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1
Nanofios SemicondutoresAplicações e Crescimento
PM – II
2012
Aplicações(nanofios de GaN)
(a) PL
Red – single n-GaN
Blue n-GaN/InGaN/p-GaN
(b) SEM - Nanowire device
Bar - 1µm
(c) Eletroluminescência, 4K, V = 12V
barra – 200 nm
2
Estrutura e Crescimento
Como é o crescimento desses nanofios e qual sua estrutura?
GaN - MBE
GaN - MOCVD
3
Quais são os modelos de cresciemnto?
Au-Ge
Modelo V-L-S
GaN
Modelo de crescimento espontâneo
4
Por que os cristais crescem dessa
forma?
Como posso ter organização
regular das estruturas?
5
Fundamentos
• Teorema de Wulff
γk – energia de superfície (k)Ak – área da superfície (k)
mínimaAk
k
k=∑γ
cter
k
k=
γ
Fundamentos
• Cinética
6
Sc –sticking coefficient
SAG
Ar+
N2+, N
Anteparo
perfurado
Alvo (Ga)
Substrato
(Al2O3)
N2+, N
Plasma
7
Concluindo:
Forma dos Cristais
• Teorema de Wulff (termodinâmica)
• Cinética
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