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LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Práctica Nº4
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA TBJ OBJETIVOS:
• Disenãr el circuito de control para un transistor bipolar de juntura de potencia. • Conocer las características de conmutación del transistor bipolar de juntura.
INFORME Formas de Onda
Calcular la potencia de disipación del transistor de potencia para los dos circuitos diseñados con los datos tomados en el laboratorio. Para una carga resistiva (foco):
Periodo 1.820 ms Tiempo en Alto 880 us Tiempo en Bajo 960 us Tiempo de Encendido 4.9 us Tiempo de Apagado 6.6 us
Para una carga resistiva (foco) inductiva:
Periodo 1.390 ms Tiempo en Alto 700 us Tiempo en Bajo 690 us Tiempo de Encendido 7 us Tiempo de Apagado 13.6 us
CONCLUSIONES • La carga inductiva no afecta el estado estable de las formas de onda, solo a los
transitorios ya que la carga inductiva se comporta como cortocircuito cuando no hay variación de corriente en el tiempo.
• Las diferencias de disipación en estado estable se dan por la variación de los tiempos de apagado y encendido que afectan de una manera mínima a los tiempos estables de corte y saturación respectivamente.
• El diseño del circuito de los transistores en esta practica, se debe tener en cuenta el diseño a partir del transistor de potencia donde tenemos los requerimientos específicos; el resto del circuito se debe adaptarlo a las necesidades de la carga y los limites máximos de disipación de potencia. Se debe maniobrar el circuito variando las resistencias.
Bibliografía.
• Boylestad R., Nashelsky L. , Electronic Devices and Circuit Theory, 10/e (New Edition). Pearson Education, 2012
• M. Rashid, Power Electronics: Circuits, Devices, and Applications. Pearson/Prentice Hall, 2004.