01 amplificadores elementares transistorizados
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Amplificadores Elementares Transistorizados
Prof. Jader A. De Lima
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• Atenuação, Distorção, Ruído em Sinais
• Amplificadores Básicos (Estágio Simples)
• Transistores Bipolares (BJTs)• Transistores MOS (MOSFETs)
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Amplificador linear: A = d(Vout)/d(Vin) = constante
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AttenuationMeans loss of energy weaker signalWhen a signal travels through a medium it loses energy
overcoming the resistance of the mediumAmplifiers are used to compensate for this loss of energy
by amplifying the signal.
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Measurement of Gain/Attenuation
To show the loss or gain of energy the unit “decibel” is used.
dB = 10log10P2/P1
P1 - input signal
P2 - output signal
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Suppose a signal travels through a transmission medium and its power is reduced to one-half. This means that P2 is (1/2)P1. In this case, the attenuation (loss of power) can be calculated as
A loss of 3 dB (–3 dB) is equivalent to losing one-half the power.
1
2log20
V
VAVdB
1
2log20
I
IAIdB
A loss of 3 dB (–3 dB) is equivalent to losing 0.707 of voltage (current).
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Decibel is also used to measure signal power in milliwatts. In this case, it is referred to as dBm and is calculated as dBm = 10 log10 Pm , where Pm is the power in milliwatts.
A power level of 0 dBm corresponds to a power of 1 milliwatt.
Ex: Power of a signal with dBm = −30.
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Distorção em Amplificadores (introdução)
Distorção pode ocorrer devido a:
i)Polarização incorreta do ponto quiescente, de modo que a amplificação não ocorra para a onda completa do sinalii)Amplitude do sinal de entrada muito grandeiii)Amplificação não linear ao longo da faixa de frequencia do sinal
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Distorção de Amplitude (Distorção Harmônica)•Introdução
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Espectro de frequência da onda quadrada periódica
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• distorção de amplitude (polarização incorreta)
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• distorção de amplitude (clipping)
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• distorção de amplitude (amplitude de sinal muito alto à entrada)
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Q
xo
yo
x
y
Taylor expansion: ...)x(xα...)x(xα)x(xαyy(t) kok
2o2o1o
oxx
kdx
y(k)
d
k!kα
1
Small-signal analysis: )x(xαyy(t) o1o
where
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...)x(xα...)x(xα)x(xαyy(t) kok
2o2o1o
Vin: pure sine wave whose frequency is fo.
Vout: periodic signal whose fundamental frequency is fo.
...)tsin(3ωA)tsin(2ωA)tsin(ωAV 3o32o21o1out
)tsin(kωA ko1k
k
Vin = A sin ot
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2k 100%A
AHD
21
2k
k
100%A
ATHD
21
2k
2k
1
k21
2k
dBk A
A20log
A
A10logHD
21
2k
2k
dB A
A10logTHD
or
or
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Distorção devido ao atraso de fase
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Distorção devido ao atraso de fase
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Noise
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NoiseThere are different types of noise
Intrinsic - random noise of electrons generated by components, creates an extra signal
Induced - from motors and appliances, devices act are transmitter antenna and medium as receiving antenna.
Crosstalk - same as above but between two wires.Impulse - Spikes that result from power lines,
lightning, etc.
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Intrinsic noise in basic components
• resistor
where k = 1.38x10-23 J/K and T is the absolute temperature;Sv(f) is expressed in V2/Hz.
Ex: 50-Ohm resistor @ 300oK 8.28 x 10-19 V2/Hz of noise power per unit bandwidth
If BW = 10MHZ, V_noise = 2.87uV
Resistor thermal-noise (white noise)
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• MOSFET
• Noise power is frequency-dependent (flicker-noise + thermal-noise)
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• BJT
BJT shot noise (white noise)
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Signal to Noise Ratio (SNR)
To measure the quality of a system. SNR indicates the strength of the signal wrt the noise power in the system.
It is the ratio between two powers (or two rms voltages)
It is usually given in dB and referred to as SNRdB.
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Ex: The power of a signal is 10 mW and the power of the noise is 1 μW; what are the values of SNR and SNRdB ?
SolutionThe values of SNR and SNRdB can be calculated as follows:
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dBu
mxSNRdB 3.80
17
250707.0log20
Ex: The rms voltage of input-referred noise is 17uV. For a signal of 250mV peak, what´s is the SRN?
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Two cases of SNR: a high SNR and a low SNR
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(a) Thévenin (b) Norton
Representação de uma fonte de sinal
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Amplificador de tensão como quadripolo
• rin: resistência de pequenos-sinais de entrada• rout: resistência de pequenos-sinais de saída• Av : ganho de tensão em aberto Av = (Vout/Vin)
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• Caso prático: • carga do amplificador (RL)• Resistência da fonte de sinal (RS)
• Há algum efeito no ganho total Vout/Vs?
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Lout
Linvout
Rr
RVAV
Sin
inin
Rr
rVsV
Lout
L
Sin
inv
out
Rr
R
Rr
rA
Vs
V
atenuação do sinal
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Exercício: determinar o ganho total na cadeia de 3 estágios. Verificar que o ganho total difere de 10 x 100 x 1
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• modelo pequenos-sinais BJT
• modelo pequenos-sinais MOSFET
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• Tipos de Amplificadores
Amplificador de tensão Amplificador de corrente
Amplificador de transresistenciaAmplificador de transcondutância
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Typical magnitude response of an amplifier. |T(v)| is the magnitude of the amplifier transfer function - that is, the ratio of the output Vo(v) to the input Vi(v).
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1. Montagem Emissor-Comum (CE: common emitter)
• terminal de emissor é comum a ambos os sinais de entrada e saída. • sinal de entrada é aplicado à base• sinal de saída – em inversão de fase - é retirado do coletor
Amplificadores Básicos a BJT
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• Ganho de tensão (condição de contorno: coletor em aberto):
inmmC
outvgvg
R
v
Cm
0Ioutin
outV Rg
v
vA
Observa-se que:
i)em relação à entrada, a saída apresenta inversão de fase. ii)ganho AV é diretamente proporcional à transcondutância gm = IC/VT, sendo IC a corrente de DC do coletor e VT é a tensão térmica (@ 25mV@300oK).
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Ex: no caso de Av = -38.5, tem-se as correspondentes formas de onda, para um sinal senoidal à entrada de amplitude de 2mV (admite-se que a alimentação VCC seja suficientemente alta para permitir a excursão de saída)
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• Resistência de Entrada:
• circuito equivalente AC para o cálculo da impedância (resistência) de entrada (condição de contorno: coletor em aberto, ou iout = 0):
xx
ir
v
E
TE
x
x
0ioutinI
Vrr
i
vr
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• Resistência de Saída:
• circuito equivalente AC para o cálculo da impedância (resistência) de saída (condição de contorno: curto-circuito à entrada (vin = 0):
vgR
vi m
C
xx
Cx
x
0vinout Ri
vr
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• A polarização de Q1 em sua região ativa é fundamental para que o amplificador opere em sua região linear.
• O ponto quiescente Q é caracterizado por IBQ, ICQ e VCEQ
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• formas de onda referentes a uma entrada triangular.
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• Polarização do transistor
Equivalente Thévenin para cálculo do ponto quiescente
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→
RTh = RB1 // RB2
VTh = VCC RB2 / ( RB1 + RB2 )
IB = (VTh - VBE ) / RTh + ( +1) RE AV - (RC / RE )
→ Presença de RE estabiliza o ganho
• DC:
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2. Montagem Base-Comum (CB: common base)
• terminal de base é comum a ambos os sinais de entrada e saída. • sinal de entrada é aplicado ao emissor• sinal de saída – em fase - é retirado do coletor
![Page 61: 01 amplificadores elementares transistorizados](https://reader038.vdocuments.com.br/reader038/viewer/2022102807/55b2fe81bb61eb9f758b461d/html5/thumbnails/61.jpg)
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• Ganho de tensão (coletor em aberto):
vgRv mCout
vvin
Cm
0Ioutin
outV Rg
v
vA
• Embora o ganho de tensão seja idêntico – em módulo – ao apresentado pela montagem CE, a saída está agora em fase com a entrada.
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• Resistência de Entrada:
• circuito equivalente AC para o cálculo da impedância (resistência) de entrada (coletor em aberto, ou iout = 0):
E
TE0ioutin
I
Vrr
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• Resistência de Saída:
• circuito equivalente AC para o cálculo da impedância (resistência) de saída para curto-circuito à entrada (vin = 0):
E
EAo
I
Vrcer
oC0vinout r//Rr
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3. Montagem Coletor-Comum (CC: common collector)
• terminal de coletor é comum a ambos os sinais de entrada e saída. • sinal de entrada é aplicado à base• sinal de saída – em fase - é retirado do emissor • montagem CC também é chamada de seguidor de emissor
![Page 65: 01 amplificadores elementares transistorizados](https://reader038.vdocuments.com.br/reader038/viewer/2022102807/55b2fe81bb61eb9f758b461d/html5/thumbnails/65.jpg)
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• Ganho de tensão (emissor em aberto, Iout = 0):
outin vvv
E
E
EEEmEout
r
Rv
r
1
r
1Rv
r
vvgRv
1R
rvv
E
Eoutin
1R
r1
v
vA
E
E0ioutin
outV
• para rE << RE, tem-se um ganho de tensão aproximadamente unitário, estando os sinais de entrada e saída em fase.
![Page 66: 01 amplificadores elementares transistorizados](https://reader038.vdocuments.com.br/reader038/viewer/2022102807/55b2fe81bb61eb9f758b461d/html5/thumbnails/66.jpg)
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• Resistência de Entrada:
• circuito equivalente AC para o cálculo da impedância (resistência) de entrada (emissor em aberto, ou iout = 0):
v
r
R1
r
vRgRvv
E
EEmEx
EE
x
EE
E
xx
Rr
v
rr
R1
v
r
vi
EEx
xin Rr
i
vr
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• Resistência de Saída:
• circuito equivalente AC para o cálculo da impedância (resistência) de saída para curto-circuito à entrada (vin = 0). Por simples inspeção visual:
1
R
g
1//R
1
Rr//Rr
S
mE
SeE0vinout
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+VCC
-VCC
Vi ~
RL
QN
QP
Vo
3a. Estágio de Saída Push-Pull Classe B
Estágio Push-Pull em Classe B
Vi
Vo
- Vcc + Vcesatp
Vcc - Vcesatn
Vben
Vbep
crossover
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3b. Estágio de Saída Push-Pull classe AB(eliminar distorção de cruzamento)
+VCC
-VCC
Vin ~
R3
R4
RL
QN
QP
R2
R1
Q1Vbb
CB
Vo
push-pull com multiplicador de VBE
Vbb = VBE1 (1 + ( R2 / R1 ))
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1. Montagem Fonte-Comum (CS: common source)
• terminal de fonte é comum a ambos os sinais de entrada e saída. • sinal de entrada é aplicado à porta• sinal de saída – em inversão de fase - é retirado do dreno
Amplificadores Básicos a MOSFET
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• Ganho de tensão (dreno em aberto):
inm1mD
outvgvg
R
v
Dm
0Ioutin
outV Rg
v
vA
Observa-se que:
i)em relação á entrada, a saída apresenta inversão de fase. ii)ganho AV é diretamente proporcional à transcondutância. Para o MOSFET na saturação, tem-se
DGS
Dm I
V
Ig 2
ID: a corrente DC do dreno = (W/L)nCox : fator de ganho do transistor
2
2THGSD VVI
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• MOSFET
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VDSat = VGS – Vt : saturation voltage
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Ex: Av = -3.85, tem-se as correspondentes formas de onda, para um sinal senoidal à entrada de amplitude de 2mV.
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• Resistência de Entrada:
• circuito equivalente AC para o cálculo da impedância (resistência) de entrada (dreno em aberto, ou iout = 0):
x
x
0ioutini
vr
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• Resistência de Saída:
• circuito equivalente AC para o cálculo da impedância (resistência) de saída na condição de contorno de curto-circuito à entrada (vin = 0):
gsmD
xx vg
R
vi
Dx
x
0vinout Ri
vr Sendo vgs = 0,
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• amplificador CS com resistor de degeneração de fonte RS, e respectivo circuito equivalente para pequenos-sinais.• A degeneração de fonte possibilita uma estabilização do ganho (Av = -RD/RS)
S1m1in Rvgvv
Sm
in1
Rg1
vv
D1mout Rvgv
Sm
D
Sm
Dm
in
out
Rg
1R
Rg1
Rg
v
v
Impondo-se, por projeto, 1/gm << RS:
S
D
in
out
R
R
v
v
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2. Montagem Porta-Comum (CG: common gate)
• terminal de gate é comum a ambos os sinais de entrada e saída. • sinal de entrada é aplicado à fonte• sinal de saída – em fase - é retirado do dreno
gsmDout vgRv
gsin vv
Dm
0Ioutin
outV Rg
v
vA
• Ganho de tensão (dreno em aberto):
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• Resistência de Entrada:
• circuito equivalente AC para o cálculo da impedância (resistência) de entrada (dreno em aberto, ou iout = 0):
xm1mx vgvgi
mx
x
0iouting
1
i
vr
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• Resistência de Saída:
• circuito equivalente AC abaixo para o cálculo da impedância (resistência) de saída para curto-circuito à entrada (vin = 0):
oDx
o
x
D
xx
r
1
R
1v
r
v
R
vi oD0vinout r//Rr
D
EAdso
I
Vrr
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3. Montagem Dreno-Comum (CD: common drain)
• terminal de dreno é comum a ambos os sinais de entrada e saída. • sinal de entrada é aplicado à porta• sinal de saída – em fase - é retirado da fonte • montegem CD também é chamada de seguidor de fonte
![Page 83: 01 amplificadores elementares transistorizados](https://reader038.vdocuments.com.br/reader038/viewer/2022102807/55b2fe81bb61eb9f758b461d/html5/thumbnails/83.jpg)
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• Ganho de tensão (fonte em aberto):
o
outL1mL
o
out1mLout
r
vRvgR
r
vvgRv
1mLo
Lout vgR
r
R1v
1outin vvv
)vv(gRr
R1v outinmL
o
Lout
inomL
L
mLout v1
rgR
R
gR
1v
oLm
0ioutin
outV
r//Rg
11
1
v
vA
• para ro >> RL e gmro >>1, tem-se um ganho de tensão aproximadamente unitário, estando os sinais de entrada e saída em fase.
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• Resistência de Entrada:
• circuito equivalente AC para o cálculo da impedância (resistência) de entrada (fonte em aberto, ou iout = 0):
x
xin
i
vr
![Page 85: 01 amplificadores elementares transistorizados](https://reader038.vdocuments.com.br/reader038/viewer/2022102807/55b2fe81bb61eb9f758b461d/html5/thumbnails/85.jpg)
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• Resistência de Saída:
• circuito equivalente AC abaixo para o cálculo da impedância (resistência) de saída para curto-circuito à entrada (vin = 0). Por simples inspeção visual e = 0:
mL
moL0vinout
g
1//R
g
1//r//Rr
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DSDSTHGSD VVVVI
2
1
2
2THGSD VVI
1expT
BEoEE
V
VJAI
(triode)
(sat)
oxCL
W
THGSm VVg 5.02 DI
t
EmV
Ig
BJT MOSFET
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Ex: Determinar:•Ponto de operação•Ganho de tensão para pequenos sinais•Qual mínimo VDD que garante M1 na região de saturação?
Dados:•VTH = 0.6V (tensão de limiar)• = 420 cm2/(V.s)•Cox = 600nF/cm2
• = 0 (efeito modulação canal)
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22 6.012
1
2 oxTHGSD C
L
WVVI
mAVVI THGSD 12.16.01.n600.42018.0
10
2
1
222
VmxRIVV DDDDS 14.112.15008.1
VmAxVVg THGSm /6.54.0014.0
VVmxgmRAv D /8.25006.5
VmRIVV
VVVV
DDDSATDD
THGSDSAT
96.050012.14.0
4.0
min
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Collector current waveforms for transistors operating in (a) class A, (b) class B,
Estágios de Sáida (Estágios de Potência)
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(Continued) (c) class AB, and (d) class C amplifier stages.
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Estágios de Sáida (Estágios de Potência)
Classe A - Seguidor de Fonte
oLm
0ioutin
outV
r//Rg
11
1
v
vA
x
xin
i
vr
mL
moL0vinout
g
1//R
g
1//r//Rr
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Vin
VL
Vbe
- RL Is
Vcc - Vcesat
Vcc - Vcesat + Vbe
- RL Is + Vbe
Vin
VL
Vcc
-Vcc
IsRL
Q1
~
Va
Vs
Rs
• Classe A (seguidor de emissor) com fonte de corrente
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Source: Razavi
• Bipolar Cascode Amplifier
Cascode Amplifiers
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• MOSFET Cascode Amplifier
Source: Razavi
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EEL 7303 – Circuitos Eletrônicos AnalógicosJader A. De Lima UFSC, 2015
REFERÊNCIAS:
• Fundamentals of Microelectronics, B. Razavi, John Wiley and Sons, 2006
• Microelectronic Circuits, A. Sedra and K. Smith, Oxford university Press, 5th Edition, 2003