NANOWIRES

Aluno: André Andrade Ferreira

Universidade Federal do Amazonas-UFAM

Faculdade de Tecnologia–FT

Engenharia de Materiais

ARTIGO:

Crescimento de nanofios dendríticos mediados por catalisador auto-montados

Universidade Federal do Amazonas-UFAMFaculdade de Tecnologia–FT

Engenharia de Materiais

NANOFIO dos GRUPOS III-V

Fases cristalográficas; Rota de incorporação; Processo de nucleação.

Alterna-se componentes dos grupos III-V e manipula-se a dinâmica de crescimento do nanofio.

Crescimento Vapor-Líquido-Sólido (VLS)

Figura 1. Esquema do processo de crescimento Vapor-Líquido-Sólido.

Vantagens

Simples produção; Controle de diâmetro do nanofio; variedades de nanofios.

Desvantagens

• Controle reduzido da fase líquida; Baixa produtividade.

Câmara de crescimento epitaxial por feixe químico (CBE)

Figura 2 – Esquema do sistema CBE instalado no IFGW da Unicamp.

Introdução de precursor de Mn durante a síntese de nanofio InAs VLS

1. Dendrítico;

2. Crescimento de ramos epitaxial;

3. ramificado;

1+2+3=novas aplicacões.

Nanofio InAs em GaAs

Figura 3. Visão geral de crescimento VLS de nanofios de InAs orientados por

MOVPE.

Mudança nas condições de crescimento

Figura 4. Imagem MEV.

Estrutura Cristalina

Figura 5. TEManalysis de nanofios de InAs ramificados.

conclusão

A capacidade de inicioposição começou crescimento dendrítico utilizando um catalisador depositado pelo precursor de fase vapor permitindo a síntese in-situ de multigerações de heteroestruturas hierárquicas de nanofios. Átomos de Mn servem como barreira ao crescimento epitaxial incentivam a nucleação e crescimento de pontos de InAs sobre as facetas do nanofio criando novos nanofios nas mesmas (ramos nascentes).