1 administração sistemas informáticos i memória ram turma: c4º ano grupo 1

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Administração Sistemas Informáticos I

Memória RAM

Turma: C4º Ano Grupo 1

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Memória RAM (Random Access Memory)

Memória de acesso aleatório é utilizado para armazenar dados e programas que estão a ser usados em tempo de execução.

Vantagens: Velocidade;

Flexibilidade.

Desvantagens:Volatilidade.


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Formatos de memória

• Descontinuados:– DIP (Dual Inline Package), soldados na placa PCB– SIPP (Single Inline Pine Package), mais fácil de manipular – SIMM (Single Inline Memory Module), existem os de 30

vias e de 72 vias– RIMM (Rambus Inline Memory Module), é um formato

proprietário de suporte à tecnologia RDRAM• Actuais

– DIMM (Dual Inline Memory Module), existem 3 tipos: 168, 184 e 240 vias

– SODIMM (Small Outine DIMM), são usadas nos portáteis

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Tecnologias de memória RAM:

DRAM – Dynamic Random Acess Memory

É uma tecnologia de memória em que os chips estão organizados numa matriz de células de memória. Cada célula serve para armazenar bits que podem ser extraídos indicando a sua linha e coluna (direcção).

Existem 4 tecnologias derivadas da DRAM:

FPM - Fast Page Mode; EDO - Extended Data Out; SDRAM - Synchronous DRAM; RDRAM - Rambus DRAM.

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FPM – uma tecnologia de rápido acesso aos dados que estão na mesma linha de memória, esta foi a primeira tecnologia a aparecer e no entanto ainda se pode encontrar nos módulos DIMM 168 vias e SODIMM.

EDO – evolução da FPM, em que a leitura dos dados foi optimizada, permitindo um ganho de 10 a 20% em relação ao desempenho do sistema.

SDRAM – permite que as memórias sejam sincronizadas com o processador, evitando que o processador espere pelos dados.

RDRAM – Tecnologia inovadora, extremamente rápida e com taxas de transferência elevadas, mas como é uma tecnologia proprietária os fabricantes de placas mãe deixaram de suportar esta tecnologia.


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Tecnologias actuais:

• DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM)– Transferem dados duas vezes em cada ciclo de relógio, na subida e na

descida do sinal.

• DDR II-SDRAM – Transferem dados quatro vezes em cada ciclo de relógio, dois impulsos

duplos em cada ciclo.


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Desempenho dasdiferentestecnologias, comvelocidades dememória idênticas


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Outras tecnologias relacionadas com a RAMVerificação de erros:

Paridade – analisa os bits de memória através da contagem de número de bits a um, detectando

possíveis erros mas, no entanto, não os consegue corrigir.

ECC (Error Correction and Control) – detecta e corrige os erros de memória automaticamente, só os consegue corrigir caso o erro seja apenas de um bit. Caso contrário apenas informa o processador que houve um erro.

Chipkill – método semelhante ao ECC, é mais eficaz do que o anterior porque fornece uma correcção de erros até quatro bits.


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Aumento de desempenho de Memória

CAS (Column Address Strobe) LatencyÉ o tempo de espera entre o pedido do processador e a resposta da memória.

O funcionamento do CAS baseia-se com é lida a informação da memória.

Arquitectura “Single-Channel” e “Dual-Channel”


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Futuro das RAM

Em relação às memórias XDR (Extreme Data Rate) da Rambus preve-se que a sua velocidade dobre até 2006, graças à tecnologia ODR (Octal Data Rate).

As memórias XDR já enfrentam dificuldades com a concorrência, DDR II e a MRAM.


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