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Máquina de Van Noije Carlos Alberto Rosa www.carlos-rosa.com 23 de Outubro de 2008 Prof. Dr. Wilhelmus Adrianus Maria Van Noije

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Máquina deVan Noije

Carlos Alberto Rosawww.carlos-rosa.com

23 de Outubro de 2008

Prof. Dr. WilhelmusAdrianus Maria Van Noije

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MOSFETJulius Edgar Lilienfeld propôs em 1925 o princípio básico do funcionamento dos Transistores de Efeito de Campo. A patente de 1933 descreve o funcionamento do MOSFET Modo Depleção.

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Princípio do MOSFET• MOS – Metal Oxide Semiconductor

Metal

Oxide

Semiconductor

dmetal

doxide

dbulk

Si

Thic

knes

s

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Princípio do MOSFET• MOS – Metal Oxide Semiconductor

Metal

Oxide

SemiconductorSi(p)

Thic

knes

s

+ + + + + + + + + + + + + + + + + ++ + + + + + + + + + + + + + + + + ++ + + + + + + + + + + + + + + + + ++ + + + + + + + + + + + + + + + + ++ + + + + + + + + + + + + + + +

dmetal

doxide

dbulk

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Princípio do MOSFET• FEM – Field Effect Modulation

Metal

Oxide

SemiconductorSi(p)

xch

xox

xdepDep

th

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - - - - -- + - + - + - + - + - + -

+ + + + + + + + + + + + + + + + + ++ + + + + + + + + + + + + + + +Negative

SpacialCharges

Si(p)

++++++++++++++++++++++++++++++++++Positive Bias

Electric Field

E

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++++++++++

Princípio do MOSFET• FET – Field Effect Transistor

Metal

Oxide

Semiconductor

xinsulator

xactiveDep

th

Si(p)

+ + + + + + + + + + + + + + + + + ++ + + + + + + + + + + + + + + + + ++ + + + + + + + + + + + + + + +

+ - + - +- - - - ---------------+ + ++ + ++ + +

+ + +-----------------------------------------------------------------

-----------------------------------------------------------------

Source Gate Drain

E

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Princípio do MOSFET• Implantação Seletiva de íons de Fósforo

Thin Film Resist

Semicondutor

xactive

Dep

th

Si(p)

+ + + + + + + + + + + + + + + + + ++ + + + + + + + + + + + + + + + + ++ + + + + + + + + + + + + + + +

+ + + + + + + ++ + +

+ + ++ + +

+ + +-----------------------------------------------------------------

-----------------------------------------------------------------

LgLs Ld

ImplantaçãoDose de Fósforo

hresHig

h

Deposição

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Princípio do MOSFET• Switch Mode Transistor (OFF)

Metal

Óxido

Semicondutor

xinsulator

xactiveDep

th

Si(p)

+ + + + + + + + + + + + + + + + + ++ + + + + + + + + + + + + + + + + ++ + + + + + + + + + + + + + + +

+ + + + + + + ++ + +

+ + ++ + +

+ + +-----------------------------------------------------------------

-----------------------------------------------------------------

Source Gate Drain

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++++++++++

Princípio do MOSFET• Switch Mode Transistor (ON)

Metal

Óxido

Semicondutor

xinsulator

xactiveDep

th

Si(p)

+ + + + + + + + + + + + + + + + + ++ + + + + + + + + + + + + + + + + ++ + + + + + + + + + + + + + + +

+ - + - +- - - - ---------------+ + ++ + ++ + +

+ + +-----------------------------------------------------------------

-----------------------------------------------------------------

Source Gate Drain

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Tecnologia MOSFET Atual

Lâmina do Pentium 4: www.intel.com

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Tecnologia MOSFET Atual

Animação da Tecnologia de Fabricação MOSFET 65nm: www.intel.com

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Inspeção de um Projeto de Chip

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Geometria de Projetos NMOS• Modelo de Camada de Polígonos

MET1 POLY1 NDIFF CONTIMP

λ

λ

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Projeto de Transistor NMOS

G

D

S

D

S

G

RepresentaçãoSímbolos Elétricos

RepresentaçãoGeométrica

PadrãoLambda

L

2L=λ

W

MET1

POLY1

NDIFF

CONT

IMP

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Projeto de Inversor NMOS

A A

YY

VSS VSS

YA

YH

AOutputInput

L

H = high level, L = low level

H L

RepresentaçãoSímbolos Elétricos

RepresentaçãoGeométrica

PadrãoLambda MET1

POLY1

NDIFF

CONT

IMP

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Projeto de Porta NAND NMOS

B

A

B

A

YY

VSS VSS

A

BY

HLH

L

H = high level, L = low level

H

LA

Inputs

LB

Output

H

HY

LHH

RepresentaçãoSímbolos Elétricos

RepresentaçãoGeométrica

PadrãoLambda MET1

POLY1

NDIFF

CONT

IMP

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Projeto de Porta NOR NMOS

BA

YY

VSS VSS

B

AY

HL

LH

BA

LL

H = high level, L = low level

HH L

HY

LL

Inputs OutputA B

RepresentaçãoSímbolos Elétricos

RepresentaçãoGeométrica

PadrãoLambda MET1

POLY1

NDIFF

CONT

IMP

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Projeto de um Inversor NMOS:Full Custom (Lógica com Relação)

MET1

POLY1

NDIFF

CONT

IMPVSS

VDD

OUT

IN

OUTIN

IN

OUT

VDD

RepresentaçãoSímbolos Elétricos

RepresentaçãoGeométrica

Layout exemplo de um projeto de CI MOSFET com Lógica NMOS

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Geometria de Projetos CMOS• Modelo de Camada de Polígonos

MET1 POLY1 NDIFF CONTPDIFF

λ

λ

NTUB

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Projeto de Lógica CMOS

Layout exemplo de um projeto de CI CMOS com Sea-of-Gates

VDD

NTUB PDIFF

NDIFF

VSS

MET1 POLY1

CONT

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Redes de Transistores MOS

P7

GP7

P6

GP6

P5

GP5

P4

GP4

P3

GP3

P2

GP2

P1

Vdd

GP1

Vss

SN1 DN1

/

SN2 DN2

GN2GN1

N1 N2

GN3

N3 N4

GN4 GN5

N5 N6 N7

GN7GN6

DN7SN7DN6SN6DN5SN5DN4SN4DN3SN3/ / / / /

/ / / / / /DP1 SP2SP1 DP2 SP3 DP3 SP4 DP4 SP5 DP5 SP6 DP6 SP7 DP7

Red

eP

MO

SR

ede

NM

OS

Chips sem Metalização

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Sea-of-Gates: Conceito

Chips sem Metalização

Red

eP

MO

SR

ede

NM

OS

P

N

P

N

+V

P

N

P

N

P

N

P

N

P

N

+V

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Sea-of-Gates: Porta NOR

Porta NOR é definida somente na Metalização.

Red

eP

MO

SR

ede

NM

OS

P

N

P

N

+V

P

N

P

N

P

N

P

N

P

N

+V

A B Y

A YB

Isolamento

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Sea-of-Gates: Porta NAND

P

N

P

N

+V

P

N

P

N

P

N

P

N

P

N

+V

A B YC D

YABDC

Red

eP

MO

SR

ede

NM

OS

Porta é definida na Metalização

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GP1

Vdd

/

P1

GP2

/

P2

GP3

/

P3

GP4

/

P4

GP5

/

P5

GP6

/

P6

GP7

P7

P7P6P5P4P3P2P1

DP1 SP2SP1 DP2 SP3 DP3 SP4 DP4 SP5 DP5 SP6 DP6 SP7 DP7

4 5 6321 7 8 9

101112131415161718

SP1 DP1/ SP2

DP2/ SP3

CD

4007

P7

VssDP3/ SP4

DP4/ SP5

DP5/ SP6

DP6/ SP6 DP7

Vdd GP1 GP2 GP3 GP4 GP5 GP6 GP7 Vdd

Este chip não existe

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N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7

SN1

GN1

Vss

DN1 SN2/

N1

GN2

DN2 SN3/

N2

GN3

DN3 SN4/

N3

GN4

DN4 SN5/

N4

GN5

DN5 SN6/

N5

GN6

DN6 SN7/

N6

GN7

DN7

N7

101112131415161718

4 5 6321 7 8 9

Vdd Vdd

CD

4007

N7

GN1 GN2 GN3 GN4 GN5 GN6 GN7

SN1 DN1/SN2

DN2/SN3 VssDN3/

SN4DN4/SN5

DN5/SN6

DN6/SN6 DN7

Este chip não existe

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N

N

P

NP

P

1 2 3 4 5 6 7

14 13 12 11 10 9 8

CD4007UB

SN2G2SP2DP2 DN2 G1 Vss

SP3DP1 DN/P3 G3 DN1SN3Vdd

Usando o CI Comercial CD4007

Este chip existe

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DN1

DP1

N

VSS

VDD

G1

N

SP3

SN3

G3

DN/P3

P P

+V

N

DP2

DN2

SP2

SN2

G2

P13

8

7

6

14

9

11

10 12

5

1

4

2

3

Esquemático do CD4007UB

N

N

P

NP

P

891011121314

7654321

CD4007UB

SN2G2SP2DP2 DN2 G1 Vss

SP3DP1 DN/P3 G3 DN1SN3Vdd

Isolando os transistores de interesse PMOS e NMOS

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N

DP2

DN2

SP2

SN2

G2

P

5

1

4

2

3

Esquemático do CD4007UB

P

14 13

1 2 3

12 11 10 9 8

7654DPn SPn VssGPn

CD4007P

Vdd

N

32 4 5 6 71

14 13 12 11 10 9 8

SNnGNn DNn Vss

Vdd

CD4007N

Isolando os transistores de interesse PMOS e NMOS

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P

14 13

1 2 3

12 11 10 9 8

7654

CD4007P

Vdd

SPnDPn GPn Vss

Transistor PMOS Integrado

Transistor de interesse: PMOS

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+V

Vdd

Vss

DPn

SPn

+V

+V

PGPn

R1

D2

D1

D2

D1

D2

D2

D2

D1

D2

D1 = N+ to P-WellD2 = P+ to SubstrateR1=1-5 KR2=15-30 Ohms

D1

R2

D1

R2

D2

D1

D2

3

2

1

7

14

P

14 13

1 2 3

12 11 10 9 8

7654

CD4007P

Vdd

SPnDPn GPn Vss

Circuito Equivalente

Transistor de interesse: PMOS

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N

32 4 5 6 71

14 13 12 11 10 9 8

CD4007N

Vdd

DNnSNn VssGNn

Transistor NMOS Integrado

Transistor de interesse: NMOS

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+V

N

+V

GNn+V

Vss

Vdd

DNn

SNn

D2

D1

R1

D1 D2

D2 D2

R2

D2

D1 D1

D2

D2 D2

D1 = N+ to P-WellD2 = P+ to SubstrateR1=1-5 KR2=15-30 Ohms

R2

D1 D1

3

7

14

5

4

N

32 4 5 6 71

14 13 12 11 10 9 8

CD4007N

Vdd

DNnSNn VssGNn

Circuito Equivalente

Transistor de interesse: NMOS

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P N

1 2 3 4 5 6 7

891011121314

SNnSPn GnDPn DNn Vss

CD4007PN

Vdd

Transistores NMOS e PMOS

Transistor de interesse: PMOSe NMOS conjugados

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SN2

+V

+V

NDN2

DP2

+V

+V

SP2

P

Vdd

+V

Vss

Gn

D1 D1

D1 = N+ to P-WellD2 = P+ to SubstrateR1=1-5 KR2=15-30 Ohms

R1

D2

D2

D1 D1

R2

D2 D2

D1 D1

D2D2D2

R2

D1 D1D1

R2

D1

D2 D2

D2

R2

D1

D2 D2

D1

7

14

3

5

1

2

4

P N

1 2 3 4 5 6 7

891011121314

SNnSPn GnDPn DNn Vss

CD4007PN

Vdd

Circuito Equivalente

Transistor de interesse: PMOSe NMOS conjugados

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P

CI-7CI-6CI-5CI-4

BP7BP6BP5BP4

GP7GP6GP5GP4

PPPP

CI-3CI-2CI-1

BP3BP2BP1

GP3GP2

P

GP1

PP

SP1 DP1 SP2 DP2 SP3 DP3 SP4 DP4 SP5 DP5 SP6 DP6 SP7 DP7

4 5 6 7

89101112

321

1314

DPn SPn VssGPn

CD4007P

Vdd

Usando 7 Circuitos Integrados CD4007UB com Transistor PMOS

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P

CI-7CI-6CI-5CI-4

GP7GP6GP5GP4

PPPP

CI-3CI-2CI-1

GP3GP2

P

GP1

PP

// / / // BP7BP6BP5BP4BP3BP2BP1SP1 DP1 SP2 DP2 SP3 DP3 SP4 DP4 SP5 DP5 SP6 DP6 SP7 DP7

1314

4 5 6 7

89101112

321

Vdd

DPn SPn

CD4007P

VssGPn

Interligando “Drain-to-Source” dos 7 CIs com Transistor PMOS

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CI-2CI-1

GP2GP1

PP

CI-3

P

Vdd

/ /SP1 DP1 SP2 DP2 SP3 ////

CI-7CI-6CI-5CI-4

SP5

GP7GP6GP5GP4

PPPP

GP3

P

DP3 SP4 DP4 SP5 DP5 SP6 DP6 SP7 DP7

14 13

1 2 3

12 11 10 9 8

7654

Vdd

DPn SPn GPn Vss

CD4007P

Polarizando o “Bulk-to-VDD” dos 7 CIs com Transistor PMOS

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N N N

SN1

GN1

BN1 DN1

GN2

SN2 BN2 DN2 SN3

GN3

BN3 DN3

CI-8 CI-9 CI-10

N N N N

GN4

SN4 BN4 DN4 SN5

GN5

BN5 DN5

GN6

SN6 BN6 DN6

GN7

SN7 BN7 DN7

CI-11 CI-13CI-12 CI-14

N

32 4 5 6 71

14 13 12 11 10 9 8

SNnGNn DNn Vss

Vdd

CD4007N

Usando 7 Circuitos Integrados CD4007UB com Transistor NMOS

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N N N

SN1

GN1

BN1 DN1

GN2

SN2 BN2 DN2 SN3

GN3

BN3 DN3

CI-8 CI-9 CI-10

N N N N

GN4

SN4 BN4 DN4 SN5

GN5

BN5 DN5

GN6

SN6 BN6 DN6

GN7

SN7 BN7 DN7

CI-11 CI-13CI-12 CI-14

/ / / / / /

N

1 76532 4

891011121314

SNnGNn DNn Vss

Vdd

CD4007N

Interligando “Drain-to-Source” dos 7 CIs com Transistor NMOS

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N N

SN1

GN1

DN1

GN2

SN2 DN2 SN3

CI-8 CI-9 CI-10

Vss

/ /

N

N

GN3

DN3

N N N N

GN4

SN4 DN4 SN5

GN5

DN5

GN6

SN6 DN6

GN7

SN7 DN7

CI-11 CI-13CI-12 CI-14

/ / / /

1 2

1314 89101112

7653 4

Vdd

CD4007N

VssDNnGNn SNn

Polarizando o “Bulk-to-VDD” dos 7 CIs com Transistor NMOS

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4 3 2 1

CN

1

USB (5 VDC)

Bit A

01

L1

R1

S1

AK

A L2

R2

S201

Bit B

KA

B

01 K

A

S3

L3

R3Bit C

C Z

R5

L5

AK

R4

L4

AK

Y4 3 2 1

CN

2

USB (5 VDC)

GN1 GN2

DN

1/SN

2

SN1

11

12

13

14A B C D

PSI/E

PUSP

/200

7

GP1 GP2GN1 GN2

6

7

8

9

10

GN3GP3

GN4GP4

GN3 GN4

DN

2/SN

3

DN

3/SN

4

DN

4/SN

5

E F G H I

GP1 GP2

SP1

DP1

/SP2

A B C D1

2

3

4

5

Projeto de CircuitosIntegrados CMOS

DP2

/SP3

DP3

/SP4

GP3

E F G

GP4

H I

DP4

/SP5

DP5

/SP6

GP6GP5

J K L

GP7

M N

DP7

DP6

/SP7

Modelagem GeométricaSea-of-GatesProf. Wilhelmus A.M.V. Noije

O1

2

3

4

5

GN5 GN6 GN7D

N5/

SN6

DN

6/SN

7

DN

7

J K L M N

GN6GN5GP6GP5

GN7GP7

6

7

8

9

10

O

FLEX

LAB

11

12

13

14

ConectorUSB

ChavesInterruptoras

ContatosPara

Metalização

LEDsMonitores

Vista frontal do PCB da Máquina Sea-of-Gates

ConectorUSB

VDD

VSS

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Vista frontal do PCB da Máquina Sea-of-Gates (Detalhes 1)

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Vista frontal do PCB da Máquina Sea-of-Gates (Detalhes 2)

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Vista frontal do PCB da Máquina Sea-of-Gates (Detalhes 3)

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Vista frontal do PCB da Máquina Sea-of-Gates (Detalhes 4)

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4 3 2 1

CN

1

USB (5 VDC)

Bit A

01

L1

R1

S1

AK

A L2

R2

S201

Bit B

KA

B

01 K

A

S3

L3

R3Bit C

C Z

R5

L5

AK

R4

L4

AK

Y4 3 2 1

CN

2

USB (5 VDC)

GN1 GN2

DN

1/SN

2

SN1

11

12

13

14A B C D

PSI/E

PUSP

/200

7

GP1 GP2GN1 GN2

6

7

8

9

10

GN3GP3

GN4GP4

GN3 GN4

DN

2/SN

3

DN

3/SN

4

DN

4/SN

5

E F G H I

GP1 GP2SP

1

DP1

/SP2

A B C D1

2

3

4

5

Projeto de CircuitosIntegrados CMOS

DP2

/SP3

DP3

/SP4

GP3

E F G

GP4

H I

DP4

/SP5

DP5

/SP6

GP6GP5

J K L

GP7

M N

DP7

DP6

/SP7

Modelagem GeométricaSea-of-GatesProf. Wilhelmus A.M.V. Noije

O1

2

3

4

5

GN5 GN6 GN7

DN

5/SN

6

DN

6/SN

7

DN

7

J K L M N

GN6GN5GP6GP5

GN7GP7

6

7

8

9

10

O

FLEX

LAB

11

12

13

14

ConectorUSB

ChavesInterruptoras Conector

USB

Contatos

CD4007P

CD4007N

N

89

1011

1213

14 17

65

42

3

Vss

Vdd

CD

4007

N

DN

nS

Nn

GN

n

P

45

678

910

1112 3

21

1314

Vss

Vdd

CD

4007

P

SPn

DPn

GP

n

LEDsMonitores

Vista do PCB com os 14 CIs CD4007 (7-PMOS e 7-NMOS

RedePMOS

RedePMOS

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Vista frontal do PCB da Máquina Sea-of-Gates (Detalhes 1)

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Vista frontal do PCB da Máquina Sea-of-Gates (Detalhes 2)

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Vista frontal do PCB da Máquina Sea-of-Gates (Detalhes 3)

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Vista frontal do PCB da Máquina Sea-of-Gates (Detalhes 4)

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Adaptador USBAutomotivo Conversor12VDC/5VDC x 500 mA

Fonte ChaveadaUSB: 5V x 500 mA

A Máquina MOS Sea-of-Gates

Cabo USB1,8m

Adaptador USBMacho-Macho

4 3 2 1

CN

1

USB (5 VDC)

Bit A

01

L1

R1

S1

AK

A L2

R2

S201

Bit B

KA

B

01 K

A

S3

L3

R3Bit C

C Z

R5

L5

AK

R4

L4

AK

Y4 3 2 1

CN

2

USB (5 VDC)

GN1 GN2

DN

1/SN

2

SN1

11

12

13

14A B C D

PSI/E

PUSP

/200

7

GP1 GP2GN1 GN2

6

7

8

9

10

GN3GP3

GN4GP4

GN3 GN4

DN

2/SN

3

DN

3/SN

4

DN

4/SN

5

E F G H I

GP1 GP2

SP1

DP1

/SP2

A B C D1

2

3

4

5

Projeto de CircuitosIntegrados CMOS

DP2

/SP3

DP3

/SP4

GP3

E F G

GP4

H I

DP4

/SP5

DP5

/SP6

GP6GP5

J K L

GP7

M N

DP7

DP6

/SP7

Modelagem GeométricaSea-of-GatesProf. Wilhelmus A.M.V. Noije

O1

2

3

4

5

GN5 GN6 GN7

DN

5/SN

6

DN

6/SN

7

DN

7J K L M N

GN6GN5GP6GP5

GN7GP7

6

7

8

9

10

O

FLEX

LAB

11

12

13

14

Acessórios de Ligação da Fonte de Alimentação

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Fonte ChaveadaUSB: 5V x 500 mAConfiguração Estrela

Cabo USB

Distribuidor deForça USB

Submáquinas

4 3 2 1

CN

1

USB (5 VDC)

Bit A

01

L1

R1

S1A

K

A L2

R2

S201

Bit B

KA

B

01 K

A

S3

L3

R3Bit C

C Z

R5

L5

AK

R4

L4

AK

Y4 3 2 1

CN

2

USB (5 VDC)

GN1 GN2

DN

1/SN

2

SN1

11

12

13

14A B C D

PSI/E

PUSP

/200

7

GP1 GP2

GN1 GN2

6

7

8

9

10

GN3

GP3

GN4

GP4

GN3 GN4

DN

2/SN

3

DN

3/SN

4

DN

4/SN

5

E F G H I

GP1 GP2

SP1

DP1

/SP2

A B C D1

2

3

4

5

Projeto de CircuitosIntegrados CMOS

DP2

/SP3

DP3

/SP4

GP3

E F G

GP4

H I

DP4

/SP5

DP5

/SP6

GP6GP5

J K L

GP7

M N

DP7

DP6

/SP7

Modelagem GeométricaSea-of-GatesProf. Wilhelmus A.M.V. Noije

O1

2

3

4

5

GN5 GN6 GN7

DN

5/SN

6

DN

6/SN

7

DN

7

J K L M N

GN6GN5

GP6GP5

GN7

GP7

6

7

8

9

10

O

FLEX

LAB

11

12

13

14

4 3 2 1

CN

1

USB (5 VDC)

Bit A

01

L1

R1

S1

AK

A L2

R2

S201

Bit B

KA

B

01 K

A

S3

L3

R3Bit C

C Z

R5

L5

AK

R4

L4

AK

Y4 3 2 1

CN

2

USB (5 VDC)

GN1 GN2

DN

1/SN

2

SN1

11

12

13

14A B C D

PSI/E

PUSP

/200

7

GP1 GP2GN1 GN2

6

7

8

9

10

GN3GP3

GN4GP4

GN3 GN4

DN

2/SN

3

DN

3/SN

4

DN

4/SN

5

E F G H I

GP1 GP2

SP1

DP1

/SP2

A B C D1

2

3

4

5

Projeto de CircuitosIntegrados CMOS

DP2

/SP3

DP3

/SP4

GP3

E F G

GP4

H I

DP4

/SP5

DP5

/SP6

GP6GP5

J K L

GP7

M N

DP7

DP6

/SP7

Modelagem GeométricaSea-of-GatesProf. Wilhelmus A.M.V. Noije

O1

2

3

4

5

GN5 GN6 GN7

DN

5/SN

6

DN

6/SN

7

DN

7

J K L M N

GN6GN5GP6GP5

GN7GP7

6

7

8

9

10

O

FLEX

LAB

11

12

13

14

4 3 2 1

CN

1

USB (5 VDC)

Bit A

01

L1

R1

S1

AK

A L2

R2

S201

Bit B

KA

B

01 K

A

S3

L3

R3Bit C

C Z

R5

L5

AK

R4

L4

AK

Y4 3 2 1

CN

2

USB (5 VDC)

GN1 GN2

DN

1/SN

2

SN1

11

12

13

14A B C D

PSI/E

PUSP

/200

7

GP1 GP2

GN1 GN2

6

7

8

9

10

GN3

GP3

GN4

GP4

GN3 GN4

DN

2/SN

3

DN

3/SN

4

DN

4/SN

5

E F G H I

GP1 GP2

SP1

DP1

/SP2

A B C D1

2

3

4

5

Projeto de CircuitosIntegrados CMOS

DP2

/SP3

DP3

/SP4

GP3

E F G

GP4

H I

DP4

/SP5

DP5

/SP6

GP6GP5

J K L

GP7

M N

DP7

DP6

/SP7

Modelagem GeométricaSea-of-GatesProf. Wilhelmus A.M.V. Noije

O1

2

3

4

5

GN5 GN6 GN7

DN

5/SN

6

DN

6/SN

7

DN

7

J K L M N

GN6GN5

GP6GP5

GN7

GP7

6

7

8

9

10

O

FLEX

LAB

11

12

13

14

4 3 2 1

CN

1

USB (5 VDC)

Bit A

01

L1

R1

S1

AK

A L2

R2

S201

Bit B

KA

B

01 K

A

S3

L3

R3Bit C

C Z

R5

L5

AK

R4

L4

AK

Y4 3 2 1

CN

2

USB (5 VDC)

GN1 GN2

DN

1/SN

2

SN1

11

12

13

14A B C D

PSI/E

PUSP

/200

7

GP1 GP2

GN1 GN2

6

7

8

9

10

GN3

GP3

GN4

GP4

GN3 GN4

DN

2/SN

3

DN

3/SN

4

DN

4/SN

5

E F G H I

GP1 GP2

SP1

DP1

/SP2

A B C D1

2

3

4

5

Projeto de CircuitosIntegrados CMOS

DP2

/SP3

DP3

/SP4

GP3

E F G

GP4

H I

DP4

/SP5

DP5

/SP6

GP6GP5

J K L

GP7

M N

DP7

DP6

/SP7

Modelagem GeométricaSea-of-GatesProf. Wilhelmus A.M.V. Noije

O1

2

3

4

5

GN5 GN6 GN7

DN

5/SN

6

DN

6/SN

7

DN

7

J K L M N

GN6GN5

GP6GP5

GN7

GP7

6

7

8

9

10

O

FLEX

LAB

11

12

13

14

Cabos USBRetráteis

4 3 2 1

CN

1

USB (5 VDC)

Bit A

01

L1

R1

S1

AK

A L2

R2

S201

Bit B

KA

B

01 K

A

S3

L3

R3Bit C

C Z

R5

L5

AK

R4

L4

AK

Y4 3 2 1

CN

2

USB (5 VDC)

GN1 GN2

DN

1/SN

2

SN1

11

12

13

14A B C D

PSI/E

PUSP

/200

7

GP1 GP2GN1 GN2

6

7

8

9

10

GN3GP3

GN4GP4

GN3 GN4

DN

2/SN

3

DN

3/SN

4

DN

4/SN

5

E F G H I

GP1 GP2

SP1

DP1

/SP2

A B C D1

2

3

4

5

Projeto de CircuitosIntegrados CMOS

DP2

/SP3

DP3

/SP4

GP3

E F G

GP4

H I

DP4

/SP5

DP5

/SP6

GP6GP5

J K L

GP7

M N

DP7

DP6

/SP7

Modelagem GeométricaSea-of-GatesProf. Wilhelmus A.M.V. Noije

O1

2

3

4

5

GN5 GN6 GN7

DN

5/SN

6

DN

6/SN

7

DN

7

J K L M N

GN6GN5GP6GP5

GN7GP7

6

7

8

9

10

O

FLEX

LAB

11

12

13

14

Modo de ligação de submáquinas Sea-of-Gates

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Fonte USBChaveada

Configuração BUS (Cascata)

Cabo USB4 3 2 1

CN

1

USB (5 VDC)

Bit A

01

L1

R1

S1

AK

A L2

R2

S201

Bit B

KA

B

01 K

A

S3

L3

R3Bit C

C Z

R5

L5

AK

R4

L4

AK

Y4 3 2 1

CN

2

USB (5 VDC)

GN1 GN2

DN

1/SN

2

SN1

11

12

13

14A B C D

PSI/E

PUSP

/200

7

GP1 GP2

GN1 GN2

6

7

8

9

10

GN3

GP3

GN4

GP4

GN3 GN4

DN

2/SN

3

DN

3/SN

4

DN

4/SN

5

E F G H I

GP1 GP2

SP1

DP1

/SP2

A B C D1

2

3

4

5

Projeto de CircuitosIntegrados CMOS

DP2

/SP3

DP3

/SP4

GP3

E F G

GP4

H I

DP4

/SP5

DP5

/SP6

GP6GP5

J K L

GP7

M N

DP7

DP6

/SP7

Modelagem GeométricaSea-of-GatesProf. Wilhelmus A.M.V. Noije

O1

2

3

4

5

GN5 GN6 GN7

DN

5/SN

6

DN

6/SN

7

DN

7

J K L M N

GN6GN5

GP6GP5

GN7

GP7

6

7

8

9

10

O

FLEX

LAB

11

12

13

14

4 3 2 1

CN

1

USB (5 VDC)

Bit A

01

L1

R1

S1

AK

A L2

R2

S201

Bit B

KA

B

01 K

A

S3

L3

R3Bit C

C Z

R5

L5

AK

R4

L4

AK

Y4 3 2 1

CN

2

USB (5 VDC)

GN1 GN2

DN

1/SN

2

SN1

11

12

13

14A B C D

PSI/E

PUSP

/200

7

GP1 GP2GN1 GN2

6

7

8

9

10

GN3GP3

GN4GP4

GN3 GN4

DN

2/SN

3

DN

3/SN

4

DN

4/SN

5

E F G H I

GP1 GP2

SP1

DP1

/SP2

A B C D1

2

3

4

5

Projeto de CircuitosIntegrados CMOS

DP2

/SP3

DP3

/SP4

GP3

E F G

GP4

H I

DP4

/SP5

DP5

/SP6

GP6GP5

J K L

GP7

M N

DP7

DP6

/SP7

Modelagem GeométricaSea-of-GatesProf. Wilhelmus A.M.V. Noije

O1

2

3

4

5

GN5 GN6 GN7

DN

5/SN

6

DN

6/SN

7

DN

7

J K L M N

GN6GN5GP6GP5

GN7GP7

6

7

8

9

10

O

FLEX

LAB

11

12

13

14

4 3 2 1

CN

1

USB (5 VDC)

Bit A

01

L1

R1

S1

AK

A L2

R2

S201

Bit B

KA

B

01 K

A

S3

L3

R3Bit C

C Z

R5

L5

AK

R4

L4

AK

Y4 3 2 1

CN

2

USB (5 VDC)

GN1 GN2

DN

1/SN

2

SN1

11

12

13

14A B C D

PSI/E

PUSP

/200

7

GP1 GP2

GN1 GN2

6

7

8

9

10

GN3

GP3

GN4

GP4

GN3 GN4

DN

2/SN

3

DN

3/SN

4

DN

4/SN

5

E F G H I

GP1 GP2

SP1

DP1

/SP2

A B C D1

2

3

4

5

Projeto de CircuitosIntegrados CMOS

DP2

/SP3

DP3

/SP4

GP3

E F G

GP4

H I

DP4

/SP5

DP5

/SP6

GP6GP5

J K L

GP7

M N

DP7

DP6

/SP7

Modelagem GeométricaSea-of-GatesProf. Wilhelmus A.M.V. Noije

O1

2

3

4

5

GN5 GN6 GN7D

N5/

SN6

DN

6/SN

7

DN

7

J K L M N

GN6GN5

GP6GP5

GN7

GP7

6

7

8

9

10

O

FLEX

LAB

11

12

13

14

4 3 2 1

CN

1

USB (5 VDC)

Bit A

01

L1

R1

S1

AK

A L2

R2

S201

Bit B

KA

B

01 K

A

S3

L3

R3Bit C

C Z

R5

L5

AK

R4

L4

AK

Y4 3 2 1

CN

2

USB (5 VDC)

GN1 GN2

DN

1/SN

2

SN1

11

12

13

14A B C D

PSI/E

PUSP

/200

7

GP1 GP2

GN1 GN2

6

7

8

9

10

GN3

GP3

GN4

GP4

GN3 GN4

DN

2/SN

3

DN

3/SN

4

DN

4/SN

5

E F G H I

GP1 GP2

SP1

DP1

/SP2

A B C D1

2

3

4

5

Projeto de CircuitosIntegrados CMOS

DP2

/SP3

DP3

/SP4

GP3

E F G

GP4

H I

DP4

/SP5

DP5

/SP6

GP6GP5

J K L

GP7

M N

DP7

DP6

/SP7

Modelagem GeométricaSea-of-GatesProf. Wilhelmus A.M.V. Noije

O1

2

3

4

5

GN5 GN6 GN7

DN

5/SN

6

DN

6/SN

7

DN

7

J K L M N

GN6GN5

GP6GP5

GN7

GP7

6

7

8

9

10

O

FLEX

LAB

11

12

13

14

4 3 2 1

CN

1

USB (5 VDC)

Bit A

01

L1

R1

S1

AK

A L2

R2

S201

Bit B

KA

B

01 K

A

S3

L3

R3Bit C

C Z

R5

L5

AK

R4

L4

AK

Y4 3 2 1

CN

2

USB (5 VDC)

GN1 GN2

DN

1/SN

2

SN1

11

12

13

14A B C D

PSI/E

PUSP

/200

7

GP1 GP2

GN1 GN2

6

7

8

9

10

GN3

GP3

GN4

GP4

GN3 GN4

DN

2/SN

3

DN

3/SN

4

DN

4/SN

5

E F G H I

GP1 GP2

SP1

DP1

/SP2

A B C D1

2

3

4

5

Projeto de CircuitosIntegrados CMOS

DP2

/SP3

DP3

/SP4

GP3

E F G

GP4

H I

DP4

/SP5

DP5

/SP6

GP6GP5

J K L

GP7

M N

DP7

DP6

/SP7

Modelagem GeométricaSea-of-GatesProf. Wilhelmus A.M.V. Noije

O1

2

3

4

5

GN5 GN6 GN7

DN

5/SN

6

DN

6/SN

7

DN

7

J K L M N

GN6GN5

GP6GP5

GN7

GP7

6

7

8

9

10

O

FLEX

LAB

11

12

13

14

Submáquina 1Submáquina 2

Submáquina 3

Submáquina 4Submáquina 5

Modo de ligação de submáquinas Sea-of-Gates

Page 55: Máquina de Van Noije - USP · 2009-02-11 · Máquina de Van Noije Carlos Alberto Rosa  23 de Outubro de 2008 Prof. Dr. Wilhelmus Adrianus Maria Van Noije

Copyright © 2008 www.carlos-rosa.com

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