O transistor de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais, formado por trs camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n".O primeiro chamado de transistor npn enquanto que o segundo chamado de transistor pnp.travs de uma polari!ao de tenso adequada consegue"se estabelecer um #u$o de corrente, permitindo que o transistor seja utili!ado em in%meras aplica&es como: chaves comutadoras eletr'nicas, ampli(cadores de tenso e de potncia, osciladores, etc.O termo bipolar refere"se ao fato dos portadores lacunas e eltrons participarem do processo do #u$o de corrente. )e for utili!ado apenas um portador, eltron ou lacuna, o transistor denominado unipolar *+,-..s (guras abai$o ilustram a estrutura b/sica de um transistor, representando um circuito - equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identi(cao da polari!ao das jun&es, as quais so: base"emissor e base"coletor *0", e 0"1 respectivamente..Observa"se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo formaa base, que negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no transistor npn a juno dos dois anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e o coletor negativos.simbologia utili!ada para os transistores de juno mostrada logo abai$o dos circuitos equivalentes "-" com diodos.2ara que um transistor funcione necess/rio polari!ar corretamente as suas jun&es, da seguinte forma: 3 " 4unobase"emissor: deve ser polari!ada diretamente 5 " 4uno base"coletor: deve ser polari!ada reversamente,sse tipo de polari!ao deve ser utili!ado para qualquer transistor de juno bipolar, seja ele npn ou pnp.s (guras abai$o ilustram e$emplos de polari!ao para os dois tipos de transistores:Observe atentamente nas (guras acima a polaridade das baterias.3 " 4uno diretamente polari!ada: (gura abai$o mostra o desenho de um transistor pnp com a polari!ao direta entre base e emissor. 2ara estudaro comportamento da juno diretamente polari!ada, foi retirada a bateria de polari!ao reversa entre base e coletor.Observa"se ento uma semelhana entre a polari!ao direta de um diodo com a polari!ao direta entre base e emissor, onde aparece uma regio de depleo estreita.6este caso haver/ um #u$o relativamente intenso de portadores majorit/rios do material p para o material n.-ransistor npn com polari!ao direta entre base e emissor e polari!ao reversa entre coletor e base.-ransistor pnp com polari!ao direta entre base e emissor e polari!ao reversa entre coletor e base5 " 4uno reversamente polari!ada:2assemos a analisar o comportamento da juno reversamente polari!ada, conforme mostra a (gura abai$o. 6estecaso, foi removida a bateria de polari!ao direta entre emissor e base.Observa"se agora, em virtude da polari!ao reversa um aumento da regio de depleo semelhante ao que acontece com os diodos de juno, isto ocorre um #u$o de portadores minorit/rios *corrente de fuga nos diodos.,#u$o este que depende tambm da temperatura. 2odemos ento di!er que uma juno p"n deve ser diretamente polari!ada *base"emissor. enquanto que a outra juno p"n deve ser reversamente polari!ada *base"coletor..7uando um transistor polari!ado corretamente, haver/ um #u$o de corrente, atravs das jun&es e que se difundir/ pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.,ssas camadas no tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que: 3.base a camada mais (na e menos dopada8 5. O emissor a camada mais dopada8 9. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o emissor.:ma pequena parte dos portadores majorit/rios (cam retidos na base. 1omo a base uma pel;cula muito (na, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor. corrente que (ca retida na base recebe o nome de corrente de base *a mesma forma, para transistores de potncia, a corrente de base signi(cativamente maior.2odemos ento di!er que o emissor *,. o respons/vel pela emisso dos portadores majorit/rios8 a base *0. controla esses portadores enquanto que o coletor *1. recebe os portadores majorit/rios provenientes do emissor. e$emplo dos diodos reversamente polari!ados, ocorre uma pequena corrente de fuga, praticamente despre!;vel, formada por portadores minorit/rios. Os portadores minorit/rios so gerados no material tipo n *base., denominados tambm de corrente de fuga e so difundidos com relativa facilidade at ao material do tipo p *coletor., formando assim uma corrente minorit/ria de lacunas. ?embre"se de que os portadores minorit/rios em um cristal do tipo n so as lacunas.>esta forma a corrente de coletor *