar apenas o ganho de tensode rudo em altas freqncias, o que possvel serespeitarmos a relao

13

2

2

1

3

1

Ts

s

R

R

E

E

R

R

onde, seguindo a conveno adotada para aconfigurao clssica (18),

TsRE

3 o valor rms da

tenso de rudo na sada do amplificador detransimpedncia T resistivo devido ao rudo trmicodo resistor fTR , pois fTR >>R1. Nesta condio, para

amplificadores FET, o valor rms da tenso total derudo na sada do amplificador expresso

aproximadamente por TsRE 1 , correspondendo ao valorrms da tenso de sada devida amplificao dosgeradores de rudo de tenso da entrada doamplificador. Portanto, a situao indicada na Fig. 3 modificada para a da Fig. 7.

Figura 7:Ganhos do amplificador de transimpedncia comrealimentao T resistiva.

V. AMPLIFICADORES DE CORRENTE SINTONIZADOS

A corrente de sada de um sensor interferomtrico afibra ptica contm harmnicas da freqncia demodulao do circuito ptico do sensor. Dependendodo processamento do sinal a ser utilizado, conveniente a amplificao seletiva de harmnicas dafreqncia fundamental da fotocorrente. Em tais

aplicaes, justifica-se a sntese de circuitos deamplificao de corrente, sintonizados nestasharmnicas. A Fig. 8 ilustra um amplificador decorrente implementado com dupla realimentao,sendo que na negativa utiliza-se um circuitoressonante paralelo e na positiva um circuitoressonante srie.

Figura 8:Circuito de amplificador de corrente com duplasintonia.

Esta topologia permite que as freqncias dasressonncias sejam a mesma ou distintas, obtendo-se,respectivamente, a amplificao seletiva de uma nicaou de duas harmnicas da fotocorrente. No caso deamplificao de uma nica harmnica, o ganho decorrente csA expresso por

s

p

ffRS

RPcs

R

R

Z

ZA

s

===

onde Rp e Rs so, respectivamente, as resistncias doscircuitos ressonantes paralelo e srie efs a freqnciade sintonia. Na hiptese do fator de qualidade Qp docircuito ressonante paralelo ser muito maior que o docircuito ressonante srie, resulta que o fator dequalidade efetivo do circuito dado por QefQp. Nestacondio se torna possvel a sntese de circuitos de altoQ, Qef>50, com a utilizao de indutores da ordem decentenas de micro Henry e capacitores da ordem decentenas de pico Farad, flexibilizando a obteno deindutores com ncleos de ferrites de alto Q e de

capacitores com dieltrico de baixas perdas. Assim, aseletividade do amplificador sintonizado ajustadaatravs do Qefexpresso por

ppspef CRfQQ 2==

onde Rp e Cp so respectivamente os valores daresistncia e da capacitncia do circuito ressonanteparalelo. A seletividade do circuito pode sercontrolada independentemente em cada circuitoressonante, tornando-o bem flexvel ao ajuste de talparmetro. A relao sinal-rudo em relao da

configurao de transimpedncia, aumenta pelo fatoreqseqA BB , onde eqsB a faixa de passagem

equivalente de rudo do amplificador sintonizado.

(21)

(22)

(23)

(24)


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IV. SIMULAES E RESULTADOS EXPERIMENTAIS

A caracterizao em freqncia dos circuitos foirealizada utilizando-se um interfermetro pticopolarimtrico [5]. O interfermetro intensifica o rudode partio de modos de um diodo laser multimodo egera um sinal com intensidade constante e freqncia

de corte de 100MHz. Assim, a medida da resposta emfreqncia dos circuitos de fotodeteco realizadafocando-se o sinal ptico da sada do interfermetro narea ativa do fotodetector. Na experimentaoutilizou-se um fotodiodo no modo fotovoltaico demodo a minimizar o gerador de rudo de corrente shot,no caso devido somente corrente de escuro, pois como sinal ptico do experimento no existe a componente

pI da fotocorrente. O ganho de transimpedncia foi

fixado em 105, a faixa de passagem do sinal em900kHz tanto na configurao de transimpednciaclssica como na de realimentao com T resistivo.Nos circuitos foram utilizados:

fotodiodo BPX-65 da Centronic, inc. cujascaractersticas principais so: HzWNEP 1310 ,(Vr=0V, 900nm), Cd=15pF; 3,5pF(Vr=0V; 20V,900nm), Id=1nA (Vr=20V), Rsh=100M er=0,5A/W.

amplificador operacional, OPA655, daBurr-Brown, cuja freqncia de ganho unitrio da ordem de 400MHz e as densidades espectraisde tenso e de corrente de rudo esto indicadas nafig. 5 (a) e (b). Nas condies acima o ganho detenses de rudo, na configurao detransimpedncia clssica, apresenta uma assntota

de alta freqncia com valor de 1+Cd/CR10, eum polo superior na freqncia de 20MHz. Aseguir so apresentados as simulaes e osresultados experimentais para as seguintescondies:

configurao de transimpedncia clssica comRR=100k e CR=1,8pF (correspondendo a umcapacitor de 1,2pF e uma capacitncia parasita de0,6pF), para a qual so apresentadas as curvas detenso total de sada, experimental e simulada, bemcomo as das densidades espectrais de rudo detenso e corrente, respectivamente na sada e naentrada do circuito:

100k 1M

-68

-66

-64

-62

-60

-58

-56

-54

-52

-50

-48

-46

-44

Resistor RR

= 100k

Capacitor CR

= 1.8pF

Intensidade(dBm)

Freqcia (Hz)

Nota-se uma tenso total de rudo de 303nV e3,99V respectivamente nas freqncias de 100kHz e1MHz, escolhidas por representarem os extremos dafaixa de passagem do sinal amplificado. Aplicando omodelo matemtico adotado obtm-se um valor de

355Vrms para a tenso total de rudo na sada doamplificador, o que implica numa corrente mnima de3,5nArms; detectvel na sua entrada para uma relaoS/N = 0dB. configurao de transimpedncia com

realimentao T resistiva com Req=100k eCeq=39pF, para a qual so apresentadas as curvasda tenso total de sada, experimental e simulada,bem como as das densidades espectrais de rudo detenso e corrente, respectivamente na sada e naentrada do circuito:

100k 1M

-68

-66

-64

-62

-60

-58

-56

-54

-52

-50

-48

-46

-44

Resistores: RfT= 5.1k , R

1= 47 e R

2= 2.2

Capacitor: 39pF

Intensidade(dBm)

Freqncia (Hz)


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No caso para as freqncias de 100kHz e 1MHztem-se os seguintes valores de tenses de rudo:2,21V e 6,39V. Nesta configurao, segundo omesmo modelo obtm-se um valor de 0,9mVrms paraa tenso total de rudo na sada do amplificador, o queimplica numa corrente mnima de 9nArms; detectvelna sua entrada para uma relao S/N=0dB, e a novafaixa de passagem equivalente de rudo. Evidencia-seportanto a amplificao da tenso do rudo de entrada,

o que condiz com a previso terica dada noobservncia de (22), poisR1/R2=20 quando deveria sermenor que 4,5. configurao de amplificador de corrente, com

sintonias srie e paralela em 103=f kHz,60=efQ e fator de amplificao igual a 1100,

para a qual so apresentadas as curvas de tensototal de sada, experimental e simulada, bem comoas das densidades espectrais de rudo de tenso ede corrente, respectivamente na sada e na entradado circuito:

100k

-108

-104

-100

-96

-92

-88

-84

-80

-76

-72

-68

-64

-60

-56

Ressonncia srie-paralela em 1 03 kHz

Qef

= 6 0Intensidade(dBm)

Freqncia (Hz)

Nota-se para a freqncia de ressonncia umatenso de 85V na sada do circuito e uma correntemnima detectvel na entrada da ordem de 12pArms,considerando a nova faixa de passagem de rudo. Estesresultados s foram possveis pela utilizao deamplificadores FET e de indutores com ferrites dealto Q.

VII. CONCLUSES

Foi apresentado a proposta de duas topologias decircuito de deteco, que complementa odesenvolvimento de novas arquiteturas deprocessamento de sinais interferomtricos. Estudou-sea deteco com fotodiodo e as razes da monitoraoda fotocorrente por meio de um amplificador detransimpedncia. Foram estudadas as relaes sinal-rudo das configuraes de amplificador detransimpedncia, clssica e T resistiva, integradas aum fotodiodo e analisou-se o ganho e a seletividade deum amplificador de corrente sintonizvel. Osresultados experimentais apresentaram uma boa

concordncia com os das simulaes corroborando avalidade do modelo matemtico adotado para ambasas configuraes. A experimentao evidenciou naconfigurao T resistiva uma amplificao dadensidade espectral de tenso de rudo em altafreqncia. No entanto, esta amplificao est emconformidade com a previso terica, o que significaque a mesma pode ser reduzida at um limite em queainda existam as vantagens da configurao Tresistiva. Os resultados obtidos com o amplificador decorrente sintonizado apresentaram uma excelenteconcordncia com os simulados em termos deseletividade, fator de amplificao e corrente mnima

detectvel. Portanto, as propostas apresentadasampliam as opes de circuitos de amplificao e


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converso da fotocorrente de sada de sensoresinterferomtricos a fibra ptica.

REFERNCIAS

[1] J. Graeme, Photodiode Amplifiers, Mc Graw Hill ,

NY, 1996.[2] J. C. J . de Almeida, Tcnicas de Processamento deSinais em Girmetros a Fibra ptica para Sistemasde Navegao Inercial , Tese de Mestrado,UNICAMP, 1996.

[3] S. Franco,Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated Circuits, Mc Graw Hill, NY,1988.

[4] Noise Analysis of Fet Transimpedance Amplifiers,AB 076, and Photodiode Monitoring with OPAMPS, AB 075, Applications Handbook, Burr-Brown, 1994.

[5] A. L. P. Mattei et al, Frequency Response

Characterization of Photodetection Circuits usingmode partition noise method, a ser submetido parapublicao.

[6] Application of Silicon Photodiodes, OptoelectronicComponents Catalog, UDT Sensors, Inc. 1997.

Antonio Ricardo Zaninelli do Nascimento graduou-se em Fsica em 1996 na Universidade Estadual deLondrina. Atualmente vem desenvolvendo trabalho deps-graduao em Sensores pticos para Avinica,sendo este o tema de sua tese de mestrado, que

baseada em deteco do sinal interferomtrico de umgiroscpio a fibra ptica. Este trabalho est sendorealizado em conjunto entre Universidade Estadual deCampinas e o Instituto de Estudos Avanados (IEAv),do Centro Tcnico Aeroespacial (CTA) de So Josdos Campos, SP.e-mail: [email protected]

Jos Carlos Juliano de Almeida doutorando emEngenharia Eltrica no Departamento deMicroeletrnica da Universidade Estadual de

Campinas. Recebeu o ttulo de Mestre em EngenhariaEltrica, em 1996, pelo Departamento deTelecomunicaes da UNICAMP e EngenheiroEletricista (opo Eletrnica) pela Universidade doVale do Paraba. pesquisador do Instituto de EstudosAvanados, do Centro Tcnico Aeroespacial, desdeabril de 1992, atuando na rea de deteco eprocessamento de sinais de sensores interferomtricosa fibra ptica. No mesmo Centro, foi pesquisador doInstituto de Aeronutica e Espao, de 1973 a 1992,tendo atuado nas reas de desenvolvimento desensores magnticos e de sistemas e instrumentaoembarcada de telemetria e telecomando para veculos

espaciais. Tem participado intensamente na formaoe orientao de alunos de mestrado e graduao em

engenharia eltrica e de tcnicos em eletrnica. Possuipublicaes em congressos nacionais e internacionaise diversos trabalhos de consultoria em instrumentaoeletrnica de preciso.e-mail: [email protected]

Elnatan Chagas Ferreira graduou-se em Fsica naUniversidade Federal do Cear em 1981. Obteve osttulos de Mestre em Engenharia Eltrica em 1984 eDoutor em Engenharia Eltrica em 1991, ambos pelaUNICAMP. professor assistente doutor desde 1991e chefe do DEMIC/FEEC/UNICAMP desde 1996.Vem desenvolvendo trabalhos de pesquisa eorientando alunos de ps-graduao nas reas deEletrnica de Instrumentao; Sensores e

Condicionamento de Sinais; Projeto de CI paraConversores Analgico-Digital; CAD para SistemasMicrocontrolados.e-mail: [email protected]

Osas Valente de Avilez Filho graduou-se emEngenharia Eltrica em 1974 na Universidade deBraslia. Obteve os ttulos de Mestre de Engenharia

Eltrica em 1978 e Doutor em Engenharia Eltrica em1986, ambos pela UNICAMP. professor livredocente desde 1986 no DEMIC/FEEC/UNICAMP.Vem desenvolvendo trabalhos de pesquisa eorientando alunos de ps-graduao nas reas deProjeto Eletrnico; Ampllificadores de udio;Aplicaes em RF; Eletrnica de Giroscpio;Eletrnica de Equipamentos Industriais; Sensores eTransdutores; Aplicaes com Microcotroladores;Instrumentao de Medidas.e-mail: [email protected]

Andr Luis Pierre Mattei recebeu o ttulo de Mestreem Cincias em 1998 na rea de Microondas eEletroptica do Curso de Engenharia Eletrnica eComputao do Instituto Tecnolgico de Aeronutica,So Jos dos Campos, SP. engenheiro eletrnicopelo Instituto Tecnolgico de Aeronutica. pesquisador da Diviso de Fotnica do Instituto deEstudos Avanados do Centro Tcnico Aeroespacial,So Jos dos Campos, SP, desde fevereiro de 1997.Sua rea de atuao a de pesquisa em sensores afibra ptica e possui publicaes em congressos

nacionais e internacionais.e-mail: [email protected]

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