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Sumrio: O IGBT.
O IGBT O transstor bipolar de porta isolada (Insulated Gate Bipolar Transstor) o dispositivo de comutao nos conversores de potncia.
Caractersticas: Entrada de MOSFET de potncia (tenso)Sada de dispositivos bipolares (corrente)
Vantagens: Rpida comutao (MOSFET)Perdas de conduo baixas (bipolares)
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A estrutura
Emissor
Colector
Porta
n+ p+
p+
Regio de deriva n
-
SiO2
Ctodo n+
Porta
p
n+n
p+
nodo
Modulao da condutividade da zona de deriva
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G
S
D
NMOS
PNP
Ip(W)
In(W)IT(W)=Ip(W)+In(W)
Circuito elctrico equivalente
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Tiristores: interruptores electrnicos comandados
Corte-ConduoAplicao de uma tenso superior bscula
Aplicao de um impulso positivo pela porta
Activao por impulsos luminosos
Variao rpida da tenso andica
Dispositivos bipolares: correntes elevadas + tenses baixas
Dodo de 4 camadas SCR
GTO IGBT
MOS: comando em tenso
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