reporte ram

10
Subsecretaría de Educación Superior Dirección General de Educación Superior Tecnológica Instituto Tecnológico de Pachuca INSTITUTO TECNOLÓGICO DE PACHUCA PRACTICA DE LA MEMORIA RAM ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS PROFESOR ING: ERIC LEÓN OLIVARES PRESENTAN: ESCOBAR TÉLLEZ GIRÓN JOAQUIN HERNÁNDEZ JARILLO ALBERTO RAMÍREZ PREYRA DANIEL ENRIQUE 17 DE MARZO DEL 2015

Upload: joaquin-pollitoallstar

Post on 16-Nov-2015

151 views

Category:

Documents


3 download

DESCRIPTION

Reporte RAM

TRANSCRIPT

Subsecretara de Educacin SuperiorDireccin General de Educacin SuperiorTecnolgicaInstituto Tecnolgico de Pachuca

INSTITUTO TECNOLGICO DE PACHUCA

PRACTICA DE LA MEMORIA RAM

ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS

PROFESORING: ERIC LEN OLIVARES

PRESENTAN:ESCOBAR TLLEZ GIRN JOAQUIN HERNNDEZ JARILLO ALBERTO RAMREZ PREYRA DANIEL ENRIQUE

17 DE MARZO DEL 2015

INTRODUCCINEl circuito integrado 7489 implementa un sumador binario completo de 2 nmeros de 4 BitsRAM ms pequea es la 7489/189/289. Es de 64bit (24 x 4) y esde tecnologa TTL. Esta memoria puede almacenar hasta 16 palabras de 4bits. Es bastante rpida, su t=33ns. Por su poca capacidad dealmacenamiento no tiene mucha utilidad actualmente y su fabricacin se estdescontinuando.Las operaciones bsicas son: Operacin de lectura (read): Se habilitan las entradas CS y OE. Operacin de escritura (write): Se habilitan las entradas CS y WE. Cada bit de la memoria SRAM llamado celda SRAM tiene el mismocomportamiento funcional que el siguiente circuito:

DESARROLLOLa memoria RAM 7489 est organizada en 16 palabras de 4 bits. Por tanto, se necesitarn 4 bits para definir las direcciones de las posiciones de memoria. Para ello pueden usarse cuatro conmutadores manuales o bien un contador, y para observar la direccin escogida se usarn cuatro leds. Debe tenerse en cuenta que la RAM 7489 es de colector abierto y por consiguiente al conectar los leds de visualizacin debe usarse una resistencia de apoyo a la fuente.Modo de escritura:Una vez fijada la direccin se coloca el conmutador delectura/escritura en la posicin W. Seguidamente se elige un dato cualquiera deentrada y se introduce a travs de D0, D1, D2 y D3. Se repite el proceso paracada una de las posiciones de memoria tomando nota de los datos que se han grabado para la posterior comprobacin en el modo de lectura. Modo de lectura:Colocando el conmutador R/W en R, se observan en leds conectados a las salidas Q0, Q1, Q2 y Q3 los datos almacenados en la direccin de memoria elegida, el mtodo de direccionamiento es, lgicamente, el explicado anteriormente.

MATERIAL Y EQUIPO: 1 Multmetro 1 Fuente de poder con salida de 12 a 5 volts de corriente contina 1 Protoboard 1 Circuito 7489 6 leds 2 DIP switch de 4 interruptores 8 resistencias de 220 ohm 8 resistencias de 10 k

PROCESOLa memoria de acceso aleatorio (RAM) se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayora del software. Es all donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cmputo. Se denominan de acceso aleatorio porque se puede leer o escribir en una posicin de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posicin, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la informacin de la manera ms rpida posible.DIAGRAMA LGICO

Esta prctica consiste en comprender el funcionamiento de una memoria RAM y sus operaciones de lectura y escritura, para esto utilizamos el circuito 74s289 que tiene la funcin de dar a conocer cmo funciona dicha memoria. Este tipo de circuito integrado cuenta con 4 direcciones para almacenar datos y 4 de salidas para que sean mostrados los datos que se introducen, por medio del DIP switch le indicamos la direccin y los datos que se quieren guardar. Para poder leer se tiene que habilitar el modo READ y por medio de la entrada de direcciones le indicamos que posicin queremos que sea mostrada.

Si vamos a guardar un dato en la memoria las entradas CS y WE debern decir una entrada baja o un 0 o estar conectada a tierra.El circuito 74s289 est constituido internamente de la siguiente manera (DATA SHEET).

Para poder realizar el funcionamiento de la memoria RAM por medio del circuito 74s289 utilizamos el programa PROTEUS versin 7 el cual es un paquete de software para el diseo de circuitos electrnicos que incluye captura (composicin) de los esquemas, simulacin analgica y digital combinadas y diseo de circuitos impresos. Se utiliz una fuente de poder de 5 volts, para los DIP switch de direccin y de datos colocamos resistencias de 10 k debido a que estas estn conectadas en paralelo y por consiguiente la resistencia disminuye, nuestro bus de direccin fue colocada en las entradas A0, A1, A2, A3 porque as est configurado el circuito siguiendo el Data sheet, y el bus de datos a las entradas D1, D2, D3, D4, en las salidas Q1, Q2, Q3, Q4 son conectados los leds que son los que indicaran los datos que se mandan, aqu se conectaron resistencias para cada uno de ellos de 220 ohm adems estos sern conectados a corriente ya que el circuito es de tipo de colector abierto.Para lectura y escritura de datos la memoria cuenta con 2 entradas una llamada CS y otra WE para habilitar el modo escritura ambas entradas tienen que estar a tierra, de ese modo estarn recibiendo L, L o 0,0 respectivamente. Ya que terminamos de ingresar datos en las diversas direcciones procedemos a leerlos, para eso la entrada CS debe estar conectada a corriente y WE debe estar a Tierra. De ese modo la memoria estar enviando los datos guardados de las direcciones que indiquemos.A continuacin se muestra el diagrama de conexin el cual representa el funcionamiento de nuestro circuito:

Despus de simular en PROTEUS versin 7 el diagrama de conexin y comprobar su funcionamiento iniciamos la construccin del circuito como se indica anteriormente e hicimos distintas pruebas en modo lectura/escritura y comprobamos su funcionamiento.PRUEBASPara la elaboracin del circuito nos basamos en el diagrama lgico mostrado anteriormente. Comenzamos ensamblando cada una de los componentes sobre la protoboard, tratando de conservar una buena presentacin para el mismo. CONCLUSIN: La memoria 74S289 es un circuito en paralelo, es una conexin donde los puertos de entrada de todos los dispositivos conectados coincidan entre s, al mismo modo que sus terminales de salida.De mismo modo comprendimos con mayor precisin el funcionamiento de una memoria RAM y como es que los busses del sistema, llevan los datos hasta esta, guardndolos de manera temporal, y posteriormente como es que los busses llevan a la lectura de datos.Opinamos que para poder realizar un buen trabajo y que los resultados sean satisfactorios requiere leer y entender la teora y posteriormente llevarlo a prctica.BIBLIOGRAFIA:http://pdf.datasheetarchive.com/datasheetsmain/Datasheets-10/DSA-187829.pdfhttp://www.buenastareas.com/ensayos/Memoria-Ram7489/1558512.htmlhttp://books.google.com.mx/books?id=9HWEodKxTCYC&pg=PA118&dq=memoria+7489&hl=es419&sa=X&ei=p1RLUqKEGoaG9QSzjoHAAg&ved=0CC0Q6AEwAA#v=onepage&q=memoria%207489&f=false