MEMÓRIAS 1. DEFINIÇÕES - MEMÓRIAS: são os dispositivos que armazenam informações. - LOCALIDADES DE MEMÓRIA: são os locais onde as informações são armazenadas. Cada

localidade pode armazenar 1 ou mais bits de informação. - ENDEREÇO: conjunto de bits que identifica uma localidade de memória. - ESCRITA (WRITE): é o processo de armazenamento da informação na memória. - LEITURA (READ): é o processo de busca da informação armazenada na memória. - TEMPO DE ACESSO: é o tempo que a memória necessita para que os dados sejam lidos ou

escritos em suas localidades. - CAPACIDADE DA MEMÓRIA: é a quantidade de informação que pode ser armazenada na memória,

expressa em Kb ou KB. 2. CLASSIFICAÇÃO DAS MEMÓRIAS 2.1 QUANTO AO ACESSO - ACESSO SEQÜENCIAL: para se chegar a uma determinada localidade, é necessário passar por

todas as localidades intermediárias. Ex.: fita magnética. - ACESSO ALEATÓRIO: permitem que se acesse qualquer localidade diretamente, sem passar por

localidades intermediárias. Ex.: memória RAM. 2.2 QUANTO À VOLATILIDADE - VOLÁTEIS: são aquelas que perdem os dados armazenados ao ser cortada a alimentação. Ex.:

memórias RAM. - NÃO-VOLÁTEIS: são aquelas que continuam com os dados armazenados, mesmo sem alimentação.

Ex.: memória ROM, PROM, CD-ROM, HD (hard-disk). 2.3 QUANTO À TROCA DE DADOS - MEMÓRIAS DE ESCRITA E LEITURA: permitem ler ou escrever dados a qualquer instante, sem a

necessidade de procedimentos ou equipamentos especiais. Ex.: memória RAM, fita magnética. - MEMÓRIAS DE SOMENTE LEITURA: permitem ler as informações armazenadas, porém a escrita

só pode ser feita uma única vez ou requer procedimentos/equipamentos especiais. Ex.: memória ROM, PROM, EPROM, CD-R, CD-RW.

3. ESTRUTURA GERAL E ORGANIZAÇÃO DE UMA MEMÓRIA

3.1 ESPECIFICAÇÃO DAS MEMÓRIAS As memórias são especificadas pela notação N x m , onde: N = n° de localidades m = n° de bits armazenados em cada localidade O número de vias de endereçamento (e) deve ser tal que permita acessar todas as localidades da memória, ou seja: 2e ≥ N EXERCÍCIO: Complete a tabela abaixo. ESPECIFICAÇÃO N° LOCALIDADES

(N) BITS POR

LOCALIDADE (m) CAPACIDADE

(N x m) Nº VIAS DE ENDEREÇO

32x8 32 8 256b = 32B 5 (25 = 32) 128x8 1Kx4 64Kx8 2Mx16 3.2 MAPEAMENTO DE MEMÓRIA: tabela contendo a estrutura com todos os endereços e dados armazenados na memória. Ex.: memória com 256 localidades. ENDEREÇO LOCALIDADE CONTEÚDO 00H 0 I0 01H 1 I1 02H 2 I2 .... .... .... FDH 253 I253 FEH 254 I254 FFH 255 I255 3.3 PRINCIPAIS TERMINAIS DE CONTROLE - CS (Chip Select): terminal utilizado para selecionar um determinado chip dentro de um banco de memória. Também chamado de CE (Chip Enable). - OE (Output Enable): terminal que controla a conexão elétrica das vias de dados ao circuito interno da memória, permitindo sua utilização em barramento. Quando desabilitado, deixa a saída em tri-state (alta impedância). - R/W (Read/Write): terminal presente em memórias RAM. Usado para selecionar entre leitura (R) ou escrita (W).

4. TIPOS DE MEMÓRIA 4.1 MEMÓRIAS ROM (Read Only Memory = memória de somente leitura): permitem somente a leitura

dos dados, gravados na sua fabricação. Funcionam como circuitos combinacionais cujas entradas são as vias de endereçamento.

4.2 MEMÓRIAS PROM (Programmable Read-Only Memory = memória de somente leitura programável):

permitem o armazenamento dos dados pelo próprio usuário, porém feito de modo definitivo. Após a programação, a memória PROM transforma-se numa ROM.

4.3 MEMÓRIAS EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory = memória de somente leitura

programável e apagável): permitem a gravação pelo usuário de modo semelhante à PROM, com a vantagem de poderem ser apagadas através de um banho de luz ultra-violeta, através de uma janela de vidro existente em seu encapsulamento. Também são conhecidas como UVPROM.

4.4 MEMÓRIAS EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory = memória de

somente leitura programável e apagável eletricamente): permitem que o apagamento seja feito eletricamente, podendo-se apagar localidades específicas da memória.

4.5 MEMÓRIAS FLASH: variação de EEPROM onde o apagamento é feito de uma só vez (chip inteiro). 4.6 MEMÓRIAS RAM (Random Access Memory = memória de acesso aleatório): permitem a escrita e a

leitura dos dados, porém são voláteis, ou seja, perdem seus dados armazenados quando desligada a alimentação. Possuem um tempo de acesso muito reduzido. Podem ser SRAM (Static RAM = RAM estática) ou DRAM (Dynamic RAM = RAM dinâmica).

- RAM ESTÁTICA: utiliza como célula básica de memória o flip-flop (figura abaixo). São mais rápidas, porém ocupam mais espaço (menor densidade de integração).

- RAM DINÂMICA: sua célula básica armazena o dado (bit) por efeito capacitivo (carga elétrica), sendo necessário a reinserção periódica do dados, denominada de “refresh”. Ocupam menos espaço (maior densidade de integração), porém são mais lentas que as SRAM.