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TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 1 CAPÍTULO 3 INVERSOR CMOS Baseado nos slides de Peter Cheung Department of Electrical & Electronic Engineering Imperial College London Oscar C. Gouveia Filho Departamento de Engenharia Elétrica UFPR URL: www.eletrica.ufpr.br/ogouveia E-mail: [email protected]

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TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 1

CAPÍTULO 3INVERSOR CMOS

Baseado nos slides de Peter CheungDepartment of Electrical & Electronic Engineering

Imperial College London

Oscar C. Gouveia FilhoDepartamento de Engenharia Elétrica

UFPR

URL: www.eletrica.ufpr.br/ogouveiaE-mail: [email protected]

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 2

OBJETIVOS

1. Compreender o funcionamento do inversor CMOS

2. Identificar os parâmetros fundamentais do inversor CMOS

3. Analisar e dimensionar inversores CMOS

4. Simulação elétrica e caracterização de inversores

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 3

INVERSOR IDEAL

VIN VOUT

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 4

NÍVEIS LÓGICOS

0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 20,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0

VIN (V)

VO

UT

(V

)

VIL V

IH V

IL V

IH

VOH

VOL

VM

Inclinação = -1

Inclinação = -1

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 5

MARGENS DE RUÍDO

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 6

Fan-In e Fan-Out

Número de entradas ligadas a uma porta

lógica

Número de portas ligadas à saída de uma porta lógica

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 7

COMPORTAMENTO DINÂMICO

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 8

OSCILADOR EM ANEL

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 9

DISSIPAÇÃO DE POTÊNCIA

Pmax=V DD∗I DDPotência máxima

Potência média Pmed=1T∫0

T

p t dt=V DD

T ∫0

T

iDD t dt

Produto Potência-Atraso (Power-Delay Product)• energia por operação de chaveamento

PDP=Pmed∗t p

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 10

CARACTERÍSTICA DE TRANSFERÊNCIA DC

ANÁLISE DO INVERSOR CMOS

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 11

REGIÕES DE OPERAÇÃO

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 12

0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 20,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0

VIN (V)

VO

UT

(V

)

VM

Determinação de VM

Ambos transistores saturados

kn

2V M−V tn

2=

k p

2V DD−V M−∣V tp∣

2

V M=r V DD−∣V tp∣V t

1r

onde r= k p

kn

k n p=k 'n p WLn p

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 13

Determinação de VIL e V

IH

0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 20,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0

VIN (V)

VO

UT

(V

)

VIL V

IH

Inclinação = -1

Inclinação = -1

dV OUT

dV I

=−1

Calcular o ganho do inversor e igaualar à unidade. Observar as regiões de operação dos transistores.

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 14

ANÁLISE DINÂMICA

Modelo simplificado

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 15

CÁLCULO DAS CAPACITÂNCIAS

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 16

ATRASO DE PROPAGAÇÃO

VDD

Vout

Vin = VDD

CLIav

tpHL = CL Vswing/2

Iav

CL

kn VDD

~

Do mesmo modo para tpLH

t pLH=C L

K pV DD

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 17

Vin Vout

CL

Vdd

DISSIPAÇÃO DE POTÊNCIA

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 18

CORRENTE DE CURTO-CIRCUITO

TE 130 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS 19

CORRENTE DE FUGA