Sumrio: O IGBT.

O IGBT O transstor bipolar de porta isolada (Insulated Gate Bipolar Transstor) o dispositivo de comutao nos conversores de potncia.

Caractersticas: Entrada de MOSFET de potncia (tenso)Sada de dispositivos bipolares (corrente)

Vantagens: Rpida comutao (MOSFET)Perdas de conduo baixas (bipolares)

A estrutura

Emissor

Colector

Porta

n+ p+

p+

Regio de deriva n

SiO2

Ctodo n+

Porta

p

n+n

p+

nodo

Modulao da condutividade da zona de deriva

G

S

D

NMOS

PNP

Ip(W)

In(W)IT(W)=Ip(W)+In(W)

Circuito elctrico equivalente

Tiristores: interruptores electrnicos comandados

Corte-ConduoAplicao de uma tenso superior bscula

Aplicao de um impulso positivo pela porta

Activao por impulsos luminosos

Variao rpida da tenso andica

Dispositivos bipolares: correntes elevadas + tenses baixas

Dodo de 4 camadas SCR

GTO IGBT

MOS: comando em tenso