triac (1) [modo de compatibilidade] - …rogerioweymar.com/ifsul/downloads/ept2/triac_diac.pdf•...

TRIAC - UJT

ROGÉRIO WEYMAR

SISTEMAS DE ENERGIA -IFSUL

TRIAC - Triode for AlternatingCurrent

• O TRIAC é um tiristor que permite acondução de corrente nos dois sentidos,entrando em condução e bloqueando demodo análogo ao SCR. Uma visãosimplificada do TRIAC é a de umaassociação de dois SCR’s conectados em

antiparalelo.

ROGÉRIO WEYMAR IFSul

Curva Característica

Vantagens e desvantagensOs TRIACS, quando comparados aos relés possuem as seguintes vantagens e desvantagens:

Vantagens• Não há repiques• Não há formação de arco• Não existem partes móveis• Maior velocidade• Maior rendimento

Desvantagens• Maior sensibilidade a sobrecarga• Sensível a curto-circuito• Disparo por transientes• Queda de tensão maior• Necessidade de dissipador de calor• Isolamento

Aplicações

DISPOSITIVOS PARA DISPARO

TRIAC

DIAC - Diode for AlternatingCurrent

• Assim como o Triac, o Diac é um dispositivo que permite condução nos dois sentidos tendo aplicações em baixos níveis de potência. Entretanto, a entrada em condução não ocorre devido a um pulso de corrente no gate, mas a partir de uma tensão de disparo aplicada entre seus terminais.

ROGÉRIO WEYMAR IFSul

U M O S C I L A D O R A D I A C

LÂMPADA NEON

Uma lâmpada de néon é uma lâmpada de descarga emgás que contém sobretudo néon a baixa pressão.A fórmula exata do gás no seu interior é tipicamente amistura de Penning, ou seja, 99.5% de néon e 0.5% deÁrgon.A tensão aplicada tem de atingir inicialmente ovalor da tensão de disparo, antes que a lâmpada acenda.Depois de acesa, a tensão necessária para manter o seufuncionamento é significativamente (30%) inferior.

U M O S C I L A D O R A NEON

PISCA COM NEON

ACOPLADOR ÓTICO

FOTO-TRANSISTOR

EX: 4N25 EX: MOC3011

CIRCUITOS ESPECIAIS DE DISPARO

Detector de passagem por zero

ZONAS DE CORTE E SATURAÇÃO DO TRANSISTOR

EXEMPLO

RETA DE CARGA

UJT – Transistor Unijunção

Oscilador com UJT

Oscilador de Relaxação

com UJT Sincronizado com

a Rede

UJT – Circuitos

MOSFET - NEste dispositivo se aproxima de umachave fechada (região ôhmica)quando a tensão VGS é adequada,tipicamente de 9 a 15V. E estábloqueado quando esta tensão forinferior ao limite VGSth (4V, típico).