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Aula 01JFET – Transistor de

Efeito de Campo(pág. 174 a 179)

Prof. Dr. Aparecido NicolettPUC-SP

Construção e Características do JFETSlide 1

• Dispositivo de três terminais.

• Aplicado em circuitos muito semelhantes aos que utilizam o TBJ.

IE

• TBJ: controlado por corrente (IC = f(IB))

• FET: controlado por tensão (ID = f(VGS))

TBJ x FETSlide 2

<>Tamanho

><Estabilidade

<>Ganho de tensão

<>Controle de corrente de saída.

<>Sensibilidade à temperatura

><Impedância de entrada

FETTBJCaracterísticas

Construção do JFET Slide 3

• Existem dois tipos de JFETs: canal N e canal P. O do tipo canal N é mais utilizado.

Analogia de funcionamentoSlide 4

JFET (canal N) com polarizaçãoSlide 5

• O fluxo de carga entre fonte e dreno é relativamente irrestrito e limitado somente pela resistência do canal N.

• A região de depleção é mais larga próximo do dreno, pois a polarização reversa dreno/porta é maior que a polarização reversa porta/fonte.

VD > VS

VGS = 0 V

VDS > 0 V

ID = IS ≠ 0 A

Slide 6

• Admitindo uma resistência uniforme do canal N, a variação dos potenciais reversos podem ser observados na figura.

• Próximo à fonte, a queda de tensão é menor (menor resistência) e próximo do dreno, a queda de tensão é maior (maior resistência).

• Como a junção PN está sempre polarizada reversamente, a corrente de porta IG é sempre zero (IG = 0 A)

Slide 7 IDS x VDS (VGS = 0 V)

Região de Saturação

Região de Triodo

Região de Corte

Pinçamento – “Pinch-off”Slide 8

• Apesar do estrangulamento, ID ≠ 0 A. Os portadores passam através da região de depleção. Nesta condição, IDS passa a ser constante (IDS = cte na saturação).

VDS ↑ → Rch ↑→ IDS = cte, característica de uma fonte de corrente.

Obs.: IDSS é a corrente máxima de ID, definida na condição de VGS = 0V e VDS > Vp.

Slide 9

• A polarização negativa de VGS, aumenta as camadas de depleção, diminuindo a “área” de passagem da corrente.

• O valor de VGS que resulta em ID = 0 A é definido como Vp (VGS = Vp).

VD > VS

VGS < 0 V

VDS > 0 V

ID = IS ≠ 0 A

Curvas Características do JFET canal NSlide 10

IDSS = 8 mA

Vp = - 4 V

Resistor controlado por tensãoSlide 11

[5.1]2

PGS

od

)VV(1

rr−

=

• Na região ôhmica, o JFET pode ser utilizado como um resistor controlado por tensão.

ro = resistência com VGS = 0 V

rd = resistência específica para um certo VGS

JFETS canal PSlide 12

Características do JFET canal PSlide 13

Símbolos para o JFETSlide 14

Canal N Canal P

ResumoSlide 15