pesquisa sobre semicondutore1

7/26/2019 Pesquisa Sobre Semicondutore1

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Pesquisa sobreSemicondutores

ALUNO: llan Carlos S dos Santos

RA:8057869527

ORIENTADOR DOCENTE

RESUMO:


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Esta pesquisa descreve caractersticas, meios de obteno e aplicaes do Arseneto deGlio. Frente ao seu comportamento particular como semicondutor, evidencia umatendncia em substituir os atuais semicondutores Germ!nio e Silcio, aumentando a

per"ormance de componentes eletr#nicos e mel$orando a aplicao de produtos.

SUMRIO


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% &'S()*'A .................................................................................................................. + -A(AGES S/0*E ASGA ................................................................................... 12 3/4P/S'56/ 7/ A*SEE(/ 7E G89'/ .......................................................... 12.% 3A*A3(E*:S('3AS 7/ A*S;'/..................................................................... 1

2. /0(E56/ 7/ A*S;'/ ...................................................................................


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Em 1871, Dimitri Ivanovich Mendeleev previu a exit!ncia e propriedadede um elemento ap" o #inco $%n& na ta'ela peri"dica e deu o nome de (e)aaluminum(, endo deco'erto epectrocopicamente por *eco+ de

oi'andran em 187-, onde no memo ano, o'teve o metal livre poreletr"lie de uma olu./o do hidr"xido de 0lio 23a$O4&56 com hidr"xido depotio $O4&2 HIS!RICO E "ANA#ENS SO$RE As#a

*ecentes avanos em materiais semicondutores e processos de "abricao deram inicioao desenvolvimento de 3ircuitos 'nterados em Arseneto de Glio BAsGaC, "ormado portransistores con$ecidos como 4ESFE(s. A combinao alta velocidadeDbaio consumode potencia, contribuiu na implementao de circuitos que $ tempos atrs, no eramobtidos em processos de tecnoloia em silcio. A partir de %@>= iniciouse a produo

comercial de circuitos interados em Arseneto de Glio marcando a quarta erao dosmesmos. A alta mobilidade aliada a baia capacit!ncia parasita, eibida pela pastil$asemiisolante de Arseneto de Glio, permite a "abricao de transistores de altavelocidade. A alta mobilidade se d devido ao "ato da massa e"etiva do AsGa sersomente >. da massa de elHtrons, contra @> no caso do Silcio. / dispositivo4ESFE( em AsGa "oi proposto por 3arver A. 4ead em %@11 e posteriormente "oi"abricado por I. I. &oper, onde usou crescimento epitaial sobre o substrato semiisolante de Arseneto de Glio.

2 3/4P/S'56/ 7/ A*SEE(/ 7E G89'/

%&1 Cara't(r)st*'as do Ars+n*o

/ arsnio H um elemento qumico de smbolo As com nJmero at#mico 22 B22 prKtons e22 elHtronsC e com massa at#mica


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L o R. elemento em abund!ncia da crosta terrestre e H encontrado na "orma nativa,

principalmente na "orma de sul"eto em uma rande variedade de minerais que contHmouro, cobre, c$umbo, nquel, cobalto e outros metais. a "uso de minerais de ouro,cobre, c$umbo e cobalto se obtHm tri Kido de arsnio B As/2 C que se volatiliMa no

processo e H arrastado pelos ases da c$aminH, podendo conter mais de 2R do Kido./s ases da c$aminH so re"inados posteriormente misturandoos a uma pequenaquantidade de alena ou pirita para evitar a "ormao de arsenitos, e pela queima seobtHm triKido de arsnio com @R a @+ de pureMa, por sublimao sucessiva podeseobter com uma pureMa de @@. *eduMindose o Kido com carbono obtHmse ometaloide Bsemimetal arsnioC, entretanto a maioria do arsnio H comercialiMado comoKido. Praticamente a totalidade da produo mundial de arsnio metlico H c$inesa,que tambHm H o maior produtor mundial de triKido de arsnio. 2.2 3aractersticas doGlio/ lio BGaC H um metal representativo do = perodo e %2 rupo da tabela periKdica

Bmesmo rupo do boro e alumnioC. L o metal com menor ponto de "uso de todos os T

con$ecidos BH capaM de literalmente derreter nas mosC, mas no necessariamente commenor ponto de ebulio. Apresenta colorao

prateada bril$ante quando sKlido e risceo quando "undido e, tal como o elo na ua,a di"erena de densidades "aM com que a amostra ao se solidi"icar "lutue na "ase lquida.Apresenta estrutura cristalina tetraonal, e seus estados de oidao mais comuns soU% e U2 BcaracteriMandose com a tendncia de "ormar Kidos an"KterosC. Lsemicondutor de eletricidade e conduM o calor veMes menos que o "erro. (ende a se"undir abaio do seu ponto de "uso, mas conseuese mantlo sKlido pela adio deum ro BHrmen cristaliMadorC que H capaM de recristaliMlo. Assim, como, ao sedi"undir nas redes cristalinas de outros metais, H capaM de corrolos. 2.= /bteno do

GlioSemel$ante ao alumnio, o lio encontrase amplamente distribudo na crosta terrestre.

PorHm, H praticamente impossvel encontrlo puroV eralmente est areado aminHrios de alumnio na "orma de $idrKido, Minco ou erm!nio Bnesses dois Jltimos,"requentemente na "orma de sul"atoC. (ambHm H possvel encontrlo em resduos dec$aminHs, pois seu Kido pode ser erado por reduo de carbetos, presentes na madeiraou carvo, ou como subproduto em processos de obteno de outros metais. A aplicao

principal do lio est na indJstria de produo de semicondutoresV podese "abricar,pro eemplo, diodos, 9E7s, ou transistores W assim como, servir de dopante, paraalterar as propriedades de determinado semicondutor. AlHm de sensores de temperatura,luM e campos manHticos.

/ ROU3O E ARSENEO E #LIO


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GaAs H produMido raas a nanotecnoloia aplicada a uma so"isticada indJstria deproduo. 0asicamente a produo H dada mediante ao processo denominado de 0E4 W4olecular 0eam EptaX ou "eie molecular epitaial, no qual consistem em trs pil$asno qual possuem os materiais As, Ga e um terceiro com outro material qualquer para a

promoo da dopaem. a "rente destas pil$as $ um obturador rotativo e no "undo

substratos simples que esperam as partculas de As, Ga. (odo este sistema se encontradentro de uma c!mara de altssimo vcuo onde as partculas de As e Ga sobombardeadas mediante a um potencial muito alto da ordem de centenas de Y-. Zuandoo obturador rotaciona vai liber


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5 CONCLUS3O

As aplicaes do Arseneto de Glio so inJmeras e nos propicia uma ama de soluespara a enen$aria moderna. Graas as aplicaes do GaAs H possvel observarmosas maravil$as da tecnoloia em transmisso de dados de "orma simult!nea, precisa e

com um volume que suplanta os iabXtes. 4icroprocessadores cada veM mais veloMesnos permitem criar computadores cada veM mais per"ormticos que quando aplicadosaos diversos ramos da enen$aria permitem clculos e simulaes de plantas de

processos, $idroelHtricas, usinas at#micas, avies, satHlites antes mesmo da eistncia"sica destes. Entretanto a "abricao destes componentes H limitada a escasseM dosmateriais e ao custo da produo, em detrimento da abund!ncia dos semicondutoresatuais e abundancia de material para sua "abricao.

6 RE4ERENCIAS

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